Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ШУМ<.>)

Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2

Пряников, В. С.
Прогнозирование отказов полупроводниковых приборов [Текст] : научное издание / В. С. Пряников. - М. : Энергия, 1978. - 112 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 105-110. - 0.30 р.

ГРНТИ	47.14.07
УДК	621.382.019.3

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ДЕФЕКТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ -- НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ШУМ -- ДОЛГОВЕЧНОСТЬ ТРАНЗИСТОРОВ -- ОТКАЗЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Аннотация: Рассмотрены физические процессы, обусловливающие низкочастотный шум и отказы полупроводниковых приборов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем [Текст] : материалы III Всесоюз. научно-техн. семинара, Рязань 14-16 июня 1984 г. / Рязанский радиотехн. ин-т ; отв. ред. П. Т. Орешкин. - Рязань : РРТИ, 1985. - 175 с. : ил. ; 19 см. - Библиогр. в конце ст. - 0.80 р.

ГРНТИ	47.01.13
УДК	621.37/39:06

Рубрики: Электроника--Микроэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
РЕЛАКСАЦИЯ ЗАРЯДА -- СПЕКТРОСКОПИЯ -- НИЗКОЧАСТОТНЫЙ ШУМ -- НАДЕЖНОСТЬ ДИОДОВ -- ГЛУБОКИЕ ЦЕНТРЫ -- АНОДНОЕ ОКИСЛЕНИЕ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
Аннотация: В сборнике рассмотрены пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем, явление резонансной релаксации заряда в физических барьерных слоях, установки резонансной спектроскопии глубоких центров, диоды Шоттки, фотоэлектрические свойства биполярного транзистора и др. вопросы.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Орешкин, П. Т.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)