Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=рентгенолитография<.>)

Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.372/Ф 57
Заглавие : Фильтры на поверхностных акустических волнах (расчет, технология и применение) : пер. с англ.
Выходные данные : М.: Радио и связь, 1981
Колич.характеристики :472 с.: ил.; 21см
Цена : 2.50 р.
ГРНТИ : 47.55
УДК : 621.372.54
ББК : 32.844
Предметные рубрики: Радиотехника-- Акустические волны
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): акустические волны--фильтры--поверхностные волны--поверхностные акустические волны--пав--полосовые фильтры--расчет фильтров--свойства фильтров--согласованная фильтрация--упругие волны--дифракция--затухание--встречно-штыревые преобразователи--синтез фильтров--фотолитография--травление--электронная литография--рентгенолитография--согласующие цепи--фазовые коды
Аннотация: Рассматриваются принцип работы, методы расчета, примеры конструкции фильтров на поверхностных акустических волнах(ПАВ). Приведены основные свойства и методы расчета фильтров для согласованной фильтрации.
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/К 78
Автор(ы) : Красников Г. Я.
Заглавие : Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : научное издание . -2-е изд., испр.
Выходные данные : М.: Техносфера, 2011
Колич.характеристики :800 с.: ил.; 25 см
Примечания : Библиогр. в конце глав
ISBN, Цена 978-5-94836-289-2: 90.00 р.
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Электроника-- Полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моп-транзисторы--субмикронные мопт--подзатворные диэлектрики--плазменные процессы--ионная имплантация--электронно-лучевая литография--рентгенолитография--полиметаллические затворы--полицидные затворы--сток-истовые области--короткоканальный эффект
Аннотация: В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов. Описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истовых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Найти похожие

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.852-06
Автор(ы) : Курносов, Анатолий Иванович, Юдин, Владимир Васильевич
Заглавие : Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем : учеб. пособие для ВУЗов . -3-е изд., перераб. и доп.
Выходные данные : Москва: Высшая школа, 1986
Колич.характеристики :367 с
Примечания : Библиогр.: с. 363. - Предм. указ.: с. 364-365
Цена : 1.30 р.
ББК : 32.852-06
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свч-диапазон--антимонид галлия--антимонид индия--арсенид галлия--арсенид индия--германий--диффузионные структуры--диэлектрические пленки--защитные пленки--имс--интегральные микросхемы--интерметаллические соединения--ионная имплантация--ионно-плазменное распыление--конструкции корпусов--кремний--лазерные технологии--нитридные пленки кремния--полупроводниковые материалы--полупроводниковые пластины--полупроводниковые подложки--пособия для вузов--р-п-переход--радиация--рентгенолитография--сборка полупроводниковых приборов--термическое испарение--тонкие пленки--фосфид галлия--фотолитография--фоторезисторы--фотошаблоны--эпитаксиальное наращивание
Аннотация: В книге рассмотрены основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)