| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=621.315.592.002<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.3/Л 38
Заглавие : Легирование полупроводников методом ядерных реакций : научное издание
Выходные данные : Новосибирск: Наука, 1981
Колич.характеристики :182 с.: ил.; 21 см
Коллективы : Акад. наук СССР (Новосибирск)
Примечания : Библиогр.: с. 175
Цена : 1.90 р.
ГРНТИ : 45.09.31
УДК : 621.315.592.002
Предметные рубрики: Электротехника-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): легирование--радиационные дефекты--ядерные реакции--электрофизические свойства
Аннотация: Рассмотрены физические основы легирования полупроводников, побочные явления - радиационные дефекты, кинетика их накопления и отжига.
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.3/П 84
Заглавие : Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок : научное издание
Выходные данные : Новосибирск: Наука, 1981
Колич.характеристики :280 с.: ил.; 22 см
Цена : 3.10 р.
ГРНТИ : 45.09.31
УДК : 621.315.592.002
Предметные рубрики: Электротехника-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые кристаллы--полупроводниковые пленки--эпитаксия--выращивание кристаллов--точечные дефекты
Аннотация: Рассмотрены механизмы эпитаксиального роста слоев из растворов.
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)