| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=537.311.33<.>)
Общее количество найденных документов : 12
Показаны документы с 1 по 12
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Ш 96
Автор(ы) : Шур М. С.
Заглавие : Эффект Ганна : научное издание
Выходные данные : Л.: Энергия, 1971
Колич.характеристики :78 с.: ил.; 20 см
Серия: Б-ка по радиоэлектронике; Вып. 29
Цена : 0.25 р.
ГРНТИ : 29.19
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Проводимость
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект ганна--генераторы свч--стабилизатор тока--междолинный переход--домен сильного поля
Аннотация: В книге описывается физический механизм эффекта Ганна - эффекта, на основе которого созданы объемные полупроводниковые приборы, в том числе наиболее мощные генераторы СВЧ на твердом теле. В ней рассматриваются также связанные с ганновской генерацией физические эффекты, различные ганновские приборы и возможности их практического применения.
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Б 48
Автор(ы) : Бергер Л. И., Прочухан В. Д.
Заглавие : Тройные алмазоподобные полупроводники : монография
Выходные данные : М.: Изд-во "Металлургия", 1968
Колич.характеристики :151 с.: рис., табл.; 22 см
Примечания : Библиогр.: с. 145-151 (245 назв.)
Цена : 1.02 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тройные полупроводники--алмазоподобные полупроводники--физические свойства--химические свойства--полупроводниковые соединения
Аннотация: Монография посвящена описанию физических и физико-химических свойств малоизученного класса веществ - тройных алмазоподобных полупроводниковых соединений. Рассмотрены общие принципы образования тетраэдрической координации в применении к тройным соединениям. Представлен анализ и классификация методов синтеза, очистки и выращивания монокристаллов таких полупроводниковых веществ.
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537.311.33/С 80
Автор(ы) : Стильбанс Л. С.
Заглавие : Физика полупроводников : научное издание
Выходные данные : М.: Советское радио, 1967
Колич.характеристики :451 с.: ил.; 20 см
Примечания : Библиогр.: с. 441-442 ( 44 назв.). - Предм. указ.: с. 443-449
Цена : 1.63 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): термоэлектрические явления--теплопроводность полупроводников--кинетическое уравнение--термоэлектродвижущая сила--электронная теплопроводность--термомагнитные явления
Аннотация: Книга представляет собой систематическое рассмотрение основных разделов физики полупроводников: качественного и количественного описания строения полупроводниковых кристаллов, энергетического спектра и статистики электронов и фононов.
Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Р 48
Автор(ы) : Ржанов А. В.
Заглавие : Электронные процессы на поверхности полупроводников : монография
Выходные данные : М.: Изд-во "Наука", 1971
Колич.характеристики :480 с.: ил.; 21 см
Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Примечания : Библиогр.: с. 467-476 (272 назв.)
Цена : 1.81 р.
ГРНТИ : 29.05
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Электронные явления
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): феноменологическое описание--электронные процессы--носители заряда--поверхностное рассеяние--атомарно-чистая поверхность
Аннотация: Монография посвящена полупроводникам. В ней дано систематическое и последовательное изложение представлений об электронном строении поверхности полупроводников, характере и специфике поверхностных электронных процессов в полупроводниках, методах и основных результатах их экспериментальных исследований.
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Б 64
Автор(ы) : Бир Г. Л., Пикус Г. Е.
Заглавие : Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках : монография
Выходные данные : М.: Изд-во "Наука", 1972
Колич.характеристики :584 с.: ил., табл.; 22 см
Примечания : Библиогр.: с. 574-584 (367 назв.)
Цена : 2.66 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): теория представлений--симметрия кристаллов--решетки браве--теория возмущений--зона брилуэна--экситоны--спинорные представления
Аннотация: В книге подробно изложены разделы теории групп, которые находят применение в физике твердого тела, и методы расчета спектров электронов и фотонов вблизи особых точек, основанные на использовании теории групп, а также рассмотрены деформационные эффекты в полупроводниках, т. е. эффекты, возникающие при деформациях, нарушениях симметрию кристалла.
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Э 41
Заглавие : Экситоны в полупроводниках : сборник
Выходные данные : М.: Изд-во "Наука", 1971
Колич.характеристики :144 с.: ил., табл.; 21 см
Коллективы : Ордена Ленина Физ. ин-т им. П. Н. Лебедева (Москва), Акад. наук СССР (Москва)
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 0.59 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): экситоны--коллективные свойства--люминисценция--фотолюминесценция--экситонные состояния
Аннотация: В сборнике представлены работы по изучению явлений, обусловленных экситонами, в полупроводниках. В работах исследованы явления, связанные с рекомбинацией носителей тока через экситонные состояния и конденсацией экситонов в электронно-дырочные капли, а также процессы излучательной аннигиляции экситонов при больших уровнях возбуждения светом и электронным пучком.
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Ш 18
Автор(ы) : Шалабутов Ю. К.
Заглавие : Введение в физику полупроводников : научное издание
Выходные данные : Л.: Наука, 1969
Колич.характеристики :292 с.: граф., рис., табл.; 22 см
Коллективы : Акад. наук СССР (Москва)
Примечания : Библиогр.: с. 284-289
Цена : 1.51 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллическая решетка--твердые тела--примесные полупроводники--поверхности ферми--уравнения томсона--диамагнетизм--эффект холла--гальваномагнитные явления--фотопроводимость
Аннотация: Описаны тепловые и диффузионные процессы в кристаллах, кинетические, оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках. Включены такие вопросы, как явления в сильных квантующих магнитных полях, электрическая доменная неустойчивость, принципы работы квантовых оптических генераторов.
Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Г 71
Автор(ы) : Горюнова Н. А.
Заглавие : Семейство алмазоподобных полупроводников : научное издание
Выходные данные : М.: Изд-во "Знание", 1970
Колич.характеристики :44 с.: ил., табл.; 21 см
Серия: Новое в жизни науке, технике. Химия; Вып. 11
Цена : 0.09 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): алмазоподобные соединения--стеклообразные полупроводники--двойные соединения--серое олово
Аннотация: В книге рассмотрено семейство алмазоподобных полупроводников - обширная и разветвленная группа родственных по структуре вещества простых тел, двойных, тройных и более сложных фаз.
Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/К 65
Автор(ы) : Конуэлл Э.
Заглавие : Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях : научное издание
Параллельн. заглавия :High field transport in semiconductors/ E. M. Conwell
Выходные данные : М.: Изд-во "Мир", 1970
Колич.характеристики :384 с.: ил.; 21 см
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Тит. л. парал. на англ. яз.
Цена : 1.93 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): носители тока--эффект ганна--уравнения больцмана--сильные электрические поля--закон сохранения энергии
Аннотация: Книга посвящена электропроводности полупроводников в сильных электрических полях. Рассматриваются также другие кинетические явления в полупроводниках, связанные с действием сильных электрических полей. Особенностью книги является подробное сопоставление теоретических и экспериментальных данных для конкретных полупроводниковых материалов.
Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537.311/П 53
Заглавие : Полупроводники с узкой запрещенной зоной и их применение : сб. статей
Выходные данные : М.: Мир, 1969
Колич.характеристики :255 с.: ил., табл.; 21 см
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 0.97 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллы полупроводников--фазовое равновесие--оптические свойства--запрещенная зона--лазерный эффект--термомагнитное охлаждение
Аннотация: Сборник посвящен полупроводниковым материалам с узкой запрещенной зоной. В нем описаны методы синтеза и выращивания монокристаллов, физико-химические свойства которых требуют применения специфической технологии.
Найти похожие
11.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Ф 63
Автор(ы) : Фистуль В. И.
Заглавие : Сильно легированные полупроводники : монография
Выходные данные : М.: Физматгиз, 1967
Колич.характеристики :415 с.: ил., граф., рис., табл.; 19 см
Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Примечания : Библиогр.: с. 397-415
Цена : 1.49 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): энергетический спектр--радиоэлектроника--носители заряда--вырожденные полупроводники--кинетические явления в полупроводниках--механизмы рассеяния--отражение света--туннельные диоды--тензометры
Аннотация: В данной монографии обобщены и систематизированы теоретические и экспериментальные результаты исследований полупроводников при их легировании до концентраций примеси, близких к предельным. Тем самым, большая степень легирования приведет к открытию новых явлений, как, например, появление "хвоста" плотности состояний в запрещенной зоне и существование легирующих примесей в кристалле не только в виде раствора, но и в других формах.
Найти похожие
12.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Г 67
Автор(ы) : Горбачев В. В.
Заглавие : Полупроводниковые соединения
Выходные данные : М.: Металлургия, 1980
Колич.характеристики :132 с.: ил.; 22см
Примечания : Библиогр.: (243 назв.)
Цена : 1.50 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика--электричество--полупроводники--полупроводниковые соединения--халькогениды--медь--серебро--теплоперенос--электроперенос--зонная структура--электрофизические свойства--тепловые свойства--оптические свойства
Аннотация: Обобщены результаты исследования халькогенидов меди и серебра. Основное внимание уделено физическим свойствам этих соединений(электрическим, тепловым, оптическим, термоэлектрическим), расчетам зонной структуры, анализу механизмов рассеяния носителей заряда, тепло-и электропереноса и практическому использованию халькогенидов меди и серебра.
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)