Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=рентгенолитография<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Фильтры на поверхностных акустических волнах (расчет, технология и применение) [Текст] : пер. с англ. / под ред. Г. Мэттьюза. - М. : Радио и связь, 1981. - 472 с. : ил. ; 21см. - 2.50 р.

ГРНТИ	47.55
УДК	621.372.54

ББК 32.844

Рубрики: Радиотехника--Акустические волны

Кл.слова (ненормированные):
акустические волны -- фильтры -- поверхностные волны -- поверхностные акустические волны -- ПАВ -- полосовые фильтры -- расчет фильтров -- свойства фильтров -- согласованная фильтрация -- упругие волны -- дифракция -- затухание -- встречно-штыревые преобразователи -- синтез фильтров -- фотолитография -- травление -- электронная литография -- рентгенолитография -- согласующие цепи -- фазовые коды
Аннотация: Рассматриваются принцип работы, методы расчета, примеры конструкции фильтров на поверхностных акустических волнах(ПАВ). Приведены основные свойства и методы расчета фильтров для согласованной фильтрации.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Мэттьюз, Г.
Найти похожие

Красников, Г. Я.
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов [Текст] : научное издание / Г. Я. Красников. - 2-е изд., испр. - М. : Техносфера, 2011. - 800 с. : ил. ; 25 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-289-2 : 90.00 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- СУБМИКРОННЫЕ МОПТ -- ПОДЗАТВОРНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ -- ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ -- РЕНТГЕНОЛИТОГРАФИЯ -- ПОЛИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ЗАТВОРЫ -- ПОЛИЦИДНЫЕ ЗАТВОРЫ -- СТОК-ИСТОВЫЕ ОБЛАСТИ -- КОРОТКОКАНАЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ
Аннотация: В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов. Описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истовых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Курносов, Анатолий Иванович.
Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [Текст] : учеб. пособие для ВУЗов / А. И. Курносов, В. В. Юдин. - 3-е изд., перераб. и доп. - Москва : Высшая школа, 1986. - 367 с. - Библиогр.: с. 363. - Предм. указ.: с. 364-365. - 1.30 р.

ББК 32.852-06

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
СВЧ-диапазон -- антимонид галлия -- антимонид индия -- арсенид галлия -- арсенид индия -- германий -- диффузионные структуры -- диэлектрические пленки -- защитные пленки -- имс -- интегральные микросхемы -- интерметаллические соединения -- ионная имплантация -- ионно-плазменное распыление -- конструкции корпусов -- кремний -- лазерные технологии -- нитридные пленки кремния -- полупроводниковые материалы -- полупроводниковые пластины -- полупроводниковые подложки -- пособия для вузов -- р-п-переход -- радиация -- рентгенолитография -- сборка полупроводниковых приборов -- термическое испарение -- тонкие пленки -- фосфид галлия -- фотолитография -- фоторезисторы -- фотошаблоны -- эпитаксиальное наращивание
Аннотация: В книге рассмотрены основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)

Доп. точки доступа:
Юдин, Владимир Васильевич
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)