| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=537.311.33+621.315.592<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

    Маделунг, О.
    Физика полупроводниковых соединений элементов 3 и 4 групп [Текст] / О. Маделунг ; пер. с англ. под ред. Б. И. Болтакса = Physics of 3-5 Compounds / O. Madelung : научное издание. - М. : Мир, 1967. - 477 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 414-461. - Предм. указ.: с. 462-466. - 2.14 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

Кл.слова (ненормированные):
ТЕОРИЯ ВОЗМУЩЕНИЙ -- ЗОНА ПРОВОДИМОСТИ -- ЯВЛЕНИЯ ПЕРЕНОСА -- СВОЙСТВА ПРИМЕСЕЙ -- ТРОЙНЫЕ СОЕДИНЕНИЯ -- МАГНИТНАЯ ВОСПРИИМЧИВОСТЬ
Аннотация: Книга посвящена обстоятельному описанию нового класса полупроводниковых материалов. В книге систематически описаны результаты основных исследований важнейших свойств этих соединений.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Болтакс, Б. И.
Найти похожие

2.

   
    Полупроводники А2В4С52 [Текст] : научное издание / под ред. Н. А. Горюновой, Ю. А. Валова. - М. : Сов. радио, 1974. - 376 с. : ил., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 346-372 (446 назв.). - 1.34 р.
ГРНТИ
УДК

Рубрики: Физика--Полупроводники

   Электротехника--Электротехнические материалы


Кл.слова (ненормированные):
КРИСТАЛЛОХИМИЯ СОЕДИНЕНИЙ -- ВЫРАЩИВАНИЕ КРИСТАЛЛОВ -- ЗОННАЯ СТРУКТУРА -- ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ -- ДОМЕННАЯ СТРУКТУРА
Аннотация: Книга посвящена описанию класса полупроводниковых материалов - соединениям А2В4С52. Они являются ближайшими электронными аналогами полупроводников А3В5 и элементарных полупроводников - германия и кремния. Книга содержит сведения о способах получения А2В4С52, их физико-химических и физических свойствах, а также и другую информацию о соединениях этого класса.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.


Доп. точки доступа:
Горюнова, Н. А.
Валов, Ю. А.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)