Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: (<.>KL=ПОЛИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ЗАТВОРЫ<.>)

Общее количество найденных документов : 1

Красников, Г. Я.
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов [Текст] : научное издание / Г. Я. Красников. - 2-е изд., испр. - М. : Техносфера, 2011. - 800 с. : ил. ; 25 см. - Библиогр. в конце глав. - ISBN 978-5-94836-289-2 : 90.00 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
МОП-ТРАНЗИСТОРЫ -- СУБМИКРОННЫЕ МОПТ -- ПОДЗАТВОРНЫЕ ДИЭЛЕКТРИКИ -- ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ -- ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ -- ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ЛИТОГРАФИЯ -- РЕНТГЕНОЛИТОГРАФИЯ -- ПОЛИМЕТАЛЛИЧЕСКИЕ ЗАТВОРЫ -- ПОЛИЦИДНЫЕ ЗАТВОРЫ -- СТОК-ИСТОВЫЕ ОБЛАСТИ -- КОРОТКОКАНАЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ
Аннотация: В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов. Описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истовых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)