| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=радиационный эффект<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

    Агаханян, Т. М.
    Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [Текст] / Под.ред.Т.М.Агаханяна. - М. : Энергоатомиздат, 1989. - 256 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5-283-02963*8 : 3.20 р.
Библиогр.234 назв.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- биполярные транзисторы -- униполярные транзисторы -- биполярные микросхемы -- интегральные микросхемы -- ионизирующие излучения -- радиационный эффект -- ядерное приборостроение
Аннотация: Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМС в полях ионизирующих излучений. Проанализированы радиационные эффекты в цифровых и аналоговых ИМС общего назначения и рассмотрено радиационное поведение БИС.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Аствацатурьян, Е. Р.
Скоробогатов, П. К.
Найти похожие

2.

    Першенков, В. С.
    Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем [Текст] / В. С. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. - М. : Энергоатомиздат, 1988. - 256 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5-283-02942-5 : 2.80 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик-полупроводник -- радиационный эффект -- биполярные микросхемы -- ионизирующие излучения -- электроника
Аннотация: Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл-диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Попов, В. Д.
Шальнов, А. В.
Найти похожие

3.

    Мырова, Л. О.
    Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи [Текст] / Л.О.Мырова,А.З.Чепиженко. - М. : Радио и связь, 1983. - 216 с. : ил. ; 21см. - 0.80 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.884.1

Рубрики: Связь--Аппаратура связи

Кл.слова (ненормированные):
связь -- аппаратура связи -- радиационная среда -- ядерные установки -- ядерный взрыв -- ионизирующее излучение -- радиационный эффект -- радиационно-стойкая аппаратура -- система связи -- кварцевый генератор
Аннотация: Рассмотрены вопросы,связанные с созданием аппаратуры связи,способной успешно функционировать в условиях воздействия ионизирующих и электромагнитных излучений,возникающих во время ядерного взрыва,при работе ядерных силовых и энергетических установок,в условиях космического пространства.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)