| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

   Харрисон, У.

    Электронная структура и свойства твердых тел [Текст] : в 2 т. / У. Харрисон ; пер. с англ. И. П. Ипатовой и Ю. Э. Китаева под ред. Ж. И. Алферова . - М. : Мир, 1983 - .
   Т.1 : Физика химической связи. - 1983. - 381 с. : ил. ; 21см. - 3.60 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 22.37

Рубрики: Физика--Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
физика -- физика молекул -- твердые тела -- электронная структура -- электронные свойства -- квантовохимический подход -- кристаллы -- электрические свойства -- оптические свойства -- упругие свойства -- атомы -- молекулы -- структура -- электронные состояния -- ковалентные кристаллы -- тетраэдрические кристаллы -- оптические спектры -- нелинейные свойства -- энергетические зоны -- полная энергия
Аннотация: Изложены современные представления об электронных свойствах твердых тел, основанные на квантовохимическом подходе. Представлены как учебный материал, так и новые простые и доступные методы расчета электрических, оптических и упругих свойств кристаллов. Книга выходит в 2-х томах. В т. 1 рассмотрена структура электронных состояний в атомах, молекулах и твердых телах, подробно обсуждаются ковалентные кристаллы.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Алферов, Ж.И. \\ред.\\
Ипатова, И. П. \\пер.\\
Китаев, Ю. Э. \\пер.\\
Найти похожие

2.

    Тилл, У.
    Интегральные схемы [Текст] : материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Д. Лаксон ; пер. с англ. : М. Б. Левина, В. Г. Микуцкого ; под ред. М. В. Гальперина. - М. : Мир, 1985. - 501 с. : ил. ; 22см. - 2.40 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- технология интегральных схем -- кремний -- энергетические зоны -- свойства кристаллов -- дефекты кристаллов -- выращивание кристаллов -- зонная плавка -- фазовые диаграммы -- твердые растворы -- твердая растворимость -- диффузия -- ионное внедрение -- имплантация -- законы Фика -- эпитаксиальные слои -- эпитаксиальные пленки -- диоды -- биполярные транзисторы
Аннотация: Рассматриваются методы введения примесей в полупроводники, выращивания эпитаксиальных пленок. Излагается теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Подробно описываются процессы производства интегральных схем и их испытания.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Лаксон, Д.
Левин, М. Б.
Микуцкий, В. Г.
Гальперин, М. В.
Найти похожие

3.

    Киреев, Петр Семенович.
    Физика полупроводников [Текст] : учеб. пособие для студентов вузов / П. С. Киреев. - 2-е изд., доп. - Москва : Высшая школа, 1975. - 584 с. : рис. - Предм. указ.: с. 577-581. - 1.37 р.
ББК 22.37

Рубрики: Физика--Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
зонная теория полупроводников -- полупроводники -- рекомбинация носителей заряда -- спектр поглощения света -- теория рассеяния носителей заряда -- фоторезистивный эффект -- электронная теория проводимости -- энергетические зоны
Аннотация: В книге рассматриваются элементы электронной теории проводимости и проводимости полупроводников; зонная теория на основе теории возмущения; статистика электронов и дырок; кинетические явления в полупроводниках; теория рассеяния, контактные и неравновесные явления на основе уравнения непрерывности; теории оптических и фотоэлектрических явлений в полупроводниках.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)
Найти похожие

4.

    Фаренбрух, А.
    Солнечные элементы: Теория и эксперимент [Текст] : пер. с англ. / А. Фаренбрух, Р. Бьюб ; под ред. М. М. Колтуна. - М. : Энергоатомиздат, 1987. - 280 с. : ил. ; 22см. - 3.40 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 31.252

Рубрики: Двигатели--Гелиоустановки

Кл.слова (ненормированные):
двигатели на солнечной энергии -- перенос -- граничные условия -- фотопроводимость -- фотоэлектромагнитный эффект -- релаксация -- электрон -- энергетические зоны -- двигатели на солнечной энергии -- кремниевые солнечные элементы -- зонная плавка -- легирующие примеси -- тонкие пленки -- поликристаллические пленки -- рекомбинация
Аннотация: Рассмотрены основные физические процессы, происходящие в полупроводниковых солнечных элементах при преобразовании солнечного излучения в электроэнергию. Представлены соотношения, позволяющие оптимизировать конструкцию и параметры солнечных элементов из кремния и арсенида галлия.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Бьюб, Р.
Колтун, М. М.
Найти похожие

5.

    Вайсбурд, Ф. И.
    Полупроводниковые приборы [Текст] : учеб. пособие / Ф. И. Вайсбурд. - М. : Связь, 1966. - 130 с. : ил., табл. ; 21 см. - 0.25 р.
Гриф: допущено М-вом связи СССР в качестве учеб. пособия по программированному обучению для техникумов связи
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛАМПЫ -- ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЕ ЗОНЫ -- КВАНТЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

6.

    Лузянин, Сергей Геннадьевич.
    Россия и Китай в Евразии. Международно-региональные измерения российско-китайского партнерства [Текст] / С. Г. Лузянин ; ред. В. Г. Ганшин ; Российская Академия Наук, Институт Дальнего Востока. - Москва : Форум, 2009. - 288 с. - Загл. обл. : Россия и Китай в Евразии. - Загл. на корешке : Россия и Китай в Евразии. - ISBN 978-5-8199-0391-9 : 404.91 р.
ББК 65.5

Рубрики: Экономика--Мировая экономика

   Евразия
    Россия

    Китай

    Иран

    Пакистан

    Монголия

    Индия

    Афганистан

    Кыргызстан

    Узбекистан

    Туркменистан

    Таджикистан

    Казахстан

Кл.слова (ненормированные):
безопасность -- институционализация -- международные экономические связи -- мировое экономическое сотрудничество -- мировые финансовые связи -- торговые связи -- экономическое сотрудничество -- энергетика -- энергетические зоны
Аннотация: В книге представлены ключевые международно-политические события начала XXI века, их влияние на российскую и китайскую политику, возможности и ресурсы российско-китайского стратегического партнерства в сферах безопасности, энергетического, торгово-экономического, транспортного сотрудничества в Центральной, Южной Азии, на Среднем Востоке, российском Дальнем Востоке и в Сибири, а также Монголии.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)


Доп. точки доступа:
Ганшин, В. Г.
Найти похожие

7.

    Тилл, Уильям.
    Интегральные схемы [Текст] : материалы, приборы, изготовление / У. Тилл, Дж. Лаксон ; пер. с англ. М. Б. Левина, В. Г. Микуцкого; ред. М. В. Нальперин. - Москва : Мир, 1985. - 501 с. : ил. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 496 - 501. - 02.40 р.
ББК 32.852

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
биполярные транзисторы -- диоды -- диффузия -- изготовление гибридных схем -- изготовление интегральных схем -- имплантация -- интегральные схемы -- ионное внедрение -- кристаллы -- литография -- полевые транзисторы -- твердые растворы -- технология интегральных схем -- толстопленочные схемы -- тонкопленочные схемы -- фазовые диаграммы -- цифровые логические элементы -- энергетические зоны -- эпитаксиальные слои
Аннотация: В книге американских специалистов рассматриваются методы введения примесей в полупроводники, выращивания эпитаксиальных пленок. Излагаются теория и свойства диодов, биполярных и полевых транзисторов. Подробно описываются процессы производства интегральных схем и их испытания.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)


Доп. точки доступа:
Лаксон, Джеймс
Левин, М. Б.
Микуцкий, В. Г.
Нальперин, М. В.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)