| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ионно-лучевое легирование<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

    Комаров, Ф. Ф.
    Ионная имплантация [Текст] : научное издание / Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, А. Ф. Буренков ; под ред. Ф. Ф. Комарова. - Минск : Унiверсiтэцкае, 1994. - 303 с. ; 20см. - ISBN 985-09-0036-9 : 3000.00 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Обработка материалов--Нанесение покрытий

Кл.слова (ненормированные):
легирование -- инплантация -- ионная имплантация -- ионно-лучевое легирование -- инплантация атомов -- ионное перемешивание -- кинетические уравнения
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Новиков, А. П.
Буренков, А. Ф.
Комаров, Ф. Ф.
Найти похожие

2.

    Перинская, И. В.
    Мир материалов и технологий: ионно-лучевое конструирование материалов СВЧ микроэлектроники [Текст] : монография / И. В. Перинская, И. В. Родионов, В. В. Перинский ; Саратовский гос. техн. ун-т им. Гагарина Ю. А. - Саратов : ИЦ "Наука", 2016. - 244 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 214-217(35 назв.). - ISBN 978-5-9999-2709-5 : 80.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 30.3 + 32.85

Рубрики: Материаловедение

   Электроника--Микроэлектроника


Кл.слова (ненормированные):
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- ИОННО-ЛУЧЕВОЕ КОНСТРУИРОВАНИЕ -- МИКРОПРИБОРЫ -- СВЧ УСТРОЙСТВА -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- КЛАСТЕРИЗАЦИЯ -- ИОННО-ЛУЧЕВАЯ ЗАЩИТА
Аннотация: Предлагается подход к решению проблемы технологии изготовления монолитно-интегральных схем СВЧ на арсениде галлия - отсутствию метода изготовления ИС СВЧ в одном технологическом цикле на основе единого физико-технического эффекта. Ионная инплантация в качестве базового метода позволяет осуществлять легирование, изоляцию, очистку поверхности, литографию, пассивацию в одной технологической установке в вакууме, необходимые операции изготовления активных и пассивных элементов ИС СВЧ. Монография посвящена разработке физических основ ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов водорода, галлия при создании субмикронных изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и эпитаксиальных структурах, имплантации ионов гелия, аргона в металлические слои ИС СВЧ; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии легирования и изоляции. Предложены ионно-модифицированные варианты безрезистной литографии изготовления СВЧ полевых транзисторов, металлических резисторов и межслойных конденсаторов, датчиков; способы ионно-лучевой защиты поверхности микроэлектронных изделий от внешних и химических воздействий, ионно-модифицированные аналоги драгоценных металлов для монолитных СВЧ устройств.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Родионов, И. В.
Перинский, В. В.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)