Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

В текущей базе данных найдено документов :15

В других БД по вашему запросу найдено:

Электронный каталог (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ<.>)

Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 15

Боуэн, Д. К.
Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография [Текст] = High resolution X-RAY diffractometry and topography : монография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. - Санкт-Петербург : Наука, 2002. - 273, [7] с. : ил. - Библиогр. - ISBN 5-02-024963-7 (в пер.) : 105.00 р.

УДК

539.26:621.315.592

548.73

Рубрики: физика--физика твердого тела

химия--кристаллография

Кл.слова (ненормированные):
рентгеновская дифрактометрия -- дифрактометрия -- рентгеновская топография -- топография -- дифракция рентгеновских лучей -- высокоразрешающая дифрактометрия -- дефекты в кристаллах -- синхротронное излучение -- эпитаксиальные слои -- материаловедение -- тонкие пленки -- рассеяния теория
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Таннер, Б. К.

Найти похожие

Латышева, Екатерина Викторовна.
Резонансные СВЧ-методы многопараметровых измерений эпитаксиальных полупроводниковых структур с нанометровыми металлическими слоями [Рукопись] : диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03, 05.27.01 : защищена 18.11.2016 / Е. В. Латышева ; науч. рук.: Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль ; Федер. гос. бюджет. образоват. учреждение высш. образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского". - Саратов : [б. и.], 2016. - 127 л. : ил., табл. + 1 автореф. - Библиогр.: л. 104-127 (184 назв.) . - ISBN [Б. и.] (в пер.)
Приложение:
Резонансные СВЧ-методы многопараметровых измерений эпитаксиальных полупроводниковых структур с нанометровыми металлическими слоями : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03, 05.27.01 / Е. В. Латышева ; науч. рук.: Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль. - Саратов : [б. и.], 2016. - 22, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр 537.86(043.3)/Л 278

УДК

537.86(043.3)

621.382(043.3)

Рубрики: физика--электромагнетизм

радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые структуры -- СВЧ-методы -- волноводно-диэлектрический резонанс -- удельная электропроводность -- многопараметровые измерения -- нанометровые металлические слои -- фотонные кристаллы -- спектры отражения -- эпитаксиальные слои. - Приложение:Резонансные СВЧ-методы многопараметровых измерений эпитаксиальных полупроводниковых структур с нанометровыми металлическими слоями : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03, 05.27.01 / Е. В. Латышева ; науч. рук.: Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Усанов, Дмитрий Александрович
Скрипаль, Александр Владимирович
Найти похожие

Латышева, Екатерина Викторовна.
Резонансные СВЧ-методы многопараметровых измерений эпитаксиальных полупроводниковых структур с нанометровыми металлическими слоями [Текст] : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03, 05.27.01 / Е. В. Латышева ; науч. рук.: Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль ; Федер. гос. бюджет. образоват. учреждение высш. образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского". - Саратов : [б. и.], 2016. - 22, [1] с. : ил. - Библиогр.: с. 21-22 (18 назв.). - ISBN [Б. и.]
Издание является приложением к документу:
Резонансные СВЧ-методы многопараметровых измерений эпитаксиальных полупроводниковых структур с нанометровыми металлическими слоями : диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03 : защищена 18.11.2016, 05.27.01 / Е. В. Латышева ; науч. рук.: Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль. - Саратов : [б. и.], 2016. - 127. - ISBN [Б. и.]. Шифр 537.86(043.3)/Л 278

УДК

537.86(043.3)

621.382(043.3)

Рубрики: физика--электромагнетизм

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые структуры -- СВЧ-методы -- волноводно-диэлектрический резонанс -- удельная электропроводность -- многопараметровые измерения -- нанометровые металлические слои -- фотонные кристаллы -- спектры отражения -- эпитаксиальные слои. - Является приложением к Резонансные СВЧ-методы многопараметровых измерений эпитаксиальных полупроводниковых структур с нанометровыми металлическими слоями : диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03 : защищена 18.11.2016, 05.27.01 / Е. В. Латышева ; науч. рук.: Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль\par
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Усанов, Дмитрий Александрович
Скрипаль, Александр Владимирович
Найти похожие

Физика полупроводников и диэлектриков [Текст] : межвуз. сб. / отв. ред. В. П. Мушинский. - Кишинев : Штиинца, 1982. - 130 с. ; 21см. - 1.30 р.

ГРНТИ	29.19.31	29.19.33
УДК	537.311.33+537.2(06)

Рубрики: Физика--Полупроводники

Физика--Диэлектрики

Кл.слова (ненормированные):
физика -- полупроводники -- диэлектрики -- свет -- фотоэлектрические явления -- полупроводниковые кристаллы -- эпитаксиальные слои -- эпитаксиальные структуры -- оптические поглощения -- электрические явления -- фотоэлектрические свойства -- магнитное поле
Аннотация: Освещены результаты теоретических и экспериментальных работ по исследованию взаимодействия света с полупроводниками и диэлектриками. Много внимания уделено исследованию фотоэлектрических явлений в полупроводниковых кристаллах, слоях и эпитаксиальных структурах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Мушинский, В. П.
Найти похожие

Тилл, У.
Интегральные схемы [Текст] : материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Д. Лаксон ; пер. с англ. : М. Б. Левина, В. Г. Микуцкого ; под ред. М. В. Гальперина. - М. : Мир, 1985. - 501 с. : ил. ; 22см. - 2.40 р.

ГРНТИ	47.33.31
УДК	621.382.049.77

ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- технология интегральных схем -- кремний -- энергетические зоны -- свойства кристаллов -- дефекты кристаллов -- выращивание кристаллов -- зонная плавка -- фазовые диаграммы -- твердые растворы -- твердая растворимость -- диффузия -- ионное внедрение -- имплантация -- законы Фика -- эпитаксиальные слои -- эпитаксиальные пленки -- диоды -- биполярные транзисторы
Аннотация: Рассматриваются методы введения примесей в полупроводники, выращивания эпитаксиальных пленок. Излагается теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Подробно описываются процессы производства интегральных схем и их испытания.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Лаксон, Д.
Левин, М. Б.
Микуцкий, В. Г.
Гальперин, М. В.
Найти похожие

Технология СБИС [Текст] : в 2 кн. / под ред. С. Зи ; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. - М. : Мир, 1986.Кн. 1. - 1986. - 404 с. : ил. ; 23см. - Библиогр.: с. 400-402. - 3.00 р.

ГРНТИ	47.33.31
УДК	621.382.049.77.002

ББК 31.233

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--СБИС

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- СБИС -- кремниевые ИС -- монокристаллы кремния -- эпитаксиальные слои -- осаждение пленок -- термическое окисление -- окисление -- диффузия -- ионная имплантация -- геттерирование -- литография
Аннотация: Освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, диффузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикронными размерами элементов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Зи, С. \\ред.\\
Чистяков, Ю. Д. \\пер.\\
Найти похожие

Эпитаксиальные датчики Холла и их применение [Текст] / М. М. Мирзабаев, К. Д. Потаенко, В. И. Тихонов ; под ред. С. А. Азимова. - Ташкент : Фан, 1986. - 215 с. : ил. ; 22см. - 2.50 р.

ГРНТИ	47.29
УДК	621.385

Рубрики: Электроника--Датчики Холла

Кл.слова (ненормированные):
магнитная чувствительность -- эффект Холла -- эпитаксиальные слои -- гетероэпитаксиальные пленки -- бинарные соединения
Аннотация: Рассмотрены вопросы получения и исследования свойств эпитаксиальных пленок твердых растворов соединений А, В и перспективы их применения для гальваномагнитных преобразователей. Подробно освещены особенности эффекта Холла. Они вытекают из специфических свойств эпитаксиальных пленок, которые предназначены для изготовления датчиков Холла, используемых в магнитоизмерительных приборах и устройствах автоматики.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Мирзабаев, М. М.
Потаенко, К. Д.
Тихонов, В. И.
Азимов, С. А.
Найти похожие

Технология и аппаратура газовой эпитаксии кремния и германия [Текст] : научное издание / И. М. Скворцов [и др.]. - М. : Энергия, 1978. - 136 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 129-131. - 0.50 р.

ГРНТИ	45.09.31
УДК	621.315.592.002+621.382.002

Рубрики: Электротехника--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ГАЗОРАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ -- ЭПИТАКСИЯ КРЕМНИЯ -- ГАЗОВОЕ ТРАВЛЕНИЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- АВТОЛЕГИРОВАНИЕ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ
Аннотация: Рассмотрены вопросы эпитаксиальной технологии, требования к эпитаксиальным слоям кремния и германия, технологические приемы и аппаратура, обеспечивающие выполнение этих требований и получение эпитаксиальных слоев с заданными свойствами.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Скворцов, И. М.
Лапидус, И. И.
Орион, Б. В.
Кожитов, Л. В.
Найти похожие

Полупроводниковые структуры и системы контроля технологических процессов [Текст] / Кишиневский политехн. ин-т ; отв. ред. И. Ф. Клисторин. - Кишинев : Штиинца, 1982. - 141 с. ; 21 см. - 1.40 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.38.002(06)

Рубрики: Электроника--Электронные измерительные устройства

Кл.слова (ненормированные):
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ -- АКУСТИЧЕСКАЯ ЭМИССИЯ -- СПИНОВЫЕ ТЕОРИИ
Аннотация: Изучаются механизмы выращивания эпитаксиальных слоёв, перспективных для целей микро- и опто- электроники материалов и их свойства, разрабатываются аппаратные блоки и программные обеспечения автоматизированных систем контроля объектов и технологических процессов производства радиоэлектроники и приборостроения.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Клисторин, И.Ф.
Найти похожие

10.

Полупроводниковые структуры и электронные приборы контроля и управления [Текст] / Кишиневский политехн. ин-т ; отв. ред. И. Ф. Клисторин. - Кишинев : Штиинца, 1981. - 126 с. ; 21 см. - 1.30 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.38

Рубрики: Электроника--Электронные приборы

Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОЖИДКОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- ТЕЛЛУРИД СВИНЦА -- АВТОМАТИЗИРОВАННЫЕ СИСТЕМЫ КОНТРОЛЯ -- АНГАРМОНИЧЕСКИЕ ОСЦИЛЛЯТОРЫ -- АКУСТИЧЕСКАЯ ЭМИССИЯ
Аннотация: Представлены результаты исследований ряда полупроводниковых соединений, их твёрдых растворов и гетеропереходов в качестве материалов для приборных структур электроники.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Клисторин, И.Ф.
Найти похожие

11.

Мильвидский, М. Г.
Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений [Текст] : на примере арсенида галлия / М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин, Б. А. Сахаров. - М. : Металлургия, 1974. - 392 с. : ил. ; 22 см. - (Проблемы науки и технического прогресса). - Библиогр.: с. 382-389 (257 назв.). - 1.67 р.

ГРНТИ	45.09
УДК	621.315.592+621.382

ББК 621.315

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
СИСТЕМА ГАЛЛИЙ-МЫШЬЯК -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- ДИАГРАММЫ СИСТЕМ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ -- ВЫДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ -- СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ
Аннотация: На примере арсенида галлия рассмотрены природа и свойства различных состояний соединений и связи с особенностями фазовых диаграмм, межфазовые взаимодействия в системе соединение-примесь, получение монокристаллов и пленок разлагающихся соединений различными методами из жидкой и газовой фаз.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Пелевин, О. В.
Сахаров, Б. А.
Найти похожие

12.

Пьезополупроводниковые преобразователи и их применение [Текст] : научное издание / А. И. Морозов [и др.]. - М. : Энергия, 1973. - 153 с. : черт. ; 20 см. - Библиогр.: с. 142-151 (177 назв.). - 0.47 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.383

Рубрики: Электроника--Электронные приборы

Кл.слова (ненормированные):
ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЬЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ -- ПОВЕРХНОСТНЫЕ УПРУГИЕ ВОЛНЫ -- ОБЪЕМНЫЕ УПРУГИЕ ВОЛНЫ -- ПАРАМЕТРЫ ПЬЕЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ -- ВХОДНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ -- ВЫХОДНЫЕ СОПРОТИВЛЕНИЯ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ -- ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ПЬЕЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ -- ИЗГОТОВЛЕНИЕ ПЬЕЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ
Аннотация: В книге изложены вопросы изготовления, анализа работы и измерений параметров новых типов ультра- и гиперзвуковых пьезаполупроводниковых преобразователей объемных и поверхностных упругих волн. Приведены характеристики пьезопреобразователей и ультразвуковых устройств, созданных на их основе (ультразвуковых линий задержки, устройств оптимальной фильтрации, различных микрозвуковых элементов и т.д.)
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Морозов, А. И.
Проклов, В. В.
Станковский , Б. А.
Гингис, А. Д.
Найти похожие

13.

Федоров, Л. П.
Производство полупроводниковых приборов [Текст] : научное издание / Л. П. Федоров, В. М. Багров, Ю. Н. Тихонов ; под общ. ред. Л. А. Петрова. - М. : Энергия, 1979. - 432 с. : ил., граф., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 426-428 (57 назв.). - 1.60 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382.002

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- МЕХАНИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ -- ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ -- МЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ -- ТЕХНИКА БЕЗОПАСНОСТИ -- ГИГИЕНА ПРОИЗВОДСТВА -- ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ПРОИЗВОДСТВО -- СБОРКА ПРИБОРОВ
Аннотация: В книге приводятся сведения о способах и особенностях производства полупроводниковых приборов. Даны сведения о продукции полупроводниковых предприятий, основах технологической подготовки производства. Приведены необходимые сведения о применяемых материалах, типовых технологических процессах, технологической гигиене, технике безопасности.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Багров, В. М.
Тихонов, Ю. Н.
Петров, Л. А.
Найти похожие

14.

Физика деформируемых полупроводников [Текст] : межвуз. сб. науч. трудов / Новосибирский электротехн. ин-т ; под ред. В. С. Шадрина. - Новосибирск : НЭТИ, 1979. - 187 с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - 0.95 р.

ГРНТИ	29.19.31
УДК	537.311.322:539.37

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ПЬЕЗОСОПРОТИВЛЕНИЕ -- ДАТЧИКИ ДАВЛЕНИЯ -- МОСТОВЫЕ СХЕМЫ -- ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ
Аннотация: В сборнике рассмотрены статьи по физике деформируемых полупроводников, пьезосопротивление карбида кремния, тензоэффект, высокотемпературные датчики давления и т. д.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Шадрин, В. С.
Найти похожие

15.

Тилл, Уильям.
Интегральные схемы [Текст] : материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Дж. Лаксон ; пер. с англ. М. Б. Левина, В. Г. Микуцкого; ред. М. В. Нальперин. - Москва : Мир, 1985. - 501 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 496 - 501. - 02.40 р.

ББК 32.852

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
биполярные транзисторы -- диоды -- диффузия -- изготовление гибридных схем -- изготовление интегральных схем -- имплантация -- интегральные схемы -- ионное внедрение -- кристаллы -- литография -- полевые транзисторы -- твердые растворы -- технология интегральных схем -- толстопленочные схемы -- тонкопленочные схемы -- фазовые диаграммы -- цифровые логические элементы -- энергетические зоны -- эпитаксиальные слои
Аннотация: В книге американских специалистов рассматриваются методы введения примесей в полупроводники, выращивания эпитаксиальных пленок. Излагаются теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Подробно описываются процессы производства интегральных схем и их испытания.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)

Доп. точки доступа:
Лаксон, Джеймс
Левин, М. Б.
Микуцкий, В. Г.
Нальперин, М. В.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)