Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

В текущей базе данных найдено документов :3

В других БД по вашему запросу найдено:

Электронный каталог (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=сильные электрические поля<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах [Текст] : учеб. пособие для вузов по направлению "Техническая физика" / Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, Е. Л. Ивченко ; . - Санкт-Петербург : Наука, 2000. - 157, [3] с. - (Новые разделы физики полупроводников). - Библиогр. - ISBN 5-02-024928-9 (в пер.) : 35.00 р.
Федер. целевая прогр."Гос. поддержка интеграции высш. образования и фундам. науки на 1997-2000 годы"

УДК

537.311.322(075.8)

Рубрики: физика--физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- наноструктуры -- кинетические явления -- оптические явления -- сильные электрические поля -- носители заряда -- физика горячих электронов
Аннотация: Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях: функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери электроном при взаимодействии с решеткой. Для студентов, аспирантов, научных сотрудников.
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Воробьев, Л. Е. Воробьёв, Л. Е.
Данилов, С. Н.
Ивченко, Е. Л.

Найти похожие

Владимиров, Г. Г.
Физическая электроника. Эмиссия и взаимодействие частиц с твердым телом [Текст] : учеб. пособие / Г. Г. Владимиров. - СПб. ; М. ; Краснодар : Лань, 2013. - 368 с. : ил. ; 24 см. - (Учебники для вузов. Специальная литература). - Библиогр.: с. 358-364 (193 назв.). - ISBN 978-5-8114-1515-1 : 50.00 р.

ГРНТИ	47.03.01.33
УДК	621.38(075.8)

ББК 32.844

Рубрики: Электроника--Физическая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ЭМИССИЯ -- ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ -- ЭМИССИЯ ЭЛЕКТРОНОВ -- ФОТОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ -- ВТОРИЧНАЯ ЭМИССИЯ -- СИЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ -- ПОВЕРХНОСТНАЯ ИОНИЗАЦИЯ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Конуэлл, Э.
Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях [Текст] / Э. Конуэлл ; пер. с англ. А. Ф. Волкова, А. Я. Шульмана ; под ред. И. Б. Левинсона, Ю. К. Пожелы = High field transport in semiconductors / E. M. Conwell : научное издание. - М. : Изд-во "Мир", 1970. - 384 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - 1.93 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.

ГРНТИ	29.19.31
УДК	537.311.33

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
НОСИТЕЛИ ТОКА -- ЭФФЕКТ ГАННА -- УРАВНЕНИЯ БОЛЬЦМАНА -- СИЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ -- ЗАКОН СОХРАНЕНИЯ ЭНЕРГИИ
Аннотация: Книга посвящена электропроводности полупроводников в сильных электрических полях. Рассматриваются также другие кинетические явления в полупроводниках, связанные с действием сильных электрических полей. Особенностью книги является подробное сопоставление теоретических и экспериментальных данных для конкретных полупроводниковых материалов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Волков, А. Ф.
Шульман, А. Я.
Левинсон, И. Б.
Пожела, Ю. К.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)