| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: <.>A=Ржанов, $<.>
Общее количество найденных документов : 6
Показаны документы с 1 по 6
1.

   
    Современные проблемы физической химии поверхности полупроводников [Текст] : сб. науч. тр. / отв. ред.: А. В. Ржанов, С. М. Репинский. - Новосибирск : Наука, 1988. - 238 с. ; 21см. - ISBN 5-02-028640-0 : 3.90 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

   Химия--Физическая химия


Кл.слова (ненормированные):
полупроводники -- физическая химия -- поверхности -- плазменные травления -- ионные травления -- лазернохимические травления -- металлы -- диэлектрики -- химия твердого тела -- кинетика -- катализ -- свойства поверхности -- химическая кинетика -- гетерогенные реакции -- ионно-плазменные травления -- кремний
Аннотация: Сборник содержит критический анализ экспериментальных данных о процессах плазменного, ион-и лазернохимического травления полупроводников, а также о процессах получения структур полупроводник-металл и полупроводник-диэлектрик.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Ржанов, А. В.
Репинский, С. М.
Найти похожие

2.

    Таруи, Я.
    Основы технологии сверхбольших интегральных схем [Текст] / Я. Таруи ; пер. с япон. В. А. Лазарева ; под ред. В. Г. Ржанова. - М. : Радио и связь, 1985. - 480 с. : ил. ; 22см. - 2.70 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.844.1

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы--СБИС

Кл.слова (ненормированные):
сверхминиатюризация -- интегральные схемы -- полупроводниковые интегральные схемы -- электронно-лучевая литография -- электроны -- электроннооптические системы -- методы совмещения -- эффект близости -- искажения изображения -- компенсация изгибов пластины -- сканирование излучения -- перенос рисунков -- контроль шаблонов -- дефекты шаблонов -- электронорезисторы -- СБИС -- геттерирование -- сухое травление -- плазменное травление -- технология лазерного отжига
Аннотация: Рассмотрены методы электронно-лучевой,фото-и рентгеновской литографии,применяемые при изготовлении сверхбольших интегральных схем.Дана классификация различных типов дефектов,методов их диагностики и путей совершенствования используемых материалов.Обсуждаются принципы работы технологического и контрольно-измерительного оборудования,а также способы повышения качества шаблонов и структур СБИС.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Лазарев, В. А.
Ржанов, В. Г.
Найти похожие

3.

   
    Поверхностные свойства полупроводников [Текст] : сборник / отв. ред.: А. Н. Фрумкин, А. В. Ржанов, Р. Х. Бурштейн. - М. : Изд-во Акад. наук СССР, 1962. - 232 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр. в конце ст. - 1.08 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА -- КИНЕТИКА -- ГЕРМАНИЙ -- КРЕМНИЙ -- ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПЛЕНКА -- ХИМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Фрумкин, А. Н.
Ржанов, А. В.
Бурштейн, Р. Х.
Найти похожие

4.

    Александров, Л. Н.
    Кинетика образования и структуры твердых слоев [Текст] : научное издание / Л. Н. Александров ; отв. ред. А. В. Ржанов ; Ин-т физики полупроводников (Новосибирск). - Новосибирск : Наука, 1972. - 227 с. : ил., рис. ; 21 см. - Библиогр.: с. 212-225 (414 назв.). - 1.34 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
РАСЧЕТ КИНЕТИКИ -- КИНЕТИКА ПРЕВРАЩЕНИЙ -- ЖИДКОСТНАЯ ЭПИТАКСИЯ -- СТРУКТУРНАЯ РЕЛАКСАЦИЯ -- МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ СЛОИ -- ПРОЦЕССЫ РЕКРИСТАЛЛИЗАЦИИ -- МЕХАНИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ -- ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ВНУТРЕННЕЕ ТРЕНИЕ
Аннотация: В книге рассмотрены общие закономерности и методы расчета кинетики образования твердых слоев на ориентирующих и неориентирующих подложках и структурные изменения при изотермических и неизотермических превращениях в одно- и двухкомпонентных твердых системах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Ржанов, А. В.
Найти похожие

5.

   
    Некоторые проблемы физики и химии поверхности полупроводников [Текст] : научное издание / Ин-т физики полупроводников (Новосибирск) ; под ред. А. В. Ржанова. - Новосибирск : Изд-во "Наука", 1972. - 250 с. : ил., табл. ; 22 см. - Библиогр. в конце разд. - 1.56 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ЗАКОНОМЕРНОСТИ РАСТВОРЕНИЯ -- КИНЕТИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ -- ТВЕРДЫЕ ТЕЛА -- АКТИВНЫЕ ГАЗЫ -- ГЕТЕРОГЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ
Аннотация: Книга содержит обзорные статьи по актуальным проблемам физики и химии поверхности полупроводников, в которых описываются закономерности процессов взаимодействия полупроводников с растворами и газами, электронно-ионные процессы на поверхности полупроводников, а также основы теории и применения оптического поляризационного метода для изучения свойств поверхности полупроводников.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Ржанов, А. В.
Найти похожие

6.

    Ржанов, А. В.
    Электронные процессы на поверхности полупроводников [Текст] : монография / А. В. Ржанов. - М. : Изд-во "Наука", 1971. - 480 с. : ил. ; 21 см. - (Физика полупроводников и полупроводниковых приборов). - Библиогр.: с. 467-476 (272 назв.). - 1.81 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Электронные явления

Кл.слова (ненормированные):
ФЕНОМЕНОЛОГИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ -- ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ -- НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА -- ПОВЕРХНОСТНОЕ РАССЕЯНИЕ -- АТОМАРНО-ЧИСТАЯ ПОВЕРХНОСТЬ
Аннотация: Монография посвящена полупроводникам. В ней дано систематическое и последовательное изложение представлений об электронном строении поверхности полупроводников, характере и специфике поверхностных электронных процессов в полупроводниках, методах и основных результатах их экспериментальных исследований.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)