Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=УРОВЕНЬ ФЕРМИ<.>)

Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5

Гаврилов, Р. А.
Основы физики полупроводников [Текст] : учеб. пособие / Р. А. Гаврилов, А. М. Скворцов. - М. : Изд-во "Машиностроение", 1966. - 288 с. : ил., табл. ; 22 см. - Библиогр.: с. 285-286 (57 назв.). - 0.76 р.
Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для техникумов

ГРНТИ	29.19.31
УДК	537.3

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
СТРОЕНИЕ ТВЕРДЫХ ТЕЛ -- МАГНЕТОН БОРА -- СТРОЕНИЕ АТОМА -- СВОЙСТВА ГЕРМАНИЯ -- КРЕМНИЙ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- СООТНОШЕНИЯ ЭЙНШТЕЙНА
Аннотация: В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происходящие при очистке и выращивании монокристаллов полупроводниковых материалов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Скворцов, А. М.
Найти похожие

Блекмор, Д.
Статистика электронов в полупроводниках [Текст] / Д. Блекмор ; под ред. Л. Л. Коренблита = Semiconductor statistics / J. S. Blakemore : пер. с англ. - М. : Изд-во "Мир", 1964. - 392 с. : ил., табл. ; 22 см. - Библиогр. в конце глав. - 1.73 р.
Тит. л. парал. загл. на англ. яз.

ГРНТИ	29.19.31
УДК	537.3

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
МОДЕЛЬ ЗОММЕРФЕЛЬДА -- ЗОНЫ БРИЛЛЮЭНА -- ТЕОРИЯ ТВЕРДЫХ ТЕЛ -- УРАВНЕНИЕ ШРЕДИНГЕРА -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ
Аннотация: В книге рассмотрена статистика носителей тока в полупроводника. Основное внимание уделено обсуждению различных механиков рекомбинации свободных электронно-дырочных пар и рассмотрены процессы диффузии и дрейфа носителей тока.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Коренблит, Л. Л.
Найти похожие

Полякова, А. Л.
Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов [Текст] : научное издание / А. Л. Полякова. - М. : Энергия, 1979. - 168 с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 160-165 (109 назв.). - 0.50 р.

ГРНТИ	29.19.31	47.33.29
УДК	537.31+621.382:539.37

Рубрики: Физика--Полупроводники

Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
БАРЬЕР ШОТТКИ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ДИОДЫ -- МЕХАНИЧЕСКИЕ ВЕЛИЧИНЫ -- НЕОДНОРОДНАЯ ДЕФОРМАЦИЯ
Аннотация: В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций, как однородных, так и неоднородных. Рассмотрено влияние этих деформаций на электрические характеристики полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, туннельных диодов, диодов с барьером Шоттки и др.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Саморуков, Б. Е.
Дефекты полупроводников [Текст] : учеб. пособие / Б. Е. Саморуков ; Ленинградский ордена Ленина политехн. ин-т им. М. И. Калинина. - Л. : ЛПИ, 1977. - 72 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 71 (26 назв.). - 0.25 р.

ГРНТИ	29.19.31.01.33
УДК	537.311.33:548.4(075)

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ДЕФЕКТЫ -- ТЕПЛОВЫЕ КОЛЕБАНИЯ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- ДИСЛОКАЦИИ
Аннотация: Пособие посвящено дефектам полупроводников. Рассмотрены тепловые, электронные и точечные дефекты кристаллов. особое внимание уделено примесям и основам легирования полупроводников.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Найти похожие

Мямлин, В. А.
Электрохимия полупроводников [Текст] : монография / В. А. Мямлин, Ю. В. Плесков ; Ин-т электрохимии (Москва). - М. : Изд-во "Наука", 1965. - 338 с. : ил., рис., табл. ; 22 см. - Библиогр. в конце глав. - 1.61 р.

ГРНТИ	29.19.31	31.15.33
УДК	539.293:541.13

Рубрики: Физика--Полупроводники

Химия--Электрохимия

Кл.слова (ненормированные):
ФИЗИЧЕСКИЕ ЗНАНИЯ -- ЭЛЕКТРОЛИТЫ -- АДСОРБЦИЯ -- ЭЛЕКТРОДНЫЕ РЕАКЦИИ -- КИНЕТИКА -- КОРРОЗИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- УРОВЕНЬ ФЕРМИ -- ЭЛЕКТРОДЫ
Аннотация: Эта книга монография возникла на основе исследования монокристаллических полупроводниковых материалов. В настоящей книге не рассматриваются поликристаллические полупроводники, в частности, окислые пленки полупроводникового характера на вентильных металлах (алюминии, тантале и других), поскольку вопрос о применимости к ним основных представлений электрохимии монокристаллических полупроводников остается открытым.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Плесков, Ю. В.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)