| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>KL=РЕЛАКСАЦИЯ ЗАРЯДА<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

   
    Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем [Текст] : материалы III Всесоюз. научно-техн. семинара, Рязань 14-16 июня 1984 г. / Рязанский радиотехн. ин-т ; отв. ред. П. Т. Орешкин. - Рязань : РРТИ, 1985. - 175 с. : ил. ; 19 см. - Библиогр. в конце ст. - 0.80 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
РЕЛАКСАЦИЯ ЗАРЯДА -- СПЕКТРОСКОПИЯ -- НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ШУМ -- НАДЕЖНОСТЬ ДИОДОВ -- ГЛУБОКИЕ ЦЕНТРЫ -- АНОДНОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Аннотация: В сборнике рассмотрены пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем, явление резонансной релаксации заряда в физических барьерных слоях, установки резонансной спектроскопии глубоких центров, диоды Шоттки, фотоэлектрические свойства биполярного транзистора и др. вопросы.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Орешкин, П. Т.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)