Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

В текущей базе данных найдено документов :15

В других БД по вашему запросу найдено:

ЭБС "ЛАНЬ" (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ<.>)

Общее количество найденных документов : 15
Показаны документы с 1 по 15

Викулин, Иван Михайлович.
Физика полупроводниковых приборов [Текст] / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. - Москва : Советское радио, 1980. - 296 с. : ил. - Библиогр.: с. 290-292. - Предм. указ.: с. 293-294. - 1 р.

ББК 32.85

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
биполярные транзисторы -- полевые транзисторы -- полупроводниковые датчики -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые приборы -- приборы с объемной связью -- свч диоды -- электронно-дырочные переходы
Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением, с зарядовой связью, с инжекционным питанием, полупроводниковых датчиков. Даны выводы основных теоретических соотношений, определяющих их параметры. Описание принципов действия приборов сопровождается соображениями по выбору оптимальных конструкций.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)

Доп. точки доступа:
Стафеев, Виталий Иванович
Найти похожие

Расчет силовых полупроводниковых приборов [Текст] / П. Г. Дерменжи [и др.] ; под ред. В. А. Кузьмина. - М. : Энергия, 1980. - 184 с. : ил. ; 20см. - 0.55 р.

ГРНТИ	47.33.29
УДК	621.382

ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- полупроводниковые приборы -- силовые приборы -- диоды -- тиристоры -- конструкция тиристоров -- электронно-дырочные переходы -- переходные процессы -- допустимые режимы
Аннотация: Рассматривается связь между электрическими характеристиками и параметрами силовых полупроводниковых приборов-диодов и тиристоров и физической структурой прибора; анализируется взаимосвязь основных параметров.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Дерменжи, П. Г.
Кузьмин, В. А.
Крюкова, Н. Н.
Мамонов, В. И.
Кузьмин, В. А.
Найти похожие

Овечкин, Ю. А.
Полупроводниковые приборы [Текст] : учеб. пособие для вузов / Ю. А. Овечкин. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Высшая школа, 1979. - 279 с. : ил. ; 20см. - 0.85 р.

ГРНТИ	47.33.01.33
УДК	621.382(075)

ББК 32.844

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- полупроводниковые приборы -- электронно-дырочные переходы -- полупроводниковые диоды -- биполярные транзисторы -- тиристоры -- полевые транзисторы -- термоэлектрические полупроводниковые приборы -- магнитоэлектрические полупроводниковые приборы -- полупроводниковые тензометры -- варисторы -- интегральные микросхемы
Аннотация: Рассматриваются физические основы работы полупроводниковых приборов различных типов и классов. Приводятся основные параметры и характеристики приборов, а также принципы управления ими. Кратко рассмотрены конструктивное оформление полупроводниковых приборов, технология их изготовления и области применения. Даны сведения по микроэлектронике. Для студентов вузов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Бобров, И. И.
Физические основы электроники [Текст] : учеб. пособие / И. И. Бобров ; Пермский гос. техн. ун-т. - 2-е изд., перераб. и доп. - Пермь : Перм. гос. техн. ун-т, 2005. - 190 с. ; 21 см. - Библиогр.: с. 186. - 36.00 р.
Гриф : утв. РИС ун-та в качестве учеб. пособия

ГРНТИ	47.33.01.33
УДК	621.382(075.8)

ББК 32.85

Рубрики: Электроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- полупроводники -- полупроводниковые приборы -- интегральные микросхемы -- диоды -- электронно-дырочные переходы -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы -- тиристоры -- оптоэлектроника -- фотодиоды
Аннотация: Рассмотрены физические основы проводимости полупроводников, физика полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, основные свойства, характеристики и параметры распространенных полупроводниковых приборов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Найти похожие

Агаханян, Т. М.
Основы транзисторной электроники [Текст] : научное издание / Т. М. Агаханян. - М. : Энергия, 1974. - 256 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 251-254. - 1.08 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382.3

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая техника -- полупроводники -- электронные процессы -- электронно-дырочные переходы -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы -- эквивалентные схемы
Аннотация: Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Черкашина, А. Г.
Элементы автоматики на варикапах [Текст] : научное издание / А. Г. Черкашина. - М. : Энергия, 1968. - 80 с. : ил., рис., граф. ; 20 см. - (Б-ка по автоматике ; вып. 297). - Библиогр.: с. 79-80. - 0.26 р.

ГРНТИ	50.09
УДК	621-523+621.319.491

Рубрики: Автоматика--Устройства автоматики

Кл.слова (ненормированные):
НЕЛИНЕЙНЫЕ ЕМКОСТНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ -- ДРОССЕЛЬ -- КОНДЕНСАТОРЫ -- ДУАЛЬНЫЕ НЕЛИНЕЙНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ -- ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- МОДУЛЯТОРЫ -- ТРИГГЕРНЫЕ УСТРОЙСТВА -- RC-ГЕНЕРАТОР
Аннотация: Рассматриваются схемы низкочастотных усилителей, RC-генераторов, модуляторов и триггеров на варикапах с использованием в качестве последних преимущественно кремниевых и микросплавных диодов, серийно выпускаемых отечественной электронной промышленностью. Описывается принцип действия этих схем, приводятся их характеристики и основы расчета.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Маслов, А. А.
Электронные полупроводниковые приборы [Текст] : научное издание / А. А. Маслов. - М. ; Л. : Госэнергоиздат, 1960. - 184 с. : черт. ; 20 см. - Библиогр.: с. 184. - 4.90 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.385

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ -- УСИЛИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРИОДЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Маслов, А. А.
Электронные полупроводниковые приборы [Текст] : научное издание / А. А. Маслов. - 2-е изд., перераб. - М. : Энергия, 1967. - 400 с. : черт. ; 21 см. - Библиогр.: с. 393-394 (22 назв.). - 1.12 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ТВЕРДЫЕ СХЕМЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ФОТОПРИБОРЫ -- ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- НАДЕЖНОСТЬ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Полупроводниковые кремниевые диоды и триоды, технология производства [Текст] : научное издание / Г. А. Зеликман [и др.]. - М. ; Л. : Изд-во "Энергия", 1964. - 184 с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 176-184. - 0.50 р.

УДК

621.382

Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ТРИОДЫ -- ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ВЫРАЩИВАНИЕ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Аннотация: В книге рассмотрены способы создания электронно-дырочных переходов и контактов в кремневых диодах и транзисторах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Зеликман, Г. А.
Мазель, Е. З.
Пресс, Ф. П.
Фронк, С. В.
Найти похожие

10.

Горюнов, Н. Н.
Возможности транзисторной электроники [Текст] : научное издание / Н. Н. Горюнов, А. Ю. Клейман. - М. : Знание, 1970. - 47 с. : ил., граф. ; 22 см. - (Новое в жизни, науке и технике. Вып. 9, Радиоэлектроника и связь). - Библиогр.: с. 46. - 0.09 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382.3

Рубрики: Электроника--Транзисторы

Кл.слова (ненормированные):
ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ТРАНЗИСТОРНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
Аннотация: Полупроводниковая электроника, а точнее транзисторная электроника открыла возможности создания разнообразных систем переработки информации и перспективы совершенствования процессов управления, автоматизации многих функций, считавшихся исключительно принадлежностью интеллектуальной деятельности человека.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Клейман, А. Ю.
Найти похожие

11.

Технология полупроводниковых материалов [Текст] = Transistor technology : научное издание / пер. с англ. под ред. М. И. Иглицына. - М. : Оборонгиз, 1961. - 313 с. : ил., табл. ; 23 см. - 1.57 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.

ГРНТИ	47.09
УДК	621.385+669.7

Рубрики: Электроника--Материалы электронной техники

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА -- КОЭФФИЦИЕНТЫ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ -- ЗОННАЯ ПЛАВКА -- ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- ПОЛУЧЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ -- ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ТЕРМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА -- ЦЕНТРЫ РЕКОМБИНАЦИИ -- КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА
Аннотация: В книге изложены основы современной технологии полупроводниковых материалов - германия и кремния. Наряду с теоретическими основами получения однородных и совершенных монокристаллов с заданными физическими свойствами, рассмотрены основные свойства полупроводниковых материалов, распределение примесей в кристаллах, методы выращивания и очистки монокристаллов, а также применяемая аппаратура.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Иглицын, М. И.
Найти похожие

12.

Яковчук, Н. С.
Плоскостные транзисторы [Текст] : научное издание / Н. С. Яковчук, В. Е. Челноков, М. П. Гейфман. - Л. : Судпромгиз, 1961. - 263 с. : ил., граф., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 259-261 (57 назв.). - 0.93 р.
Прил.: с. 254-258

ГРНТИ	47.33
УДК	621.385.3

Рубрики: Электроника--Электронные приборы

Кл.слова (ненормированные):
ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ПЛОСКОСТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭМИТТЕРЫ -- МНОГОКАСКАДНЫЕ УСИЛИТЕЛИ -- ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ СХЕМЫ -- ГЕНЕРАТОРЫ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ТРАНЗИСТОРНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ СХЕМЫ -- СУДОВЫЕ ПРИБОРЫ
Аннотация: В книге изложены общие вопросы физики процессов, протекающих в электронно-дырочном переходе и плоскостном транзисторе. Подробно освещены основы расчета различных электронных схем на плоскостных транзисторах. Приводятся также описание некоторых судовых приборов с применением транзисторов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Челноков, В. Е.
Гейфман, М. П.
Найти похожие

13.

Физика электронно-дырочных переходов и полупроводниковых приборов [Текст] : научное издание / Физико-техн. ин-т (Ленинград) ; отв. ред.: С. М. Рывкин, Ю. В. Шмарцев. - Л. : Наука, 1969. - 355 с. : ил. ; 26 см. - Библиогр. в конце ст. - 2.12 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР -- ФОТОСОПРОТИВЛЕНИЯ -- КВАНТОВЫЙ ГЕНЕРАТОР
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Рывкин, С. М.
Шмарцев, Ю. В.
Найти похожие

14.

Лысов, В. Ф.
Практикум по физике полупроводников [Текст] : учеб. пособие / В. Ф. Лысов. - М. : Просвещение, 1976. - 207 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 204-206 (68 назв.). - 0.61 р.
Гриф: допущено М-вом просвещения СССР в качестве учеб. пособия для студ. физико- мат. фак. пед. ин-тов

ГРНТИ	29.19.31.01.33
УДК	537.311.332(07)

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ -- ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ -- ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ -- ЭФФЕКТ ХОЛЛА -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ
Аннотация: В пособии изложены основные вопросы физики полупроводников и полупроводниковых приборов, методы исследования полупроводниковых материалов и принципы действия наиболее распространенных полупроводниковых приборов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

15.

Викулин, И. М.
Физика полупроводниковых приборов [Текст] / И. М. Викулин, В. И. Стафеев. - 2-е изд., перераб. и доп. - Москва : Радио и связь, 1990. - 264 с. : ил. - Библиогр.: с. 261-262. - 50.00 р.

ББК 32.852

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
СВЧ-диоды -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые приборы -- электронно-дырочные переходы
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)

Доп. точки доступа:
Стафеев, В. И.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)