| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
в найденном
В текущей базе данных найдено документов :32
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (8)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=эпитаксия<.>)
Общее количество найденных документов : 32
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-32 
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 421376
621.382(075)/К 93
Автор(ы) : Курносов, Анатолий Иванович, Юдин В. В.
Заглавие : Технология производства полупроводниковых приборов : учеб. пособие для вузов, обучающихся по специальности "Полупроводники и диэлектрики"
Выходные данные : Москва: Высш. шк., 1974
Колич.характеристики :400 с.: ил.
Примечания : Библиогр.
ISBN (в пер.), Цена [Б. и.]: 15.00 р.
УДК : 621.382.002(075.8)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--полупроводниковые материалы--фотолитография--сплавление--диффузия--эпитаксия--элионика--конденсация в вакууме--поверхность п-п переходов--интегральные схемы
Найти похожие
2.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 050337
621.315.592/Р 85
Заглавие : Руководство к практическим занятиям по курсу "Методы исследования полупроводниковых материалов, приборов и ИМС": Учеб. пособ. Ч. 2
Выходные данные : Саратов: Б. и., 1981
Колич.характеристики :34 c.: ил.
Примечания : Библиогр.
ISBN, Цена Б. и.: 10.00 р.
УДК : 621.315.592(076.5)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые материалы--носители заряда--эпитаксия--германий--кремний
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 368955
621.382(075)+621.382-181(075)/О-66
Автор(ы) : Орлов А. М., Костишко Б. М., Скворцов А. А.
Заглавие : Физические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем : учеб. пособие для студентов и инж.-техн. работников, специализирующихся в области микроэлектроники и физики полупроводников
Выходные данные : Ульяновск: Изд. Ульян. ун-та, 2001
Колич.характеристики :369, [7] с.: ил.
Примечания : Библиогр.
ISBN (в пер.), Цена 5-88866-081-7: 137.60 р.
УДК : [621.382+621.3.049.77](075.8)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--интегральные микросхемы--литография--тонкие пленки--эпитаксия--диффузия--рост кристаллов--контроль качества--технология
Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 933260
541.821.3/Г 54
Автор(ы) : Гликин, Аркадий Эдуардович
Заглавие : Полиминерально-метасоматический кристаллогенез : научное издание
Выходные данные : Санкт-Петербург: Журн. "Нева", 2004
Колич.характеристики :318, [2] с.: ил.
Примечания : Библиогр.
ISBN (в пер.), Цена 5-87516-043-8: 120.00 р.
УДК : 548.5
Предметные рубрики: химия-- кристаллография
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллогенезис--кристаллизация из растворов--кристаллы--кристаллообразование--эпитаксия--огранение кристаллов--кристаллогенез полиминерально-метасоматический
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 984824
539.211541.183/Л 64
Автор(ы) : Лифшиц, Виктор Григорьевич, Репинский, Сергей Маркович
Заглавие : Процессы на поверхности твёрдых тел : научное издание
Параллельн. заглавия :Processes on the Solid Surfaces
Выходные данные : Владивосток: Дальнаука, 2003
Колич.характеристики :702, [2] с.: ил.
Разночтения заглавия :Загл., сост. каталогизатором: Процессы на поверхности твердых тел
Примечания : Библиогр.
ISBN (в пер.), Цена 5-8044-0368-0: 215.00 р.
УДК : 539.21:538.971 + 544.2
Предметные рубрики: физика-- физика твердого тела
химия-- физическая химия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): твердые тела--поверхностные явления--химическая связь--кристаллография--термодинамика поверхности--диффузия--адсорбция--испарение--растворение--окисление--эпитаксия--межфазные границы--монослои--поверхность твердого тела
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 968183 рукописный текст
621.382/С 90
Автор(ы) : Сусляков, Юрий Васильевич
Заглавие : Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP : Дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Саратов: Б. и., 2004
Колич.характеристики :143 л.: рис. + 1 Автореф.
Коллективы : М-во образования и науки Рос. Федерации, Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского
Примечания : Библиогр.: л. 133-143 (136 назв.)
ISBN (в пер.), Цена Б. и.
УДК : 621.382(043.3)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--гетеропереходы--полупроводники--электрические свойства--эпитаксия
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 493118
621.382017.7:621.3/С 90
Автор(ы) : Сусляков, Юрий Васильевич
Заглавие : Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур ZnS-GaP : Автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Саратов: Б. и., 2004
Колич.характеристики :17, [2] с
Коллективы : Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского, каф. физики твердого тела, Калмыц. гос. ун-т, каф. эксперим. и общ. физики
Примечания : Библиогр.: с. 17 (11 назв.)
ISBN, Цена Б. и.
УДК : 621.382(043.3)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетероструктуры--гетеропереходы--полупроводники--электрические свойства--эпитаксия
Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382.3/В 191-268259119
Автор(ы) : Васильев, Андрей Георгиевич, Колковский, Юрий Владимирович, Концевой, Юлий Абрамович
Заглавие : СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках : учебное пособие
Выходные данные : Москва: Техносфера, 2011
Колич.характеристики :253, [3] с.: ил.
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Рекомендовано Учеб.-метод. об-нием вузов РФ по образованию в обл. радиотехники, электроники, биомедицинской техники и автоматизации в качестве учеб. пособия для студентов вузов, обучающихся по направлению подгот. 210100 "Электроника и наноэлектроника"
ISBN (в пер.), Цена 978-5-94836-290-8: 569.80 р.
УДК : 621.382.3(075.8)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свч-транзисторы--свч-приборы--широкозонные материалы--широкозонные полупроводники--гетероструктуры--технологические процессы (тп)--надежность--эпитаксия--гетероэпитаксия
Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(075)/М 74
Автор(ы) : Мокеев О. К.
Заглавие : Технология полупроводникового производства : учеб. пособие
Выходные данные : М.: Высшая школа, 1984
Колич.характеристики :176 с.: ил.; 20см
Цена : 0.20 р.
ГРНТИ : 47.33.37.01.33
УДК : 621.382.002(075)
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Электроника-- Технология производства
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--полупроводниковая схемотехника--полупроводниковая электроника--полупроводниковые генераторы--полупроводниковые диоды--полупроводниковые материалы--механическая обработка полупроводников--химическая обработка полупроводников--ионная обработка полупроводников--плазмохимическая обработка полупроводников--эпитаксиальные пленки--эпитаксия--легирование--ионное легирование
Аннотация: В книге описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и микросхем. Рассмотрены процессы изготовления биполярного и МДП-транзисторов, а также интегральных микросхем на их основе. Пособие является программированным и содержит материал обеспечивающий самоконтроль усвоения информации и исправление ошибок, возникающих в процессе работы учащихся.
Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.396(075)/Ч-49
Автор(ы) : Черняев В. Н.
Заглавие : Физико-химические процессы в технологии РЭА : учебник
Выходные данные : М.: Высшая школа, 1987
Колич.характеристики :376 с.: ил.; 22см
Примечания : Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. для студ. вузов, обучающихся по спец. "Конструирование и пр-во РЭА"
Цена : 1.30 р.
ГРНТИ : 476.13.01.33
УДК : 621.396.6.002:(075.8)
ББК : 32
Предметные рубрики: Связь-- Радиоэлектронная аппаратура
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электросвязь--эпитаксия--энтропия--энтальпия--электролиз--фотосенсибилизация--фотолиз--флуктуация--термодиффузия--сенсибилизация--резисторы--радиоэлектронная аппаратура
Аннотация: В книге рассматриваются физико-химические основы технологических процессов производства РЭА, начиная с интегральных элементов и кончая сложными функциональными устройствами и комплексами; описываются теоретические закономерности основных процессов, на которых базируются современные методы формирования микроэлектронных структур и печатных узлов РЭА.
Найти похожие
11.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 531/Ф 50
Заглавие : Физические основы полупроводниковой тензометрии : межвуз. сб. науч. трудов
Выходные данные : Новосибирск: Новосиб. электротехн. ин-т, 1984
Колич.характеристики :150 с. ; 20см
Цена : 0.55 р.
ГРНТИ : 29.03
УДК : 531.781.2+6(06)
Предметные рубрики: Механика-- Измерения физических величин
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика--измерение величин--полупроводниковая тензометрия--нелинейность--тензочувствительность--мостовые схемы--перколяция тока--эпитаксия--кремний
Аннотация: Рассмотрено повышение тензочувствительности, снижение нелинейности, расширение температурных границ, уменьшение температурного дрейфа тензометрических мостовых схем.
Найти похожие
12.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315(075)/М 59
Автор(ы) : Миколайчук А. Г., Френк Д. М., Шперун В. М.
Заглавие : Физико-технологические основы синтеза полупроводниковых пленок : учеб. пособие
Выходные данные : Львов: ЛГУ, 1978
Колич.характеристики :112 с.: ил.; 20см
Цена : 0.20 р.
ГРНТИ : 47.09.29.01.33
УДК : 621.315.592(075.8)
Предметные рубрики: Электроника-- Полупроводниковые пленки
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые пленки--пленки--эпитаксия
Аннотация: Изложены основы получения и синтеза полупроводниковых пленок халькогенидов металлов IY B подгруппы, а именно синтез пленок в "открытом" вакууме, осаждение из равновесного пара в квазизамкнутом объеме. Особое внимание уделено физико-технологическим основам техники синтеза, определяющим структурное совершенство и электрофизические параметры пленок. Для студентов.
Найти похожие
13.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.383/О-73
Автор(ы) : Осинский В. И., Привалов В. И., Тихоненко О. Я.
Заглавие : Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках
Выходные данные : Минск: Наука и техника, 1981
Колич.характеристики :208 с.: ил.; 21см
Коллективы : Ин-т электроники (Минск), Акад. наук Белорус. ССР (Минск)
Цена : 0.95 р.
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383:621.315.5
Предметные рубрики: Электроника-- Оптоэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эпитаксия--газовая эпитаксия--люминесцентные свойства--инжекция--гетеропереход--светоизлучающие приборы--многоканальная связь--интеграция светодиодных структур--фотоприемники--световые потоки--оптоэлектроника
Аннотация: Анализируется зонная энергетическая структура,рекомбинационное испускание и поглощение света,перенос носителей тока в многокомпонентных системах соединений.
Найти похожие
14.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 621.314/С 36
Автор(ы) :
Заглавие : Силовая преобразовательная техника/ В. Е. Челноков, Ю. В. Жиляев. Т.4: Силовые полупроводниковые приборы
Выходные данные : М.: ВИНИТИ, 1986
Колич.характеристики :108 с. ; 21см
Цена : 0.90 р.
ГРНТИ : 45.37
УДК : 621.314
Предметные рубрики: Электротехника-- Преобразовательная техника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электротехника--преобразовательная техника--силовые приборы--кремний--геттерирование--сверхвысоковольтные диоды--тиристоры--фототиристоры--симисторы--транзисторы--эпитаксия
Аннотация: Рассмотрены технологические методы в производстве кремниевых силовых приборов на основе широкозонных материалов.
Найти похожие
15.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.314/Т 30
Автор(ы) : Тейлор П.
Заглавие : Расчет и проектирование тиристоров : пер. с англ.
Выходные данные : М.: Энергоатомиздат, 1990
Колич.характеристики :208 с.: ил.; 21см
ISBN, Цена 5-283-02495-4: 0.90 р.
ГРНТИ : 45.37
УДК : 621.314.632.001.63
ББК : 31.264.5
Предметные рубрики: Электротехника-- Преобразовательная техника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тиристоры--электротехника--преобразователи--типы тиристоров--проектирование тиристоров--характеристики тиристоров--механизмы повреждения--производство тиристоров--эпитаксия--дискретные приборы--силовые приборы--полупроводниковые приборы--запираемые тиристоры--гибриды полевого транзистора--моп-транзисторы--оксидирование--фотолитография--охлаждения тиристоров
Аннотация: Обобщены результаты научных и технологических исследований в области дискретных силовых полупроводниковых приборов. Рассмотрена работа новых типов приборов: запираемых тиристоров, гибридов полевого транзистора с тиристором, МОП-транзисторов с встроенной областью пространственного заряда.
Найти похожие
16.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 621.383/Ф 81
Автор(ы) :
Заглавие : Фотоэлектроника: науч. сб./ В. В. Сердюк. Вып.3
Выходные данные : Киев-Одесса: Либидь, 1990
Колич.характеристики :142 с.: ил.; 22см
Цена : 2.00 р.
ГРНТИ : 47.29.31
УДК : 621.383(082)
Предметные рубрики: Электроника-- Фотоэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотопреобразователи--монокристаллы--фотопроводимость--электроны--фотоэлектроника--эпитаксиальные пленки--гетерофотоэлемент--поликристаллические солнечные элементы--электрон-фотонная спектроскопия--фототиристоры--светодиоды--эпитаксия--активация примесей--электролитический метод
Аннотация: Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований по вопросам оптоэлектроники, солнечной энергетики и полупроводникового материаловедения фотопроводящих материалов. Рассмотрены перспективные направления развития фотоэлектроники.
Найти похожие
17.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/Т 38
Заглавие : Технология СБИС : В 2-х кн.
Выходные данные : М.: Мир, 1986
Колич.характеристики :453 с.: ил.; 23см
Цена : 2.30 р.
ГРНТИ : 47.33.31
УДК : 621.382.049.771
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Электроника-- Интегральные микросхемы-- СБИС
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--интегральные микросхемы--сбис--технология сбис--кремниевые ис--сухое травление--металлизация--металлизация ис--эпитаксия--ионная имплантация--диффузия--окисление--литография--осаждение--травление--моделирование приборов--топографирование--герметизация--герметизация
Аннотация: Освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС.В книге 2 рассмотрены вопросы ионно-плазменной технологии применительно к процессам удаления вещества,металлизации ИС,моделирования основных технологических процессов формирования ИС.Описаны основные технологические системы изготовления элементов СБИС,методы исследования и контроля технологических процессов,герметизация готовых ИС,тестирование и надежность готовых ИС.
Найти похожие
18.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/Ф 50
Заглавие : Физико-химические аспекты технологии микро-и оптоэлектроники : Межвуз. сб. науч. тр.
Выходные данные : Воронеж: ВПИ, 1991
Колич.характеристики :133 с. ; 20см
ISBN, Цена 5-230-04430-6: 2.50 р.
ГРНТИ : 47.33.37 + 47.33.33
УДК : 621.382.049.77(06)
Предметные рубрики: Электроника-- Оптоэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--микроэлектроника--оптоэлектроника--пленочные структуры--полупроводники--диэлектрики--эпитаксия--анизотропия--гетероэпитаксия--ионная имплантация--легированные пьезоэлектрики--тензорезисторы--магнетронное распыление
Аннотация: Рассмотрены физико-химические процессы формирования пленочных структур на основе полупроводников и диэлектриков.
Найти похожие
19.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(075)/П 18
Автор(ы) : Парфенов О. Д.
Заглавие : Технология микросхем : учеб. пособие для вузов
Выходные данные : М.: Высшая школа, 1977
Колич.характеристики :256 с.: ил.; 20 см
Примечания : Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. вузов по спец. "Электронные вычислит. машины" и "Конструирование и пр-во электронно-вычислит. аппаратуры"
Цена : 0.66 р.
ГРНТИ : 47.33.01.33
УДК : 621.382.049(075)
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральные микросхемы--диффузия--эпитаксия--пассивация--металлизация--фотолитография--пленочные микросхемы--сборка микросхем--герметизация микросхем
Аннотация: Рассмотрены: технология полупроводниковых интегральных микросхем(диффузия, эпитаксия, пассивация, межсоединения, фотолитография); технология гибридных пленочных микросхем; сборка микросхем(монтажно-сборочные операции, крепление подложек и кристаллов, герметизация). Для студентов вузов.
Найти похожие
20.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(075)/Ч-49
Автор(ы) : Черняев В. Н.
Заглавие : Технология производства интегральных микросхем : учеб. пособие для вузов
Выходные данные : М.: Энергия, 1977
Колич.характеристики :376 с.: ил.; 20см
Цена : 1.01 р.
ГРНТИ : 47.33.31.01.33
УДК : 621.382.18(075)
Предметные рубрики: Электроника-- Интегральные микросхемы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): интегральные микросхемы--термовакуумное испарение--катодное распыление--диффузия--эпитаксия--фотолитография--пленочные микросхемы--полупроводники--радиоэлектронная аппаратура
Аннотация: Рассматриваются физико-химические основы типовых процессов производства интегральных микросхем: термовакуумного испарения, катодного распыления, химических и электрохимических методов получения слоев, диффузии, эпитаксии, ионного внедрения и фотолитографии. Описываются технологии изготовления интегральных гибридных пленочных и интегральных полупроводниковых микросхем. Для студентов вузов, инженеров, специалистов.
Найти похожие
 1-20    21-32 
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)