Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=неравновесные носители заряда<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Павлов, Л. П.
Методы измерения параметров полупроводниковых материалов [Текст] : учеб.для вузов по спец."Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" / Л. П. Павлов. - 2-е изд.,перераб.и доп. - М. : Высшая школа, 1987. - 239 с. : ил. ; 22см. - 0.85,20.00 р.

ГРНТИ	45.09.35.01.33
УДК	621.315.592.08(075.8)

ББК 31.233

Рубрики: Электротехника--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- удельное сопротивление -- ЭДС Холла -- магнитосопротивление -- неравновесные носители заряда -- методы измерения
Аннотация: В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)
Найти похожие

Новиков, В. В.
Теоретические основы микроэлектроники [Текст] : учеб. пособие / В. В. Новиков. - М. : Изд-во "Высшая школа", 1972. - 352 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 345-346 (59 назв.). - 0.91 р.
Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обучающихся по спец. "Конструирование и производство радиоаппаратуры"

ГРНТИ	47.33.01.33
УДК	621.382:621.396(075)

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
КРИСТАЛЛЫ -- ТЕОРИЯ ТВЕРДОГО ТЕЛА -- УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА -- ОПТОЭЛЕКТРОНИКА -- НЕРАВНОВЕСНЫЕ НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА
Аннотация: В книге рассмотрены основные закономерности строения и роста кристаллов и тонких пленок. Изложены основы электронной теории твердого тела, а также описаны наиболее важные физические явления и эффекты в твердом теле, которые лежат в основе принципа действия микроэлектронных элементов и схем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)