Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>KL=СВОЙСТВА ТОНКИХ СЛОЕВ<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Полевые транзисторы. Физика, технология и применения [Текст] = Field-effect transistors. Physics, Technology and Applicatications : научное издание / пер. с англ. под ред. С. А. Майорова. - М. : Советское радио, 1971. - 374 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 369-371. - 1.74 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОВЕРХНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ПРОВОДИМОСТЬ СЛОЕВ -- СВОЙСТВА ТОНКИХ СЛОЕВ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- КОЭФФИЦИЕНТ ШУМА -- РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ -- ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЛИНЕЙНЫЕ СХЕМЫ -- ЦИФРОВЫЕ СХЕМЫ
Аннотация: В книге рассматриваются важные вопросы теории, конструирования и применения полевых транзисторов, в том числе физика поверхности полупроводников, физика диэлектриков, структура и рост пленок двуокиси кремния, тонкопленочный транзистор и его применение в интегральных схемах, использование полевого транзистора в усилительных и цифровых схемах. Особое внимание уделяется конструированию интегральных схем, в которых применение полевых транзисторов кажется наиболее перспективным.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Майоров, С. А.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)