| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

    Игумнов, Д. В.
    Транзисторы в микрорежиме [Текст] : научное издание / Д. В. Игумнов, И. Ф. Николаевский. - М. : Советское радио, 1978. - 136 с. : ил. ; 21 см. - 0.35 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Транзисторы

Кл.слова (ненормированные):
ВОЛЬТ-АМПЕРНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА -- МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ТРАНЗИСТОРНЫЙ КЛЮЧ
Аннотация: Рассматриваются вольт-амперные характеристики и основные параметры биполярных и полевых транзисторов в микрорежиме.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Николаевский, И.Ф.
Найти похожие

2.

    Тихомиров, В. С.
    Стабилизация режима и параметров транзисторного каскада [Текст] : научное издание / В. С. Тихомиров. - М. : Энергия, 1969. - 80 с. : ил. ; 21 см. - (Массовая радиобиблиотека ; вып. 699). - 0.22 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- СТАТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ -- ПИТАНИЕ ЦЕПЕЙ -- МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ -- ПАРАМЕТРЫ ТРАНЗИСТОРНОГО КАСКАДА
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

3.

   
    Кремниевые планарные транзисторы [Текст] : научное издание / В. Г. Колесников [и др.] ; ред. Я. А. Федотов. - М. : Советское радио, 1973. - 336 с. : ил., граф., табл., черт. ; 21 см. - Библиогр.: с. 323-333 (250 назв.). - 1.51 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Транзисторы

Кл.слова (ненормированные):
ПЛАНАРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ -- МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ -- ИМПУЛЬСНЫЕ СВОЙСТВА ТРАНЗИСТОРОВ -- СВЧ ТРАНЗИСТОРЫ -- ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Аннотация: В книге изложены основы планарной технологии и законы распределение примесей в транзисторах. Описаны особенности переходных процессов и методы повышения пробивных напряжений.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Колесников, В. Г.
Никишин, В. И.
Сыноров, В. Ф.
Петров, Б. К.
Федотов, Я. А.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)