| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>KL=ВАЛЕНТНЫЕ КРИСТАЛЛЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

   Хауффе, К.

    Реакции в твердых телах и на их поверхности [Текст] / К. Хауффе ; пер. с нем. А. Б. Шехтер. - М. : Изд-во иностр. лит., 1962.
   Ч. 1. - М., 1962. - 415 с. : ил. ; 26 см. - Библиогр. в конце глав. - Б. ц.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Химия--Химия твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ -- ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА -- КРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ТВЕРДЫЕ ТЕЛА -- ИОННЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- ВАЛЕНТНЫЕ КРИСТАЛЛЫ -- ХЕМОСОРБЦИЯ ГАЗОВ -- ДИФФУЗИОННЫЕ ПРОЦЕССЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ КОНТАКТЫ
Аннотация: Изложена теория ионного и электронного разупорядочения кристаллических тел и рассмотрены связанные с этим вопросы электропроводности и диффузии, а также электрические явления в граничном слое. Преимущественное внимание уделено ионным и валентным кристаллам. Подробно изложены основы теории граничного слоя и ее применение к вопросам адсорбции и катализа. Содержится обширный материал по влиянию дефектов структуры и примесей на электронные свойства полупроводников.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Шехтер, А. Б. \\пер. с нем. \\
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)