| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :20
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (2)Публикации учёных СГУ (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=точечные дефекты<.>)
Общее количество найденных документов : 20
Показаны документы с 1 по 20
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 501652 рукописный текст
548.535/Б 94
Автор(ы) : Бухаров, Владимир Эдуардович
Заглавие : Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника : дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Саратов, 2003
Колич.характеристики :117 л. с. + 1 автореф.
Примечания : Библиогр.
ISBN (в пер.), Цена [Б. и.]: [б. ц.]
УДК : 537.311.322(043.3)
Предметные рубрики: физика-- физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): гетерофазные полупроводники--ионизирующие излучения--радиационная стойкость--радиационные дефекты--точечные дефекты
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 544-16
Автор(ы) : Ярославцев, Андрей Борисович
Заглавие : Химия твердого тела : научное издание
Выходные данные : Москва: Научный мир, 2009
Колич.характеристики :322, [12] с.: ил., табл.
Разночтения заглавия :Загл., сост. каталогизатором: Химия твёрдого тела
Примечания : Библиогр. в конце глав
ISBN (в пер.), Цена 978-5-91522-133-7: 545.00 р.
УДК : 544-16
Предметные рубрики: химия-- физическая химия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): твердые тела--химия твердого тела--кристаллическая структура--точечные дефекты--механика твердого тела--диффузия--электрическая проводимость--ионная проводимость--поверхностные явления--твердофазные реакции
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 620.1(075)/Н 34
Автор(ы) : Арзамасов Б. Н., Крашенинников А. И., Пастухова Ж. П., Рахштадт А. Г.
Заглавие : Научные основы материаловедения : учеб. для вузов
Выходные данные : М.: Изд-во МГТУ, 1994
Колич.характеристики :366 с.: ил., табл.; 21 см
ISBN, Цена 5-7038-1104-Х: 14.00 р.
ГРНТИ : 81.09.01.33
УДК : 620.1(075.8)
ББК : 30.3-1
Предметные рубрики: Материаловедение-- Основы материаловедения
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): материаловедение--строение металлов--точечные дефекты--кристаллизация--диффузия в сплавах--фазы в сплавах--твердые растворы--равновесные диаграммы состояния--фазовые превращения в сплавах--строение и свойства металлов--тугоплавкие металлы--неорганические стекла--техническая керамика--строение и свойства полимеров--композиционные материалы
Аннотация: Изложены основы строения кристаллических, полимерных и аморфных материалов, дефекты кристаллов и общая теория фазовых превращений. Приведен анализ равновесных диаграмм состояния. Рассмотрены механизм и кинетика перлитного, бейнитного и мартенситного превращений, а также структурные превращения при отпуске закаленных сплавов. Показаны структурные изменения, происходящие во время пластической деформации и последеформационного нагрева. Рассмотрены структура и свойства сплавов на основе железа, меди, алюминия и других элементов, а также строение и свойства стекол, керамики, полимерных и композиционных материалов. Учебник прошел успешную апробацию в МГТУ им. Н. Э. Баумана. Для студентов, обучающихся по специальности "Материаловедение в машиностроении".
Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539(075)/О-75
Автор(ы) : Гестрин С. Г., Дмитриева Е. И., Задорожный Ф. М., Сальников А. Н.
Заглавие : Основы физики твердого тела. Реальные кристаллы : учеб. пособие по курсу физики твердого тела для аудиторной и самостоятельной работы студентов всех спец.
Выходные данные : Саратов: СГТУ, 1999
Колич.характеристики :56 с.: ил.; 20см
Коллективы : Саратовский гос. техн. ун-т
ISBN, Цена 5-7433-0608-7: 9.00 р.
ГРНТИ : 29.19.01.33
УДК : 539.2(075.8)
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика твердого тела--кристаллы--точечные дефекты--линейные дефекты--объемные дефекты
Аннотация: Рассмотрены основные представления физики дефектов в кристаллах в последовательности с общепринятой геометрической классификацией. Описаны свойства, механизмы взаимодействия дефектов и их влияние на макро-характеристики кристаллов.
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 669(075)/Н 73
Автор(ы) : Новиков И. И.
Заглавие : Дефекты кристаллического строения металлов : Учеб.пособие
Выходные данные : М.: Металлургия, 1983
Колич.характеристики :232 с.: ил.; 22см
Цена : 0.80 р.
ГРНТИ : 53.49.01.33
УДК : 669:54(075.8)
Предметные рубрики: Металлургия-- Металловедение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): металловедение--точечные дефекты--дислокация--дисклинации
Аннотация: Изложена элементарная теория точечных,линейных и поверхностных дефектов,определяющих важнейшие свойства металлов и изменения их структуры при обработке и эксплуатации.Рассмотрены вакансии,межузельные и примесные атомы и их комплексы,виды дислокаций,их движение,упругие свойства,дислокационные реакции в типичных металлических структурах.Для студ.
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 541(075)/С 38
Автор(ы) : Синельников Б. М.
Заглавие : Физическая химия кристаллов с дефектами : учеб. пособие
Выходные данные : М.: Высшая школа, 2005
Колич.характеристики :136 с.: ил.; 21 см
Примечания : Библиогр.: с. 136 (5 назв.). - Гриф: рек. УМО по образованию в области радиотехники, электроники, биомедицинской техн. и авт. в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обуч. по спец. "Микроэлектроника и твердотельная электроника" и "Микросистемная техника" напр. подготовки дипломир. спец. "Электроника и микроэлектроника"
ISBN, Цена 5-06-004784-9: 134.80,192.72 р.
ГРНТИ : 31.15.01.33
УДК : 541.1(075.8)
ББК : 24.5
Предметные рубрики: Химия-- Физическая химия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химия--физическая химия--точечные дефекты--кристаллы--электронно-дырочное равновесие--твердые тела--дефекты в кристаллах
Аннотация: Рассмотрена термодинамика точечных процессов, используются современные представления о процессах образования и взаимодействия точечных дефектов, при этом учитывается участие электронной подсистемы кристаллов в процессе дефектообразования.
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537(07)/Д 39
Автор(ы) : Дехтяр Ю. Д.
Заглавие : Экзоэлектронная спектроскопия точечных дефектов полупроводников. Конспект лекций : курс лекций
Выходные данные : Рига: РТУ, 1993
Колич.характеристики :59 с. ; 20 см
Коллективы : Рижский техн. ун-т
Примечания : Библиогр.: с. 48-59 (101 назв.)
Цена : 28.00 р.
ГРНТИ : 29.19.31.01.33
УДК : 537.311.33(07)
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): экзоэлектронная спектроскопия--точечные дефекты --диагностика полупроводников--эффект стеблера-вронского--спектроскопия полупроводников--экзоэмиссионная спектроскопия--экзоэмиссия кремния
Аннотация: Рассмотрено новое направление диагностики поверхностных слоев полупроводников, основанное на регистрации фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии (ФТСЭ). Проанализированы механизмы этого явления для материалов с энергетической целью. Описаны эффект оптического гашения ФТСЭ: экзоэмиссионное проявление в axSi:H эффекта Стеблера-Вронского (фотоиндуцированные структурные превращения). Проиллюстрированы возможности экзоэмиссионной спектроскопии точечных дефектов полупроводников.
Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 669/Б 78
Автор(ы) : Бокштейн Б. С., Бокштейн С. З., Жуховицкий А. А.
Заглавие : Термодинамика и кинетика диффузии в твердых телах : научное издание
Выходные данные : М.: Металлургия, 1974
Колич.характеристики :280 с.: ил.; 22 см
Примечания : Библиогр.: с. 274-280 (233 назв.)
Цена : 2.20 р.
ГРНТИ : 53.49
УДК : 669:539.2
Предметные рубрики: Металлургия-- Металловедение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): металловедение--термодинамика--диффузия--диффузия в твердых телах--дефекты в твердых телах--точечные дефекты--случайные блуждания
Аннотация: В книге рассмотрено современное состояние физики диффузии на основе термодинамического анализа, сочетающегося с обсуждением кинетических факторов.
Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.3/П 84
Заглавие : Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок : научное издание
Выходные данные : Новосибирск: Наука, 1981
Колич.характеристики :280 с.: ил.; 22 см
Цена : 3.10 р.
ГРНТИ : 45.09.31
УДК : 621.315.592.002
Предметные рубрики: Электротехника-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые кристаллы--полупроводниковые пленки--эпитаксия--выращивание кристаллов--точечные дефекты
Аннотация: Рассмотрены механизмы эпитаксиального роста слоев из растворов.
Найти похожие
10.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 669/Ф 50
Автор(ы) :
Заглавие : Физическое металловедение/ под ред. Р. Кана. Вып. 3: Дефекты кристаллического строения. Механические свойства металлов и сплавов
Выходные данные : М.: Мир, 1968
Колич.характеристики :484 с.: ил.; 22 см
Примечания : Библиогр. в конце глав
Цена : 2.30 р.
УДК : 669:53+669:017
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сплошная среда--дислокация в кристаллах--точечные дефекты--геометрия скольжения--механические свойства--твердые растворы
Аннотация: Рассмотрены механические свойства металлов и сплавов при низких и высоких температурах и различных скоростях нагружения. Приведены сведения о несовершенствах кристаллического строения, определяющих эти свойства. Описываются механизмы деформационного упрочнения, процессы возврата и рекристаллизации.
Найти похожие
11.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 669/Д 16
Автор(ы) : Дамаск А., Динс Дж.
Заглавие : Точечные дефекты в металлах : научное издание
Параллельн. заглавия :Point defects in metals/ A. C. Damask, G. J. Dienes
Выходные данные : М.: Изд-во "Мир", 1966
Колич.характеристики :291 с.: граф.; 22 см
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Тит. л. парал. на англ. яз.
Цена : 1.39 р.
ГРНТИ : 53.49
УДК : 669:539.2
Предметные рубрики: Металлургия-- Физика металлов
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): термодинамика--теория отжига дефектов--методы анализа отжига--физические свойства металлов--точечные дефекты--строение дефектов
Найти похожие
12.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 669/В 60
Заглавие : Внутреннее трение и дефекты в металлах : сборник
Выходные данные : М.: Металлургия, 1965
Колич.характеристики :420 с.: ил., табл.; 22 см
Цена : 1.93 р.
УДК : 669
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): точечные дефекты--зинеровская релаксация--эффекты закрепления дислокаций--релаксационные максимумы--релаксационные спектры--метод внутреннего трения
Найти похожие
13.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Б 79
Автор(ы) : Болтакс Б. И.
Заглавие : Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках : научное издание
Выходные данные : Л.: Изд-во "Наука", 1972
Колич.характеристики :384 с.: ил.; 21 см
Коллективы : Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе (Ленинград), Акад. наук СССР (Ленинград)
Примечания : Библиогр. в конце глав
Цена : 1.99 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.322
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диффузии--дефекты--дефектообразование--точечные дефекты--полупроводниковые приборы--полупроводниковые соединения
Аннотация: Излагаются основы теории диффузии и дефектообразования в полупроводниках. Обобщен и систематизирован имеющийся в настоящее время экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях.
Найти похожие
14.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Е 60
Автор(ы) : Емцев В. В., Машовец Т. В.
Заглавие : Примеси и точечные дефекты в полупроводниках : научное издание
Выходные данные : М.: Радио и связь, 1981
Колич.характеристики :248 с.: ил., табл.; 21 см
Примечания : Библиогр.: с. 215-246 (551 назв.)
Цена : 2.50 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.322
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пары френкеля--микроструктура--самодиффузия--кинетика--точечные дефекты
Аннотация: Излагаются результаты исследования примесей и точечных дефектов в алмазоподобных полупроводниках. Некоторые разделы книги написаны сжато, более подробно рассмотрены аспекты проблемы образования и миграции дефектов.
Найти похожие
15.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 22.379/Л 22
Автор(ы) : Ланно М., Бургуэн Ж.
Заглавие : Точечные дефекты в полупроводниках. Теория
Выходные данные : Москва: Мир, 1984
Колич.характеристики :264 с.: ил.
Цена : 2.30 р.
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты--диффузия дефектов--колебательная свойства--миграция дефектов--многоэлектронные эффекты--полупроводники--сложные теории глубоких уровней--теория эффективной массы--термодинамика дефектов--точечные дефекты--физика полупроводников--энтропия
Аннотация: В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция.
Найти похожие
16.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 541/Б 90
Автор(ы) : Булгакова Т. И.
Заглавие : Реакции в твердых фазах : научное издание
Выходные данные : М.: Изд-во Моск. ун-та, 1972
Колич.характеристики :54 с.: граф., рис., табл.; 21 см
Примечания : Библиогр.: с. 51
Цена : 0.10 р.
ГРНТИ : 31.15.19
УДК : 541.17
Предметные рубрики: Химия-- Химия твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллические решетки--химические соединения--ионные радиусы--законы диффузии--кинетика реакций--полиморфные превращения--точечные дефекты
Аннотация: Освещены основные вопросы химии твердых фаз. Рассматриваются кристаллические структуры химических соединений, дефекты кристаллической решетки, изучаются химические соединения переменного состава, диффузионные процессы, кинетика и механизм реакций в твердых фазах, исследуется взаимодействие дефектов.
Найти похожие
17.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 541(076)/Г 95
Автор(ы) : Гурвич А. М.
Заглавие : Введение в физическую химию кристаллофосфоров : учеб. пособие
Выходные данные : М.: Изд-во "Высшая школа", 1971
Колич.характеристики :335 с.: ил.; 22 см
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. втузов
Цена : 0.94 р.
ГРНТИ : 31.15.01.33
УДК : 541.1(076)
Предметные рубрики: Химия-- Физическая химия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллофосфоры--энергетические модели кристаллофосфоров--полупроводниковые люминофоры--свойства кристаллофосфоров--кристаллические решетки люминофора--точечные дефекты--линейные дефекты--поверхностные дефекты--синтез люминофора--образование кристаллофосфоров
Аннотация: Книга содержит систематическое изложение основ новой области знаний - физической химии кристаллофосфоров. Центральное место занимает рассмотрение процессов образования и взаимодействия дефектов кристаллической решетки, в особенности в полупроводниковых люминофорах. На базе сведений о природе оптически активных дефектов и о реакциях, в которых они участвуют, постадийно рассматривается процесс формирования кристаллофосфоров. Книга рассчитана на студентов и аспирантов, специализирующихся в области материалов для электронной, радиационной и смежных отраслей техники. Она может быть использована в качестве пособия также инженерами, химиками, физиками, имеющими дело с получением, применением и исследованием люминесцирующих кристаллов.
Найти похожие
18.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 22.379
Автор(ы) : Бургуэн Ж., Ланно М.
Заглавие : Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты
Выходные данные : Москва: Мир, 1985
Колич.характеристики :304 с.: ил.
Цена : 2.30 р.
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): дефекты--диффузия дефектов--колебательная свойства--миграция дефектов--многоэлектронные эффекты--полупроводники--сложные теории глубоких уровней--теория эффективной массы--термодинамика дефектов--точечные дефекты--физика полупроводников--энтропия
Найти похожие
19.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 22.37
Автор(ы) : Жданов Г. С., Хунджуа А. Г.
Заглавие : Лекции по физике твердого тела : принципы строения, реальная структура, фазовые превращения
Выходные данные : Москва: Издательство Московского государственного университета, 1988
Колич.характеристики :232 с.: ил.
Примечания : Библиогр.: с. 231
Цена : 0.65 р.
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): бинарные системы--дислокации--идеальный кристалл--междуатомные силы--получение твердых тел--реальный кристалл--строение твердого тела--термодинамическое равновесие--точечные дефекты--фазовые превращения--электронные волны--энергия связи
Найти похожие
20.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 22.37
Автор(ы) : Маделунг О.
Заглавие : Физика твердого тела. Локализованные состояния
Выходные данные : Москва: Наука, 1985
Колич.характеристики :184 с
Примечания : Библиогр.: с. 183-184
Цена : 1.20 р.
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): локализованные состояния--неупорядоченность--неупорядоченные решетки--поверхностные фононы--распространенные состояния--свойства твердого тела--точечные дефекты--химическая связь--явления переноса
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)