| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ионное внедрение<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

    Тилл, У.
    Интегральные схемы [Текст] : материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Д. Лаксон ; пер. с англ. : М. Б. Левина, В. Г. Микуцкого ; под ред. М. В. Гальперина. - М. : Мир, 1985. - 501 с. : ил. ; 22см. - 2.40 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- технология интегральных схем -- кремний -- энергетические зоны -- свойства кристаллов -- дефекты кристаллов -- выращивание кристаллов -- зонная плавка -- фазовые диаграммы -- твердые растворы -- твердая растворимость -- диффузия -- ионное внедрение -- имплантация -- законы Фика -- эпитаксиальные слои -- эпитаксиальные пленки -- диоды -- биполярные транзисторы
Аннотация: Рассматриваются методы введения примесей в полупроводники, выращивания эпитаксиальных пленок. Излагается теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Подробно описываются процессы производства интегральных схем и их испытания.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Лаксон, Д.
Левин, М. Б.
Микуцкий, В. Г.
Гальперин, М. В.
Найти похожие

2.

    Тилл, Уильям.
    Интегральные схемы [Текст] : материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Дж. Лаксон ; пер. с англ. М. Б. Левина, В. Г. Микуцкого; ред. М. В. Нальперин. - Москва : Мир, 1985. - 501 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 496 - 501. - 02.40 р.
ББК 32.852

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
биполярные транзисторы -- диоды -- диффузия -- изготовление гибридных схем -- изготовление интегральных схем -- имплантация -- интегральные схемы -- ионное внедрение -- кристаллы -- литография -- полевые транзисторы -- твердые растворы -- технология интегральных схем -- толстопленочные схемы -- тонкопленочные схемы -- фазовые диаграммы -- цифровые логические элементы -- энергетические зоны -- эпитаксиальные слои
Аннотация: В книге американских специалистов рассматриваются методы введения примесей в полупроводники, выращивания эпитаксиальных пленок. Излагаются теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Подробно описываются процессы производства интегральных схем и их испытания.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)


Доп. точки доступа:
Лаксон, Джеймс
Левин, М. Б.
Микуцкий, В. Г.
Нальперин, М. В.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)