Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

В текущей базе данных найдено документов :4

В других БД по вашему запросу найдено:

Электронный каталог (2)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=фосфид индия<.>)

Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4

Сергеев, Сергей Алексеевич.
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Рукопись] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177 л. + 1 автореф. - Библиогр.: л. 158-171 (226 назв.). - ISBN [Б. и.] (в пер.)
Приложение:
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр 829874

УДК

621.382(043.3)

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Приложение:Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Михайлов, Александр Иванович
Найти похожие

Сергеев, Сергей Алексеевич.
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - Библиогр.: с. 17-18 (38 назв.). - ISBN [Б. и.]
Издание является приложением к документу:
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177. - ISBN [Б. и.]. Шифр 778942

УДК

621.382(043.3)

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Является приложением к Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов\par
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Михайлов, Александр Иванович
Найти похожие

Мильвидский, М. Г.
Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] : научное издание / М.Г.Мильвидский. - М. : Наука, 1986. - 144 с. : ил. ; 20см. - (Проблемы науки и технического прогресса). - 0.50 р.

ГРНТИ	45.09
УДК	621.315.592+621.382

ББК 22.379

Рубрики: Электротехника--Полупроводниковые материалы

Электроника--Материалы электронной техники

Кл.слова (ненормированные):
электротехника -- полупроводниковые материалы -- совершенные монокристаллы -- дефектообразование -- выращивание монокристаллов -- полупроводники -- кремний -- арсенид галлия -- фосфид индия -- эпитаксиальные структуры -- гомоэпитаксиальные структуры -- поликристаллические полупроводники -- аморфные полупроводники
Аннотация: Анализируются новые тенденции в создании и применении полупроводников.Рассмотрены закономерности дефектообразования, особенности текстуированных полупроводников и т.п.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Исмаилов, И.
Оптоэлектронные излучательные приборы на основе фосфида индия и родственных материалов [Текст] / И. Исмаилов ; отв. ред. П. Г. Елисеев ; Физико-техн. ин-т (Душанбе). - Душанбе : Дониш, 1986. - 208 с. : ил. ; 20см. - 2.10 р.

ГРНТИ	47.33.33
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Оптоэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
электроника -- оптоэлектроника -- излучательные приборы -- полупроводниковые материалы -- фосфид индия -- люминесценция -- катодолюминесценция -- электролюминесценция -- диффузные диоды -- эпитаксиальные диоды -- инжекторные лазеры -- лазерные диоды -- твердые растворы -- эпитаксиальные пленки -- гетеропереход -- светоизлучающие диоды -- температурные зависимости
Аннотация: Рассмотрены проблемы создания полупроводниковых материалов и р-п- структур,излучающих в видимой и ближней инфракрасной области спектра на основе родственных материалов фосфида индия.Подробно обсуждены проблемы практической реализации этих новых материалов, рассмотрены основы конструирования изопериодических систем, позволяющих прогнозировать свойства многокомпонентных твердых растворов и гетеропереходов на их основе.Приведен обзор данных по электрофизическим и оптическим характеристикам этих материалов, излучательным свойствам лазеров и светоизлучающих диодов и их различным применениям.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Елисеев, П. Г.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)