| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: <.>A=Кейминс, $<.>
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

    Маллер, Р.
    Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ.: Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - М. : Мир, 1989. - 630 с. : ил. ; 22см. - ISBN 5-03-001100-5 : 3.20, 92.00 р.
ГРНТИ
УДК
ББК 32.85

Рубрики: Электроника--Интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- интегральные микросхемы -- полупроводники -- полупроводниковые материалы -- дырки -- доноры -- акцепторы -- дрейфовая скорость -- подвижность -- рассеяние -- диффузионный ток -- магнитный датчик -- эффект Холла -- кремниевые приборы -- выращивание монокристаллов -- термическое окисление -- фотолитография -- перенос рисунков -- диффузия -- ионное легирование
Аннотация: Изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Кейминс, Т.
Мазель, Е. З.
Ходош, Л. С.
Найти похожие

2.

    Маллер, Р.
    Элементы интегральных схем [Текст] / Р. Маллер, Т. Кейминс ; пер. с англ. Е. З. Мазеля, Л. С. Ходоша. - Москва : Мир, 1989. - 630 с. : ил. - 3.20 р.
ББК 32.844.1

Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника

Кл.слова (ненормированные):
ИС -- МОП-транзисторы -- биополярные транзисторы -- интегральные схемы -- кремниевые приборы -- полупроводники -- рп-переход
Аннотация: В книге американских специалистов изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)


Доп. точки доступа:
Кейминс, Т.
Мазель, Е. З.
Ходоша, Л. С.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)