| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :10
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (2)
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=МДП-структуры<.>)
Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10
1.

    Бормонтов, Е. Н.
    Физика и метрология МДП-структур [Текст] : учеб. пособие / Е. Н. Бормонтов. - Воронеж : Изд-во Воронеж. ун-та, 1997. - 184 с. - ISBN 5-85815-024-1 : 23.00 р.
УДК
537.311.322(75.8)

Рубрики: физика--физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- металлы -- диэлектрики -- МДП-структуры -- квантовые свойства
Аннотация: Рассмотрена классификация поверхностных электронных состояний, дано введение в феноменологическую теорию поверхности полупроводников и описание основных характеристик приповерхностной области пространственного заряда полупроводника. Излагаются физические основы теории структур металл- диэлектрик- полупроводник, методы анализа равновесных характеристик и неравновесных процессов, свойства и методики исследования реальных МДП- систем.
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие
2.

    Руководство к практическим занятиям по курсу "Методы исследования полупроводниковых материалов, приборов и ИМС" [Текст] : учеб. пособ. - Саратов : Б. и.
   Ч. 1. - [1980]. - 39, [1] c. : ил. - Библиогр. - ISBN Б. и. : 10.00 р.
УДК
621.315.592(076.5)

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые материалы -- МДП-структуры -- ширина запрещенной зоны
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского
Найти похожие
3.

   
    Конструирование и технология микросхем [Текст] : учебник / под ред. Л. А. Коледова. - М. : Высшая школа, 1984. - 231 с. : ил. ; 22см. - 0.70 р.
ГРНТИ
43.03.05.01.33
47.14.07.01.33
УДК
621.382.049.77.001.63(075.8)
ББК 32.844

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
микропроцессорная техника -- ИМС -- МДП-структуры -- МДП-транзисторы -- ГИС -- ЭВМ
Аннотация: В книге приведены данные об элементах и компонентах, материалах и технологии производства, конструктивно-технологических ограничениях и правилах разработки топологии интегральных микросхем; рассмотрены методы обеспечения их надежности, влагостойкости, тепловых режимов и др.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Коледов, Л. А.
Найти похожие
4.

    Войцеховский, А. В.
    Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников [Текст] / А. В. Войцеховский. - Томск : Радио и связь, 1990. - 328 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5-256-00498-0 : 3.50 р.
ГРНТИ
45.09.31
УДК
621.315.5
ББК 32.854.2

Рубрики: Электротехника--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
электротехника -- полупроводники -- МДП-структуры -- полупроводниковые соединения -- электрическое поле -- магнитное поле -- оптическое излучение -- электронное облучение -- фотоприемные устройства
Аннотация: Рассмотрены физические основы работы МДП-структур из узкозонных полупроводниковых соединений,используемых в качестве фоточувствительных элементов приемников ИК-диапазона спектра. Значительное внимание уделено электрофизическим,фотоэлектрическим, шумовым и рекомбинационным характеристикам МДП-структур. Проанализировано влияние ионизирующей реакции,оптического излучения,термического и полевого воздействий на основные параметры полупроводниковых структур.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие
5.

    Зуев, В. А.
    Фотоэлектрические МДП-приборы [Текст] : научное издание / В. А. Зуев. - М. : Радио и связь, 1983. - 160 с. : ил. ; 20см. - 0.45 р.
ГРНТИ
47.29.31
УДК
621.383
ББК 32.854

Рубрики: Электроника--Фотоэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- фотоэлектроника -- фотоэлектрические приборы -- фотоэлектрические явления -- фоторезисторы -- фотодиоды -- фотоварикап -- фотоэлементы -- оптоэлектроника -- МДП-структуры -- фототранзисторы -- фотопамять
Аннотация: Изложены физические основы различных МДП-фотопреобразователей: фоторезисторов,фотодиодов и фотоэлементов,фотоварикапов, фототранзисторов и систем записи оптической информации.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие
6.

    Румак, Н. В.
    Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах [Текст] / Н. В. Румак ; под ред. В. М. Колешко ; Физико-технич. ин-т (Минск) . - Минск : Наука и техника, 1986. - 240 с. : ил. ; 21см. - Библиогр.: с. 219. - 1.80 р.
ГРНТИ
47.33.31
УДК
621.382.002

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--МОП-структуры

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- МДП-структуры -- полупроводниковые приборы -- пороговое напряжение -- окисные пленки -- многослойные структуры -- окисление кремния -- кремниевые пластины -- экзоэлектронная эмиссия -- пленки
Аннотация: Систематизированны современные представления по теории и практике применения систем кремний-двуокись кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на МОП- структурах.Обсуждаются физические механизмы роста пленок двуокиси кремния на кремнии,образования в них характерных дефектов и заряда. Установлены закономерности изменения электрофизических свойств системы кремний-двуокись кремния при выращивании окисных слоев и нанесении на поверхность оксила металлических пленок.Показана их связь со структурными превращениями окисла в переходном слое вблизи кремния.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Колешко, В. М.
Найти похожие
7.

    Селютин, В. А.
    Автоматизированное проектирование топологии БИС [Текст] : научное издание / В. А. Селютин. - М. : Радио и связь, 1983. - 112 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 106-112 (109 назв.). - 0.40 р.
ГРНТИ
47.33
УДК
621.382.049.77
ББК 32.844

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--БИС

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- БИС -- топология -- фотошаблоны -- трассировка -- матричные БИС -- МДП-структуры
Аннотация: Дается систематизированное изложение задач и методов автоматизированного проектирования топологии и разработки фотошаблонов интегральных микросхем. Особое внимание уделяется решению с помощью ЭВМ задач размещения компонентов и трассировки соединений микросхем повышенной степени интеграции. Приводятся примеры реализации. Освещаются основные тенденции развития систем автоматизированного проектирования топологии интегральных микросхем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие
8.

    Голубев, В. В.
    МДП-структуры и их применение [Текст] : учеб. пособие / . В. Голубев, С. А. Сухотин ; С.-Петерб. гос. техн. ун-т (Санкт-Петербург) . - СПб. : СПбГТУ, 1993. - 80 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 80. - 60.00 р.
ГРНТИ
47.33.01.33
УДК
621.382(075.8)

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые приборы -- МДП-структуры -- МДП-транзисторы -- МОП-транзистор -- МДП-фотоприемников
Аннотация: Изложены физические основы работы МДП-структур в различных режимах (обогащения, обеднения, инверсии) и принципы действия приборов на их основе (МДП-транзисторов, устройств памяти, ПЗС и ПЗИ-приборов, лавинных МДП-фотоприемников).
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Сухотин, С. А.
Найти похожие
9.

   Зи, С. М.
    Физика полупроводниковых приборов [Текст] : в двух книгах / С. М. Зи. - Москва : Мир, 1984.
   Кн. 1 / С. Зи ; ред. Р. А. Сурис ; пер. с англ. В. А. Гергеля, В. В. Ракитина. - 2-е изд., перераб. и доп. - 1984. - 456 с. : ил. - Библиогр.: с. 450-453. - 2.20 р.
ББК 32.85

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
МДП-структуры -- МОП-структуры -- биополярные приборы -- гетеропереход -- диак -- зонные диаграммы -- монографии -- полевые транзисторы -- полупроводники -- полупроводниковые приборы -- приборы с зарядовой связью -- р-п-переход -- свойства полупроводников -- свч-транзисторы -- схемные функции -- тиристоры -- транзисторы -- триак -- униполярные приборы -- эффект шоттки
Аннотация: Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. Кн. 1 посвящена физике биополярных приборов (диодов, транзисторов, тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисоров с р-п- переходом и барьером Шоттки).
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)


Доп. точки доступа:
Сурис, Р. А.
Гергель, В. А.
Ракитин, В. В.
Найти похожие
10.

    Физика полупроводников и полупроводниковая электроника [Текст] : межвуз. науч. сб. - Саратов : Издательство Саратовского национального государственного университета имени Н. Г. Чернышевского.
   Вып. 12 : Физические процессы в полупроводниках, диэлектриках и структурах на их основе. - 1987. - 124 с. - 1.10 р.
ББК 22.379

Рубрики: Физика--Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
МДП-структуры -- МТДП-структуры -- СВЧ-датчики -- СВЧ-импульс -- Холла эффект -- Шоттки барьер -- барьер Шоттки -- высокочистый германий -- гальваническое осаждение -- гармонический метод -- гетероконтакты -- диэлектрики -- диэлектрическая подложка -- диэлектрическая проницаемость -- ионная имплантация -- комплексная проводимость -- контраст изображений -- коэффициенты диффузии примесей -- кремний -- локальные измерения -- металлические пленки -- метод жидкофазной эпитаксии -- некрологи -- оптические волноводы -- оптический метод -- поверхностные дефекты -- полупроводники -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковые упорядоченные среды -- профиль легирования -- профиль легирования базы -- пьезоэлектрические пленки -- термодинамическое равновесие -- ударная ионизация -- фотоэлектрический свойства -- электролиты -- электросопротивление -- эпитаксиальные структуры -- эффект Холла
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)



Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)