Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=кинетические явления в полупроводниках<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Микроэлектроника [Текст] : в 9 кн. : учеб. пособие для втузов / Л. А. Коледов, О. В. Митрофанов, Б. М. Симонов. - М. : Высшая школа, 1987 - .
Кн. 1 : Физические основы функционирования изделий микроэлектроники. - 1987. - 168 с. : ил. ; 20см. - 0.30 р.

ГРНТИ	47.33.31.01.33.
УДК	621.382.049.77(075.8)

ББК 32.844.1

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
микроэлектроника -- полупроводники -- кинетические явления в полупроводниках -- выпрямительные диоды -- стабилитроны -- туннельные диоды -- лавинно-пролетные диоды -- диоды Шотки -- варикапы
Аннотация: В пособии рассмотрены физические процессы, определяющие функционирование изделий полупроводниковой микроэлектроники. Изложены основные принципы функционирования изделий микроэлектроники.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)

Доп. точки доступа:
Коледов, Л. А.
Митрофанов, О. В.
Симонов, Б. М.
Найти похожие

Фистуль, В. И.
Сильно легированные полупроводники [Текст] : монография / В. И. Фистуль. - М. : Физматгиз, 1967. - 415 с. : ил., граф., рис., табл. ; 19 см. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 397-415. - 1.49 р.

ГРНТИ	29.19.31
УДК	537.311.33

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР -- РАДИОЭЛЕКТРОНИКА -- НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА -- ВЫРОЖДЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ -- МЕХАНИЗМЫ РАССЕЯНИЯ -- ОТРАЖЕНИЕ СВЕТА -- ТУННЕЛЬНЫЕ ДИОДЫ -- ТЕНЗОМЕТРЫ
Аннотация: В данной монографии обобщены и систематизированы теоретические и экспериментальные результаты исследований полупроводников при их легировании до концентраций примеси, близких к предельным. Тем самым, большая степень легирования приведет к открытию новых явлений, как, например, появление "хвоста" плотности состояний в запрещенной зоне и существование легирующих примесей в кристалле не только в виде раствора, но и в других формах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)