| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=КРЕМНИЕВЫЕ ТРИОДЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

   
    Полупроводниковые управляемые вентили [Текст] : сб. перевод. ст. / под ред.: В. Г. Комара, В. А. Лабунцова. - М. ; Л. : Госэнергоиздат, 1962. - 160 с. : черт. ; 20 см. - Библиогр.: с. 160 (6 назв.). - 0.74 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
ГЕРМАНИЕВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПРИБОРЫ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЕ ПРИБОРЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ТРИОДЫ -- УПРАВЛЯЕМЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ВЕНТИЛИ -- ТЕХНИКА РЕГУЛИРОВАНИЯ -- ЦЕПИ УПРАВЛЕНИЯ -- КОММУТАЦИОННЫЕ СВОЙСТВА ВЕНТИЛЕЙ
Аннотация: В сборник включены переводы появившихся в последние годы в зарубежной печати статей о физических явлениях, конструкциях, схемах управления и основных применениях кремниевых управляемых вентилей - приборов, которым предназначено сыграть весьма заметную роль в преобразовательной технике и, в частности, в управляемом электроприводе.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Комар, В. Г.
Лабунцов, В. А.
Найти похожие

2.

   
    Полупроводниковые кремниевые диоды и триоды, технология производства [Текст] : научное издание / Г. А. Зеликман [и др.]. - М. ; Л. : Изд-во "Энергия", 1964. - 184 с. : ил., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 176-184. - 0.50 р.
УДК

Кл.слова (ненормированные):
КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ -- КРЕМНИЕВЫЕ ТРИОДЫ -- ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ВЫРАЩИВАНИЕ -- ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЕ ПЕРЕХОДЫ
Аннотация: В книге рассмотрены способы создания электронно-дырочных переходов и контактов в кремневых диодах и транзисторах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Зеликман, Г. А.
Мазель, Е. З.
Пресс, Ф. П.
Фронк, С. В.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)