| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :9
 В других БД по вашему запросу найдено:ЭБС "ЛАНЬ" (1)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ЭФФЕКТ ГАННА<.>)
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9
1.

    Ефимов, И. Е.
    Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность [Текст] : учеб. пособие для вузов / И. Е. Ефимов, Ю. И. Горбунов, И. Я. Козырь. - М. : Высшая школа, 1977. - 416 с. : ил. ; 22см. - 1.30 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
эффект Ганна -- фотолитография -- локальная диффузия -- ионное легирование -- металлизация -- изготовление ИМС -- контроль качества -- надежность -- испытание ИМС -- полупроводниковые диоды -- полевые транзисторы -- тиристоры
Аннотация: В книге изложены физические и технологические основы полупроводниковой и пленочной микроэлектроники, основы работы активных элементов в ИМС; рассмотрены конструктивно-технологические особенности, материалы и элементы конструкции ИМС, их структурные элементы, процессы изготовления ИМС, контроль качества ИМС при изготовлении, испытания микросхем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Горбунов, Ю. И.
Козырь, И. Я.
Найти похожие

2.

    Левинштейн, М. Е.
    Знакомство с полупроводниками [Текст] / М. Е. Левинштейн. - М. : Наука, 1984. - 240 с. ; 21см. - (Б-ка "Квант" ; вып.33). - 0.40 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 22.37

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
физика -- электричество -- проводимость -- полупроводники -- полупроводниковые приборы -- компенсаторы -- терморезисторы -- тензорезисторы -- фоторезисторы -- эффект Холла -- эффект Ганна
Аннотация: В книге в увлекательной форме рассказывается о физике полупроводников, об истории открытия и изучения полупроводников.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)
Найти похожие

3.

   
    Арсенид галлия [Текст] : труды международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США = Gallium arsenide : Proceedings of the International Symposium organized by The Institute of Physics and The Physical Society in co-operation with The Avionics Laboratory of the U. S. Air Force / под ред. А. А. Визеля. - М. : Советское радио, 1972. - 304 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.83 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ЭПИТАКСИАЛЬНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ -- ЛАЗЕРЫ -- ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ -- ПРИБОРЫ СВЧ -- ЭФФЕКТ ГАННА -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ДИОДЫ
Аннотация: Труды посвящены актуальным проблемам: получение чистого GaAs и эпитаксиальных пленок; методы конструирования, свойства и деградация светодиодов и инжекционных лазеров; технология изготовления, конструкции и параметры СВЧ смесительных диодов с барьером Шоттки, параметрических и умножительных диодов и генераторов на эффекте Ганна.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Визель, А. А.
Найти похожие

4.

   
    Новые методы полупроводниковой СВЧ- электроники [Текст] : эффект Ганна и его применение ; сб. статей / пер. с англ.: Ю. И. Рогозина, В. П. Сондаевского ; под ред. В. И. Стафеева. - М. : Мир, 1968. - 376 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр. в конце разд. - 1.37 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ЭФФЕКТ ГАННА -- ГЕНЕРАТОРЫ БОЛЬШОЙ МОЩНОСТИ -- КОЛЕБАНИЯ ТОКА -- ПОЛУПРОВОДНИКИ
Аннотация: Сборник переводных статей содержит изложение принципов работы генераторов Ганна, важнейшие экспериментальные исследования эффекта Ганна и описание его практических применений.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Рогозин, Ю. И.
Сондаевский, В. П.
Стафеев, В. И.
Найти похожие

5.

    Конуэлл, Э.
    Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях [Текст] / Э. Конуэлл ; пер. с англ. А. Ф. Волкова, А. Я. Шульмана ; под ред. И. Б. Левинсона, Ю. К. Пожелы = High field transport in semiconductors / E. M. Conwell : научное издание. - М. : Изд-во "Мир", 1970. - 384 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце глав. - 1.93 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
НОСИТЕЛИ ТОКА -- ЭФФЕКТ ГАННА -- УРАВНЕНИЯ БОЛЬЦМАНА -- СИЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОЛЯ -- ЗАКОН СОХРАНЕНИЯ ЭНЕРГИИ
Аннотация: Книга посвящена электропроводности полупроводников в сильных электрических полях. Рассматриваются также другие кинетические явления в полупроводниках, связанные с действием сильных электрических полей. Особенностью книги является подробное сопоставление теоретических и экспериментальных данных для конкретных полупроводниковых материалов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Волков, А. Ф.
Шульман, А. Я.
Левинсон, И. Б.
Пожела, Ю. К.
Найти похожие

6.

    Шур, М. С.
    Эффект Ганна [Текст] : научное издание / М. С. Шур. - Л. : Энергия, 1971. - 78 с. : ил. ; 20 см. - (Б-ка по радиоэлектронике ; вып. 29). - 0.25 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Проводимость

Кл.слова (ненормированные):
ЭФФЕКТ ГАННА -- ГЕНЕРАТОРЫ СВЧ -- СТАБИЛИЗАТОР ТОКА -- МЕЖДОЛИННЫЙ ПЕРЕХОД -- ДОМЕН СИЛЬНОГО ПОЛЯ
Аннотация: В книге описывается физический механизм эффекта Ганна - эффекта, на основе которого созданы объемные полупроводниковые приборы, в том числе наиболее мощные генераторы СВЧ на твердом теле. В ней рассматриваются также связанные с ганновской генерацией физические эффекты, различные ганновские приборы и возможности их практического применения.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

7.

    Ефимов, И. Е.
    Микроэлектроника [Текст] : проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника: учеб. пособие для вузов / И. Е. Ефимов. - 2-е изд., перераб. и доп. - Москва : Высшая школа, 1987. - 416 с. : ил. - Библиогр.: с. 411-412; Предм. указ.: с. 413-414. - 1.40 р.
ББК 32.844

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
БИС -- ИМС -- МДП-ИМС -- СВЧ-ИМС -- акустоэлектроника -- аналогово-цифровые -- аналоговые коммутаторы -- биополярные интегральные микросхемы -- биополярные транзисторы -- биоэлектроника -- гибридные интегральные микросхемы -- диоды -- диффузионные резисторы -- диэлектрическая электроника -- инжекционная логика -- инженерное проектирование -- криоэлектроника -- магнетоэлектроника -- микроЭВМ -- микропроцессоры -- микросхемы -- микроэлектроника -- молекулярная электроника -- оптоэлектроника -- пленочные конденсаторы -- пленочные проводники -- пленочные резисторы -- подложки СВЧ-ИМС -- полупроводниковые конденсаторы -- полупроводниковые микросхемы -- пособия для вузов -- приборы с зарядовой связью -- топология ИМС -- функциональная микроэлектроника -- хемотроника -- цифровые интегральные микросхемы -- эффект Ганна
Аннотация: В книге рассмотрены особенности разработки, принципы расчета и проектирования различных классов ИМС и БИС для анализа элементной базы современной микроэлектроники и важнейших видов ИМС, приведена методика расчета надежности ИМС.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)
Найти похожие

8.

    Гершунский, Борис Семенович.
    Основы электроники и микроэлектроники [Текст] / Б. Б. Гершунский. - 4-е изд., перераб. и доп. - Киев : Выща школа, 1989. - 424 с. : ил. - 50.00 р.
Библиогр.: с. 417-419
ББК 32.85я723 + 32.844.1я723

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
акустоэлектроника -- биополярные транзисторы -- буквенно-цифровые индикаторы -- вариаторы -- варикапы -- выпрямительные диоды -- выпрямительные устройства -- высокочастотные диоды -- генераторы синусоидальных колебаний -- гетеропереход -- гибридные интегральные микросхемы -- диэлектрическая электроника -- избирательные усилители -- импульсные диоды -- имс -- колебательные цепи -- криоэлектроника -- линейные интегральные микросхемы -- логические интегральные микросхемы -- магнетоэлектроника -- микроэлектроника -- обратная связь -- оптические явления -- оптоэлектроника -- переход Шоттки -- полевые транзисторы -- полупроводники -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые интегральные микросхемы -- полупроводниковые резисторы -- преобразователи -- р-п-переход -- светодиоды -- стабилизаторы -- схемотехника -- терморезисторы -- транзисторы -- туннельные диоды -- туннельный эффект -- усилители -- устройства отображения информации -- фоторезисторы -- фотоэлектрические явления -- хемотроника -- электронно-лучевые трубки -- электроны -- эффект Ганна -- эффект Холла
Аннотация: В учебнике изложены основные сведения о современных и наиболее перспективных элементах и узлах технической электроники.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)
Найти похожие

9.

    Шалимова, Клавдия Васильевна.
    Физика полупроводников [Текст] : учеб. для студентов вузов / К. В. Шалимова. - 2-е изд., перераб. и доп. - Москва : Энергия, 1976. - 390, [1] с. : ил. - Предм. указ.: с. 412-417. - 1.20 р.
    Содержание:
Полупроводники. Элементарная теория электропроводности . - С .7-21
Основы зонной теории полупроводников . - С .22-68
Колебания атомов кристаллической решетки . - С .69-91
Статистика электронов и дырок в полупроводниках . - С .92-130
Рассеяние электронов и дырок в полупроводниках . - С .131-153
Кинетические явления в полупроводниках . - С .154-198
Генерация и рекомбинация электронов и дырок . - С .199-223
Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда . - С .224-239
Контактные явления в полупроводниках . - С .240-281
Поверхностные явления в полупроводниках . - С .282-301
Поглощение света полупроводниками . - С .302-335
Люминисценция полупроводников . - С .336-356
Фотоэлектрические явления в полупроводниках . - С .357-377
ББК 22.3

Рубрики: Физика--Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
Уравнения Шредингера -- зонная теория -- зоны бриллюэна -- квазимпульсы -- кинетические уравнения -- колебания атомов -- полупроводники -- фотопроводимость -- функции распределения -- электропроводность -- эффект Ганна -- эффект Дембера
Аннотация: В книге изложены основные вопросы физики полупроводников.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)