| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :10
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ионное легирование<.>)
Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10
1.

    Комаров, Фадей Фадеевич.
    Ионная имплантация диэлектриков [Текст] : научное издание / Ф. Ф. Комаров, А. В. Леонтьев. - Минск : БГУ [изд.], 2010. - 190, [2] с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 187-189 (72 назв.). - ISBN 978-985-518-363-2 : 135.00 р.
УДК

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрические материалы -- диэлектрики -- заряженные частицы -- ионное легирование -- трековая электроника -- ионная имплантация -- диэлектрические микроволноводы
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского


Доп. точки доступа:
Леонтьев, Александр Викторович
Найти похожие

2.

   Бекренев, Н. В.

    Высокоэффективные процессы обработки материалов и нанесения покрытий концентрированными потоками энергии (теоретические основы) [Текст] : учеб. пособие для студ. спец. 120700 / Н. В. Бекренев, А. В. Лясникова, Д. В. Трофимов ; ред. В. Н. Лясников. - Саратов : СГТУ, 2003 - .
   Ч. 1. - 84 с. ; 20см. - ISBN 5-7433-1274-5 : 27.85 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 30.615

Рубрики: Обработка материалов--Напыление

Кл.слова (ненормированные):
обработка материалов -- напыление -- нанесение покрытий -- бесконтактное формообразование -- штамповка -- ионное легирование -- имплантация
Аннотация: Рассмотрены вопросы общей теории бесконтактного формообразования деталей при воздействии на материалы концентрированных потоков различных видов энергии. Изложены закономерности переноса энергии и вещества в разрядном промежутке и управлении параметрами процесса.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Лясникова, А. В.
Трофимов, Д. В.
Лясников, В. Н. \\ред.\\
Найти похожие

3.

    Ефимов, И. Е.
    Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность [Текст] : учеб. пособие для вузов / И. Е. Ефимов, Ю. И. Горбунов, И. Я. Козырь. - М. : Высшая школа, 1977. - 416 с. : ил. ; 22см. - 1.30 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
эффект Ганна -- фотолитография -- локальная диффузия -- ионное легирование -- металлизация -- изготовление ИМС -- контроль качества -- надежность -- испытание ИМС -- полупроводниковые диоды -- полевые транзисторы -- тиристоры
Аннотация: В книге изложены физические и технологические основы полупроводниковой и пленочной микроэлектроники, основы работы активных элементов в ИМС; рассмотрены конструктивно-технологические особенности, материалы и элементы конструкции ИМС, их структурные элементы, процессы изготовления ИМС, контроль качества ИМС при изготовлении, испытания микросхем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Горбунов, Ю. И.
Козырь, И. Я.
Найти похожие

4.

    Мокеев, О. К.
    Технология полупроводникового производства [Текст] : учеб. пособие / О. К. Мокеев. - М. : Высшая школа, 1984. - 176 с. : ил. ; 20см. - 0.20 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Технология производства

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводниковая схемотехника -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковые генераторы -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые материалы -- механическая обработка полупроводников -- химическая обработка полупроводников -- ионная обработка полупроводников -- плазмохимическая обработка полупроводников -- эпитаксиальные пленки -- эпитаксия -- легирование -- ионное легирование
Аннотация: В книге описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и микросхем. Рассмотрены процессы изготовления биполярного и МДП-транзисторов, а также интегральных микросхем на их основе. Пособие является программированным и содержит материал обеспечивающий самоконтроль усвоения информации и исправление ошибок, возникающих в процессе работы учащихся.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

5.

    Грищенко, А. Ф.
    Ионное легирование в микроэлектронике [Текст] : учеб. пособие для средн. проф.-техн. училищ / А. Ф. Грищенко. - М. : Высшая школа, 1985. - 48 с. : ил. ; 20см. - 0.05 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.844

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые материалы--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- микроэлектроника -- ионное легирование -- технологический процесс -- электрические характеристики
Аннотация: В учебном пособии изложены начальные сведения по физике ионного легирования полупроводниковых материалов. Описаны некоторые технологические процессы ионного легирования, а также основное типовое оборудование, применяемое в этих процессах. Рассмотрены вопросы безопасности при работе на установках ионного легирования. Брошюра предназначена для преподавателей и мастеров производственного обучения средних профессионально-технических училищ.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

6.

    Маллер, Р.
    Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ.: Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - М. : Мир, 1989. - 630 с. : ил. ; 22см. - ISBN 5-03-001100-5 : 3.20, 92.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.85

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- дырки -- доноры -- акцепторы -- дрейфовая скорость -- подвижность -- рассеяние -- диффузионный ток -- магнитный датчик -- эффект Холла -- кремниевые приборы -- выращивание монокристаллов -- термическое окисление -- фотолитография -- перенос рисунков -- диффузия -- ионное легирование
Аннотация: Изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Кейминс, Т.
Мазель, Е. З.
Ходош, Л. С.
Найти похожие

7.

    Сулима, А. М.
    Поверхностный слой и эксплуатационные свойства деталей машин [Текст] / А. М. Сулима, В. А. Шулов, Ю. Д. Ягодкин. - М. : Машиностроение, 1988. - 240 с. : ил. ; 22 см. - ISBN 5-217-00060-0 : 2.20 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Детали машин--Надежность деталей машин

Кл.слова (ненормированные):
деформации -- разрушение металла -- детали машин -- надежность машин -- шероховатость поверхностей -- волнистость -- трение -- износ -- лазерная обработка -- ионное легирование -- коррозионная стойкость -- термодинамика химических реакций -- деформационное упрочнение -- эксплуатационные свойства
Аннотация: Рассмотрены параметры, определяющие физико-химическое состояние поверхностного слоя деталей машин, методы и средства их измерения, приведены зависимости параметров поверхностного слоя от методов и режимов обработки.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Шулов, В. А.
Ягодкин, Ю. Д.
Найти похожие

8.

    Зорин, Е. И.
    Ионное легирование полупроводников [Текст] : научное издание / Е. И. Зорин, П. В. Павлов, Д. И. Тетельбаум. - М. : Энергия, 1975. - 128 с. : рис., табл. ; 20 см. - (Б-ка радиотехнолога ; вып. 6). - Библиогр.: с. 120-128. - 0.39 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электрические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ПРОБЕГИ ИОНОВ -- ПРИМЕСНЫЕ АТОМЫ -- АМОРФИЗАЦИЯ -- ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ
Аннотация: Посвящена физическим основам и применению ионного легирования полупроводников. Кратко излагаются теоретические и экспериментальные данные о пробегах и распределении ускоренных ионов в твердых телах. Освещен вопрос о влиянии радиационных дефектов на диффузию внедренной примеси.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Павлов, П. В.
Тетельбаум, Д. И.
Найти похожие

9.

   
    Технология ионного легирования [Текст] : научное издание / под ред. С. Намбы, П. В. Павлова ; пер. с яп. В. Ф. Овчарова. - М. : Советское радио, 1974. - 158 с. : ил. ; 16 см. - Библиогр.: с. 140-156 (244 назв.). - 0.51 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Аннотация: Рассматриваются методы получения кремниевых полупроводниковых приборов с помощью ионного легирования, а также ионное легирование сложных полупроводниковых материалов. Подробно излагаются методы измерения электрических характеристик полупроводниковых приборов, полученных ионным легированием. Книга написана в простой и доступной форме.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Намба, С.
Павлов, П. В.
Овчаров, В. Ф.
Найти похожие

10.

    Электроника и ее применение [Текст] : сборник. - М. : ВИНИТИ, 1976.
   Т. 7 / С. А. Иноземцев [и др.]. - 1976. - 163 с. : ил. ; 22 см. - (Итоги науки и техники). - Библиогр.: с. 157-163 (122 назв.). - 1.06 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ДЕФЕКТЫ -- БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Аннотация: Том посвящен ионному легированию как методу изготовления полупроводниковых приборов, жидкокристаллическим индикаторам, новым применениям барьера Шоттки в полупроводниковой электронике и механизмам дефектообразования в кремнии и воздействию дефектов на параметры биполярных транзисторов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Иноземцев, С. А.
Яблонский, Ф. М.
Курочкин, В. А.
Гулидов, Д. Н.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)