| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОРЕЗИСТОРЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

    Филачев, А. М.
    Твердотельная фотоэлектроника [Текст] : фоторезисторы и фотоприемные устройства : учеб. пособие / А. М. Филачев, И. И. Таубкин, М. А. Тришенков. - М. : Физматкнига, 2012. - 368 с. : ил. ; 24 см. - Библиогр.: с. 362-363 (33 назв.). - ISBN 978-5-89155-210-4 : 120.00 р.
Гриф: рек. УМО вузов Рос. Федерации по образованию в обл. приборостроения и оптотехники в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обучающихся по направлениям подгот.: 200400 - Оптотехника; 200500 - Лазерная техника и лазерные технологии; 200700 - Фотоника и оптоинформатика
ГРНТИ
УДК
ББК 32.854

Рубрики: Электроника--Фотоэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОРЕЗИСТОРЫ -- ФОТОРЕЗИСТОРЫ -- ФОТОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА -- ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ -- ОПТИЧЕСКИЙ СИГНАЛ -- ФОТОПРИЕМНИКИ -- МАТРИЧНЫЕ ФОТОПРИЕМНИКИ
Аннотация: В предлагаемом вниманию читателей учебном пособии детально и с минимальным количеством отсылок к другим источникам рассмотрены физические явления в полупроводниковых фоторезисторах и принципы построения микроэлектронных фотоприемных устройств. Описаны монокристаллические и поликристаллические фоторезисторы, изготовленные на основе кремния и германия, халькогенидов свинца и кадмия, антимонида индия и кадмий-ртуть-теллура, квантово-размерных структур. Рассмотрены структуры, схемотехнические и конструктивные особенности интегральных и гибридных фотоприемных устройств, в том числе матричных формирователей сигналов изображения. Приведены основные характеристики промышленных фоторезисторов и фотоприемных устройств, чувствительных в различных спектральных диапазонах оптического излучения — от ультрафиолетового до инфракрасного.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Таубкин, И. И.
Тришенков, М. А.
Найти похожие

2.

    Мартюшов, К. И.
    Технология производства резисторов [Текст] : учеб. пособие / К. И. Мартюшов, Ю. В. Зайцев. - М. : Изд-во "Высшая школа", 1972. - 312 с. : ил., граф., табл., черт. ; 20 см. - Библиогр.: с. 309-311 (75 назв.). - 0.91 р.
Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обуч. по спец. "Полупроводники и диэлектрики"
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Резисторы

Кл.слова (ненормированные):
ПРОИЗВОДСТВО РЕЗИСТОРОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ -- ВАРИСТОРЫ -- ТИПЫ РЕЗИСТОРОВ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ФОТОРЕЗИСТОРЫ
Аннотация: В книге излагаются основы технологии производства различных типов резисторов: постоянных и переменных, чувствительных к температуре, электромагнитному излучению, к напряжению; рассматриваются свойства и характеристики материалов; приведены параметры основных типов резисторов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Зайцев, Ю. В.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)