| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>U=32.852-06<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.852-06
Автор(ы) : Курносов, Анатолий Иванович, Юдин, Владимир Васильевич
Заглавие : Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем : учеб. пособие для ВУЗов . -3-е изд., перераб. и доп.
Выходные данные : Москва: Высшая школа, 1986
Колич.характеристики :367 с
Примечания : Библиогр.: с. 363. - Предм. указ.: с. 364-365
Цена : 1.30 р.
ББК : 32.852-06
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свч-диапазон--антимонид галлия--антимонид индия--арсенид галлия--арсенид индия--германий--диффузионные структуры--диэлектрические пленки--защитные пленки--имс--интегральные микросхемы--интерметаллические соединения--ионная имплантация--ионно-плазменное распыление--конструкции корпусов--кремний--лазерные технологии--нитридные пленки кремния--полупроводниковые материалы--полупроводниковые пластины--полупроводниковые подложки--пособия для вузов--р-п-переход--радиация--рентгенолитография--сборка полупроводниковых приборов--термическое испарение--тонкие пленки--фосфид галлия--фотолитография--фоторезисторы--фотошаблоны--эпитаксиальное наращивание
Аннотация: В книге рассмотрены основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)