| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=интегральные приборы<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

    Бубенников, А. Н.
    Моделирование интегральных микротехнологий,приборов и схем [Текст] : учеб. пособие для вузов / А.Н.Бубенников. - М. : Высшая школа, 1989. - 320 с. : ил. ; 20см. - ISBN 5-06-000123-7 : 1.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.844.1

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
БИС -- интегральные микротехнологии -- приборы -- схемы -- интегральная электроника -- полупроводниковые структуры -- интегральные приборы
Аннотация: Рассмотрены математические модели интегральных микротехнологий,приборов и схем;описаны основные принципы построения моделей;технологических,физико-топологических,схемных,элементно-фрагментных и методы идентификации их параметров;рассмотрены основы математического обеспечения численного расчета БИС.Для студ.вузов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

2.

    Федотов, Я. А.
    Полупроводниковая электроника, год 2001-й [Текст] : научное издание / Я. А. Федотов. - М. : Советское радио, 1975. - 104 с. : ил. ; 20 см. - (Советско-венгерская б-ка по радиоэлектронике). - 0.20 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ -- ДИСКРЕТНЫЕ ПРИБОРЫ -- ДОМЕННАЯ НЕУСТОЙЧИВОСТЬ -- ЖИДКИЕ КРИСТАЛЛЫ -- ОПТОЭЛЕКТРОНИКА
Аннотация: Рассмотрены физические и технические проблемы и направления полупроводниковой электроники. Оцениваются перспективы использования различных физических эффектов для создания полупроводниковых дискретных и интегральных приборов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)