| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=БИПОЛЯРНЫЕ МИКРОСХЕМЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

    Агаханян, Т. М.
    Радиационные эффекты в интегральных микросхемах [Текст] / Под.ред.Т.М.Агаханяна. - М. : Энергоатомиздат, 1989. - 256 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5-283-02963*8 : 3.20 р.
Библиогр.234 назв.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- биполярные транзисторы -- униполярные транзисторы -- биполярные микросхемы -- интегральные микросхемы -- ионизирующие излучения -- радиационный эффект -- ядерное приборостроение
Аннотация: Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМС в полях ионизирующих излучений. Проанализированы радиационные эффекты в цифровых и аналоговых ИМС общего назначения и рассмотрено радиационное поведение БИС.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Аствацатурьян, Е. Р.
Скоробогатов, П. К.
Найти похожие

2.

    Першенков, В. С.
    Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем [Текст] / В. С. Першенков, В. Д. Попов, А. В. Шальнов. - М. : Энергоатомиздат, 1988. - 256 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5-283-02942-5 : 2.80 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
диэлектрик-полупроводник -- радиационный эффект -- биполярные микросхемы -- ионизирующие излучения -- электроника
Аннотация: Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл-диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Попов, В. Д.
Шальнов, А. В.
Найти похожие

3.

    Белоус, А. И.
    Биполярные микросхемы для интерфейсов систем автоматического управления [Текст] / А. И. Белоус, О. Е. Блинков, А. В. Силин. - Л. : Машиностроение, 1990. - 272 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5217009217 : 18.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.965

Рубрики: Вычислительная техника--Архитектура вычислительных машин

   Электроника--Микроэлектроника


Кл.слова (ненормированные):
биполярные микросхемы -- вспомогательное оборудование -- запоминающие устройства -- микросхемы -- микро-ЭВМ
Аннотация: Представлены данные по наиболее распространенным стандартным интерфейсам и интерфейсным биполярным микросхемам для организации внутримодульных и межблочных соединений, устройств ввода-вывода, блоков памяти и интерфейсов микро-ЭВМ. Рассмотрены их архитектурные и схемотехнические решения, функциональные возможности, система электрических параметров, временные диаграммы работы, вопросы организации линий связи, особенности электрического согласования микросхем ТТЛ, ЭСЛ, ТТЛШ.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Блинков, О. Е.
Силин, А. В.
Найти похожие

4.

   
    Действие проникающей радиации на изделия электронной техники [Текст] / В. М. Кулаков, Е. А. Ладыгин, В. И. Шаховцев ; под ред. Е. А. Ладыгина. - М. : Советское радио, 1980. - 224 с. : ил. ; 25см. - 1.20 р.
Прилож.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.85

Рубрики: Электроника--Электронная техника

Кл.слова (ненормированные):
проникающая радиация -- электронная техника -- полупроводниковые диоды -- полупроводниковые приборы -- интегральные микросхемы -- полупроводниковые фотопреобразователи -- конденсатор -- резисторы -- радиокомпоненты -- электроника -- биполярные микросхемы -- транзисторы
Аннотация: Изложены результаты отечественных и зарубежных исследований радиационных эффектов в различных изделиях электронной техники.Рассматриваются физические механизмы радиационных повреждений,природа и свойства радиационных дефектов в материалах и изделиях электронной техники.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Кулаков, В. М.
Ладыгин, Е. А.
Шаховцев, В. И.
Ладыгин, Е. А.
Найти похожие

5.

    Устюжанинов, В. Н.
    Радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах [Текст] : научное издание / В. Н. Устюжанинов, А. З. Чепиженко. - М. : Радио и связь, 1989. - 144 с. : ил. ; 21см. - (Массовая б-ка инженера "Электроника"). - ISBN 5-256-00254-6 : 0.55 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.844.1

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- микроэлектроника -- радиационные эффекты -- биполярные микросхемы -- интегральные микросхемы -- отказы -- физические процессы -- радиационные среды -- ионизирующие излучения -- корпускулярные излучения -- квантовые излучения -- эффекты смещения -- аналоговые микросхемы -- цифровые микросхемы -- ионизационные эффекты
Аннотация: Рассматриваются радиационные эффекты в биполярных интегральных микросхемах, возможные нарушения работоспособности, виды и механизмы отказов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Чепиженко, А. З.
Найти похожие

6.

    Чахмахсазян, Е. А.
    Математическое моделирование и макромоделирование биполярных элементов электронных схем [Текст] / Е. А. Чахмахсазян, Г. П. Мозговой, В. Д. Силин. - М. : Радио и связь, 1985. - 144 с. : ил. ; 21см. - 0.50 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Электронные схемы

Кл.слова (ненормированные):
электронные схемы -- математическое моделирование -- макромоделирование -- биполярные микросхемы -- полупроводниковые элементы -- транзисторы -- выпрямительные диоды -- стабилитроны -- туннельные диоды -- цифровые схемы -- биполярные транзисторы -- дискретные модели
Аннотация: Рассмотрены модели биполярных полупроводниковых элементов широкого применения для машинного анализа электронных схем. Даны физические основы моделирования, сравнительная оценка различных нелинейных моделей транзистора.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Мозговой, Г. П.
Силин, В. Д.
Найти похожие

7.

   
    Адаптация, динамика, прочность и информационное обеспечение систем-73 [Текст] : сборник / Тольяттинский политехн. ин-т ; ред.: Ю. Л. Деветериков, Ж. С. Равва, Ю. С. Ройтбург. - Куйбышев : Куйбышев. кн. изд-во, 1974. - 408 с. : ил., рис., табл. ; 27 см. - Библиогр. в конце ст. - 3.73 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: АВТОМАТИКА--СЛОЖНЫЕ СИСТЕМЫ

Кл.слова (ненормированные):
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ -- ВОДОЗАБОРНЫЕ СКВАЖИНЫ -- АНАЛИЗАТОРЫ -- БИПОЛЯРНЫЕ МИКРОСХЕМЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- КОДОВЫЕ ДАТЧИКИ -- ЗУБЧАТЫЕ МЕХАНИЗМЫ -- НЕЛИНЕЙНЫЕ ДИНАМИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ
Аннотация: Предлагаемый сборник статей отражает некоторые из научных направлений "Адаптация", "Динамика", "Прочность". Материалы сборника представляют интерес для широкого круга научно-технических работников промышленности, конструкторских бюро и научно-исследовательских учреждений, а также для студентов соответствующих специальностей.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Деветериков, Ю. Л.
Равва, Ж. С.
Ройтбург, Ю. С.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)