Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

в найденном

В текущей базе данных найдено документов :23

В других БД по вашему запросу найдено:

Электронный каталог (4)

Публикации учёных СГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=ионная имплантация<.>)

Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-23

Комаров, Ф. Ф.
Ионная имплантация [Текст] : научное издание / Ф. Ф. Комаров, А. П. Новиков, А. Ф. Буренков ; под ред. Ф. Ф. Комарова. - Минск : Унiверсiтэцкае, 1994. - 303 с. ; 20см. - ISBN 985-09-0036-9 : 3000.00 р.

ГРНТИ	55.22.19
УДК	621.793.18

Рубрики: Обработка материалов--Нанесение покрытий

Кл.слова (ненормированные):
легирование -- инплантация -- ионная имплантация -- ионно-лучевое легирование -- инплантация атомов -- ионное перемешивание -- кинетические уравнения
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Новиков, А. П.
Буренков, А. Ф.
Комаров, Ф. Ф.
Найти похожие

Комаров, Фадей Фадеевич.
Ионная имплантация диэлектриков [Текст] : научное издание / Ф. Ф. Комаров, А. В. Леонтьев. - Минск : БГУ [изд.], 2010. - 190, [2] с. : ил., табл. - Библиогр.: с. 187-189 (72 назв.). - ISBN 978-985-518-363-2 : 135.00 р.

УДК

621.315.61

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрические материалы -- диэлектрики -- заряженные частицы -- ионное легирование -- трековая электроника -- ионная имплантация -- диэлектрические микроволноводы
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Леонтьев, Александр Викторович
Найти похожие

Глезер, Александр Маркович.
Аморфно-нанокристаллические сплавы [Текст] : научное издание / А. М. Глезер, Н. А. Шурыгина. - Москва : ФИЗМАТЛИТ, 2013. - 450, [2] с. : граф., ил. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-9221-1547-6 (в пер.) : 553.00 р.

УДК

620.22

Рубрики: техника--материаловедение

Кл.слова (ненормированные):
наноматериалы -- нанокристаллы -- сплавы -- нанокристаллические сплавы -- аморфно-нанокристаллические сплавы -- закалка из расплава -- кристаллизация -- лазерная обработка -- напыление пленок -- деформация -- ионная имплантация
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Шурыгина, Надежда Александровна
Найти похожие

Севостьянов, М. А.
Способы улучшения эксплуатационных характеристик сплава TiNi медицинского назначения [Текст] : научное издание / М. А. Севостьянов, Е. О. Насакина, А. Г. Колмаков. - Москва : Интерконтакт Наука, 2018. - 198 с. : ил., рис. - Библиогр.: с. 175-196 (281 назв.). - ISBN 978-5-902063-56-8 (в пер.) : 390.00 р.

УДК

669

Рубрики: химическая технология--металлургия

Кл.слова (ненормированные):
сплавы -- титановые сплавы -- никелид титана -- механические свойства -- коррозионная стойкость -- наноструктурирование -- биологическая совместимость -- ионная имплантация -- биосовместимые материалы
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Насакина, Е. О.
Колмаков, А. Г.
Найти похожие

Готра, З. Ю.
Технология микроэлектронных устройств [Текст] : справочник / З. Ю. Готра. - М. : Радио и связь, 1991. - 528 с. : ил. ; 23см. - 4.00,60.00 р.

ГРНТИ	47.03.05
УДК	621.382.049.77.002(083)

ББК 32.844

Рубрики: Электроника--Микроэлектронная аппаратура

Кл.слова (ненормированные):
монокристаллические материалы -- полупроводниковые материалы -- диффузия -- ионная имплантация -- тонкие пленки -- фотошаблоны -- микроэлектронные устройства
Аннотация: Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких плёнок, литографии, сборке и герметизации. Значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надёжности при изготовлении микроэлектронных устройств. Для инженерно-технических работников, мастеров и квалифицированных рабочих, занимающихся производством МЭУ.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Оборудование ионной имплантации [Текст] / Л. А. Корнилов [и др.]. - М. : Радио и связь, 1988. - 184 с. : ил. ; 22 см. - ISBN 5-256-00007-1 : 0.70 р.

ГРНТИ	47.13.11
УДК	621.382.049.77.002:621.7/9.048+621.793.18

ББК 32.84

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
ионные двигатели -- ионная имплантация -- системы сканирования -- вакуумная откачка -- послеимплантационные методы измерения
Аннотация: Систематизированы сведения о свойствах, параметрах и устройствах современного оборудования ионной имплантации. Изложены принципы автоматизации оборудования.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Корнилов, Л. А.
Шашелев, А. В.
Шокин, Е. В.
Симонов, В. В.
Найти похожие

МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов [Текст] : научное издание / под ред. П. Антонетти [и др.] ; пер. с англ.: В. Л. Кустова, В. М. Петрова, О. В. Селляховой. - М. : Радио и связь, 1988. - 496 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5-256-00130-2 : 4.10 р.

ГРНТИ	47.14.07
УДК	621.382.049.771

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
технология БИС и СБИС -- диффузия в кремнии -- ионная имплантация -- оптическая литография -- моделирование топографии
Аннотация: Книга представляет собой сборник лекций, прочитанных известными специалистами из многих стран на симпозиуме по математическому моделированию технологических процессов изготовления кремниевых интегральных схем и электрических характеристик их основных элементов-МОП-транзисторов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Антонетти, П.
Антониадис, Д.
Даттон, Р.
Оулдхем, У.
Кустов, В. Л.
Петров, В. М.
Селляхова, О. В.
Найти похожие

Физика магнитных материалов [Текст] : сб. науч. трудов / отв. ред. Д. Д. Мишин. - Калинин : КГУ, 1985. - 141 с. : ил. ; 21см. - 1.30 р.

ГРНТИ	47.09.35
УДК	621.318.1:53

Рубрики: Электротехника--Магнитные материалы

Кл.слова (ненормированные):
металлические пленки -- магнитные величины -- магнитные материалы -- ионная имплантация -- термическая обработка -- феррит-гранатовые пленки -- спинволновая модель -- намагничивание(физ.) -- сплавы никеля
Аннотация: Статьи посвящены теоретическим и экспериментальным исследованиям кристаллической структуры,а также физических свойств современных магнитных материалов с учетом перспектив их практического использования в различных отраслях народного хозяйства.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Мишин, Д. Д.
Найти похожие

Технология СБИС [Текст] : в 2 кн. / под ред. С. Зи ; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. - М. : Мир, 1986.Кн. 1. - 1986. - 404 с. : ил. ; 23см. - Библиогр.: с. 400-402. - 3.00 р.

ГРНТИ	47.33.31
УДК	621.382.049.77.002

ББК 31.233

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--СБИС

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- СБИС -- кремниевые ИС -- монокристаллы кремния -- эпитаксиальные слои -- осаждение пленок -- термическое окисление -- окисление -- диффузия -- ионная имплантация -- геттерирование -- литография
Аннотация: Освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, диффузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикронными размерами элементов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Зи, С. \\ред.\\
Чистяков, Ю. Д. \\пер.\\
Найти похожие

10.

Технология СБИС [Текст] : в 2-х кн. / под ред. С. Зи; пер. с англ. под ред. Ю. Д. Чистякова. - М. : Мир, 1986. - 453 с. : ил. ; 23см. - 2.30 р.

ГРНТИ	47.33.31
УДК	621.382.049.771

ББК 31.233

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--СБИС

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- СБИС -- технология СБИС -- кремниевые ИС -- сухое травление -- металлизация -- металлизация ИС -- эпитаксия -- ионная имплантация -- диффузия -- окисление -- литография -- осаждение -- травление -- моделирование приборов -- топографирование -- герметизация -- герметизация
Аннотация: Освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС.В книге 2 рассмотрены вопросы ионно-плазменной технологии применительно к процессам удаления вещества,металлизации ИС,моделирования основных технологических процессов формирования ИС.Описаны основные технологические системы изготовления элементов СБИС,методы исследования и контроля технологических процессов,герметизация готовых ИС,тестирование и надежность готовых ИС.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Зи, С.
Найти похожие

11.

Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов [Текст] : последние достижения / Пер.с англ.;Под ред.Д.Миллера. - М. : Радио и связь, 1989. - 280 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5-256-00228-7 : 3.50 р.

ГРНТИ	47.33.29
УДК	621.382.001.57

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- полупроводниковые приборы -- моделирование приборов -- дискретизация -- трехмерное моделирование -- численное моделирование -- двухмерное моделирование -- тетраэдральные элементы -- метод Гуммеля и Шарфеттера -- субмикронные приборы -- гетеропереходы -- ионная имплантация -- МОП-транзистор -- горячие носители
Аннотация: Рассматриваются вопросы моделирования электрофизических характеристик приборов и технологических процессов.Большое внимание уделено используемым численным методам и описанию пакетов прикладных программ.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Миллер, Д.
Найти похожие

12.

Физико-химические аспекты технологии микро-и оптоэлектроники [Текст] : межвуз. сб. науч. тр. / отв. ред. Ю. П. Хухрянский ; Воронеж. политехн. ин-т. - Воронеж : ВПИ, 1991. - 133 с. ; 20см. - ISBN 5-230-04430-6 : 2.50 р.

ГРНТИ	47.33.37	47.33.33
УДК	621.382.049.77(06)

Рубрики: Электроника--Оптоэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- оптоэлектроника -- пленочные структуры -- полупроводники -- диэлектрики -- эпитаксия -- анизотропия -- гетероэпитаксия -- ионная имплантация -- легированные пьезоэлектрики -- тензорезисторы -- магнетронное распыление
Аннотация: Рассмотрены физико-химические процессы формирования пленочных структур на основе полупроводников и диэлектриков.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Хухрянский, Ю. П.
Найти похожие

13.

Тепло- и массообмен в технологии и эксплуатации электронных и микроэлектронных систем [Текст] : материалы междунар. школы-семинара / Ин-т тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова (Минск); ред. С. К. Погребня. - Минск : ИТИМО, 1990 - .
Ч. 2. - 1990. - 140 с. : ил. ; 20см. - 1.40 р.

ГРНТИ	47.59
УДК	621.396.6:536.24

Рубрики: Связь--Электронные системы--Микроэлектронные системы

Кл.слова (ненормированные):
связь -- электронные системы -- микроэлектронные системы -- теплообмен -- массообмен -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- ионная имплантация -- газофазное осаждение -- термообработка -- терморегуляция -- измерительная информация -- тепломассоперенов
Аннотация: Рассматриваются процессы молекулярно-лучевой эпитаксии, ионной имплантации, газофазного осаждения, термообработки и терморегуляции, алгоритмы обработки измерительной информации.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Погребня, С. К. \\ред.\\
Найти похожие

14.

Белый, А. В.
Структура и методы формирования износостойких поверхностных слоев [Текст] / А. В. Белый, А. В. Белый, Г. Д. Карпенко, Н. К. Мышкин. - М. : Машиностроение, 1991. - 208 с. : ил. ; 21 см. - ISBN 5-217-01411-3 : 3.00 р.

ГРНТИ	55.03.11
УДК	621.891+621.789

ББК 34.41

Рубрики: Детали машин--Трибология

Кл.слова (ненормированные):
машиностроение -- трибология -- износостойкость -- машиностроительные материалы -- трение -- фрикционная передача -- ионное легирование -- ионная имплантация -- высокопрочные материалы -- нанесение покрытий -- изнашивание -- диагностика изнашивания -- сопрягаемые поверхности
Аннотация: Рассмотрена проблема износостойкости с позиций теорий трения, материаловедения и технологии обработки материалов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Карпенко, Г. Д.
Мышкин, Н. К.
Найти похожие

15.

Аморфные сплавы [Текст] / А. И. Манохин [и др.]. - М. : Металлургия, 1984. - 160 с. ; 21 см. - 1.80 р.

ГРНТИ	61.35.31
УДК	666.018:539.213

Рубрики: Химическая промышленность--Стекольная промышленность

Кл.слова (ненормированные):
химическая промышленность -- сплавы -- стеклование -- диффузия -- кристаллизация -- аморфное состояние -- вязкость -- вакуумное напыление -- ионная имплантация -- лазерное глазурование -- метод молота -- метод наковальни -- выстреливание
Аннотация: Рассмотрены теоретические основы возникновения аморфной структуры, склонность металлов к образованию аморфной структуры и ее связь со структурой жидких металлов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Манохин, А. И.
Васильев, Б. С.
Ревякин, А. В.
Митин, Б. С.
Найти похожие

16.

Брюхов, В. В.
Повышение стойкости инструмента методом ионной имплантации [Текст] : моногр. / В. В. Брюхов ; Томский политехн. ун-т. - Томск : Изд-во НТЛ, 2003. - 120 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 111-118 (141 назв.). - ISBN 5-89503-181-1 : 50.00 р.

ГРНТИ	55.31
УДК	621.9.02

ББК 30.604.6

Рубрики: Станки и инструменты--Металлорежущий инструмент

Кл.слова (ненормированные):
станки -- инструменты -- металлорежущие инструменты -- режущий инструмент -- износостойкость -- ионная имплантация -- имплантированные инструменты
Аннотация: Рассмотрены современные способы повышения износостойкости металлорежущих инструментов, подробно описаны методы ионной имплантации, применяемое для него оборудование, результаты исследования свойств имплантированной поверхности и эксплуатационных показателей инструментов, подвергнутых имплантации. Даны рекомендации по выбору параметров режима ионной имплантации и повышению эффективности этого метода.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Найти похожие

17.

Мухин, В. С.
Формирование специальных свойств поверхности деталей летательных аппаратов [Текст] : учеб. пособие / В. С. Мухин ; Уфимский авиац. ин-т им. С. Орджоникидзе. - Уфа : УАИ, 1986. - 83 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 80-81 . - 0.15 р.

ГРНТИ	55.22.01.33
УДК	621.7/9(075.8)

Рубрики: Обработка материалов--Отделка поверхностей

Кл.слова (ненормированные):
ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТЕЙ ДЕТАЛЕЙ -- ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТЕЙ -- ЛЕТАТЕЛЬНЫЕ АППАРАТЫ -- НАПЫЛЕНИЕ ПОКРЫТИЙ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ВАКУУМНЫЕ ПОКРЫТИЯ -- ПЛАЗМЕННЫЕ ПОКРЫТИЯ -- ЛАЗЕРНАЯ ОБРАБОТКА
Аннотация: В пособии представлена классификация методов создания специальных свойств поверхности деталей и заготовок, а также дается характеристика методов, теоретические основы процессов, технологические аспекты, свойства поверхностей.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Найти похожие

18.

Физическая электроника [Текст] : тем. сб. науч. тр. высш. учеб. заведений Литов. ССР / Каунасский политехн. ин-т ; отв. ред. М. Домкус. - Вильнюс : Ред.-издат. совет М-ва высш. и сред. спец. образования Литов. ССР, 1980. - 159 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.00 р.

ГРНТИ	47.05
УДК	621.38

Рубрики: Электроника--Физическая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ИОННО-ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ -- ПРОЗРАЧНЫЕ СЛОИ -- МНОГОКОМПОЗИЦИОННЫЕ МИШЕНИ -- БОМБАРДИРОВКА ПОВЕРХНОСТИ ГЕРМАНИЯ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ТВЕРДЫЕ ТЕЛА
Аннотация: Рассмотрены основные фазы процессов вакуумного нанесения тонких пленок и покрытий в вакууме, способы и тенденции их образования; генерации молекулярного состояния вещества, переноса вещества от места генерации к поверхности конденсации и процесса взаимодействия молекулярного потока с поверхностью конденсации.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Домкус, М.
Найти похожие

19.

Красников, Г. Я.
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов [Текст] : научное издание / Г. Я. Красников. - 2-е изд., испр. - М. : Техносфера, 2011. - 800 с. : ил. ; 25 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-289-2 : 90.00 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- СУБМИКРОННЫЕ МОПТ -- ПОДЗАТВОРНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ -- ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ -- РЕНТГЕНОЛИТОГРАФИЯ -- ПОЛИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ЗАТВОРЫ -- ПОЛИЦИДНЫЕ ЗАТВОРЫ -- СТОК-ИСТОВЫЕ ОБЛАСТИ -- КОРОТКОКАНАЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ
Аннотация: В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов. Описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истовых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

20.

Перинская, И. В.
Мир материалов и технологий: ионно-лучевое конструирование материалов СВЧ микроэлектроники [Текст] : монография / И. В. Перинская, И. В. Родионов, В. В. Перинский ; Саратовский гос. техн. ун-т им. Гагарина Ю. А. - Саратов : ИЦ "Наука", 2016. - 244 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 214-217(35 назв.). - ISBN 978-5-9999-2709-5 : 80.00 р.

ГРНТИ	81.09	47.09
УДК	620.22+621.382.0023

ББК 30.3 + 32.85

Рубрики: Материаловедение

Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА -- ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- ИОННО-ЛУЧЕВОЕ КОНСТРУИРОВАНИЕ -- МИКРОПРИБОРЫ -- СВЧ УСТРОЙСТВА -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- КЛАСТЕРИЗАЦИЯ -- ИОННО-ЛУЧЕВАЯ ЗАЩИТА
Аннотация: Предлагается подход к решению проблемы технологии изготовления монолитно-интегральных схем СВЧ на арсениде галлия - отсутствию метода изготовления ИС СВЧ в одном технологическом цикле на основе единого физико-технического эффекта. Ионная инплантация в качестве базового метода позволяет осуществлять легирование, изоляцию, очистку поверхности, литографию, пассивацию в одной технологической установке в вакууме, необходимые операции изготовления активных и пассивных элементов ИС СВЧ. Монография посвящена разработке физических основ ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов водорода, галлия при создании субмикронных изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и эпитаксиальных структурах, имплантации ионов гелия, аргона в металлические слои ИС СВЧ; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии легирования и изоляции. Предложены ионно-модифицированные варианты безрезистной литографии изготовления СВЧ полевых транзисторов, металлических резисторов и межслойных конденсаторов, датчиков; способы ионно-лучевой защиты поверхности микроэлектронных изделий от внешних и химических воздействий, ионно-модифицированные аналоги драгоценных металлов для монолитных СВЧ устройств.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Родионов, И. В.
Перинский, В. В.
Найти похожие

1-20 21-23

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)