Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ<.>)

Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7

Маллер, Р.
Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ.: Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - М. : Мир, 1989. - 630 с. : ил. ; 22см. - ISBN 5-03-001100-5 : 3.20, 92.00 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382.049.77

ББК 32.85

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- дырки -- доноры -- акцепторы -- дрейфовая скорость -- подвижность -- рассеяние -- диффузионный ток -- магнитный датчик -- эффект Холла -- кремниевые приборы -- выращивание монокристаллов -- термическое окисление -- фотолитография -- перенос рисунков -- диффузия -- ионное легирование
Аннотация: Изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Кейминс, Т.
Мазель, Е. З.
Ходош, Л. С.
Найти похожие

Генераторы прямого преобразования тепловой и химической энергии в электрическую [Текст] / Всесоюз. ин-т науч. и техн. информ. (Москва). - М. : ВИНИТИ, 1974 - 1989.
Т. 9 : Солнечные элементы и батареи / науч. ред. М. М. Колтун. - М., 1989. - 144 с. : ил. ; 21 см. - (Итоги науки и техники). - Библиогр.: с.118-142. - Б. ц.

ГРНТИ	44.41.29
УДК	621.352+621.362

Рубрики: Электротехника--Химические источники тока

Кл.слова (ненормированные):
ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- КАСКАДНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ СИСТЕМЫ -- МЕТРОЛОГИЯ ЭЛЕМЕНТОВ -- СОЛНЕЧНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСТВО
Аннотация: Описываются важнейшие достижения быстроразвивающейся техники фотоэлектрического преобразования солнечной энергии за последние десятилетие; приводятся результаты лабораторных исследований, направленных на повышение КПД и радиационной стойкости, а также на снижение стоимости солнечных элементов; рассматриваются конструирование и применение наземных фотоэлектрических энергоустановок, а также проблемы эксплуатации, достижения и перспективы космических электрогенераторов на основе солнечных батарей.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Колтун, М. М.
Найти похожие

Технология ионного легирования [Текст] : научное издание / под ред. С. Намбы, П. В. Павлова ; пер. с яп. В. Ф. Овчарова. - М. : Советское радио, 1974. - 158 с. : ил. ; 16 см. - Библиогр.: с. 140-156 (244 назв.). - 0.51 р.

ГРНТИ	47.09
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ -- ЛЕГИРОВАНИЕ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
Аннотация: Рассматриваются методы получения кремниевых полупроводниковых приборов с помощью ионного легирования, а также ионное легирование сложных полупроводниковых материалов. Подробно излагаются методы измерения электрических характеристик полупроводниковых приборов, полученных ионным легированием. Книга написана в простой и доступной форме.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Намба, С.
Павлов, П. В.
Овчаров, В. Ф.
Найти похожие

Мазель, Е. З.
Планарная технология кремниевых приборов [Текст] : научное издание / Е. З. Мазель, Ф. П. Пресс. - М. : Энергия, 1974. - 384 с. : черт. ; 20 см. - Библиогр.: с. 368-382. - 1.27 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Электронные приборы

Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- ДИОДЫ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ПЛАНАРНЫЕ ТЕХНОЛОГИИ -- ПЛАНАРНЫЕ ПРИБОРЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ -- ФОТОЛИТОГРАФИЯ -- ЭПИТАКСИЯ
Аннотация: Рассматриваются процессы, лежащие в основе планарной технологии изготовления кремниевых приборов - диодов, транзисторов и интегральных схем. Подробно излагаются вопросы, связанные с важнейшими операциями планарного технологического процесса: подготовкой кремниевых пластин, созданием маскирующих и пассивирующих слоев на их поверхности, диффузией, фотолитографией и эпитаксией.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Пресс, Ф. П.
Найти похожие

Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением [Текст] : сб. пер. статей / под ред. С. А. Гаряинова. - М. ; Л. : Госэнергоиздат, 1962. - 240 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.16 р.

УДК

621.385

Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОРНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ТИРАТРОНЫ -- ДИОДЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ
Аннотация: В сборнике "Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением" приводятся переводы статей, посвященных вопросам теории, технологии изготовления и конструирования полупроводниковых приборов, на статической или динамической вольт-амперной характеристике которых имеется участок с отрицательным сопротивлением.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Гаряинов, С. А.
Найти похожие

Файнштейн, С. М.
Обработка и защита поверхности полупроводниковых приборов [Текст] : научное издание / С. М. Файнштейн. - 3-е изд., перераб. - М. : Энергия, 1970. - 296 с. : ил., граф., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 286-295 (300 назв.). - 0.97 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТИ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ТЕХНИКА -- ЗАЩИТА ПОВЕРХНОСТИ -- ГЕРМАНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ПРИБОРЫ
Аннотация: В книге рассмотрены физические параметры поверхности полупроводников и методы их определения. Большое внимание уделено обработке поверхности и происходящим при этом процессам, влиянию обработки поверхности в пазовой фазе на свойства полупроводниковых приборов и методам защиты поверхности, связанным с созданием стабильных характеристик германиевых и кремниевых приборов - одной из наиболее актуальных проблем современной полупроводниковой техники.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Маллер, Р.
Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ. Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - Москва : Мир, 1989. - 630 с. : ил. - 3.20 р.

ББК 32.844.1

Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника

Кл.слова (ненормированные):
ИС -- МОП-транзисторы -- биополярные транзисторы -- интегральные схемы -- кремниевые приборы -- полупроводники -- рп-переход
Аннотация: В книге американских специалистов изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)

Доп. точки доступа:
Кейминс, Т.
Мазель, Е. З.
Ходоша, Л. С.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)