| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :2
 В других БД по вашему запросу найдено:ЭБС "ЛАНЬ" (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=принцип франка-кондона<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539/В 35
Заглавие : Вероятность оптических переходов двухатомных молекул
Выходные данные : М.: Наука, 1980
Колич.характеристики :320 с. ; 21см
Цена : 3.80 р.
ГРНТИ : 29.29
УДК : 539.194
ББК : 22.36
Предметные рубрики: Физика-- Атомная физика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика--молекулярная физика--оптические переходы--спектр--принцип франка-кондона--гармонический потенциал--потенциал морзе
Аннотация: Представлено современное состояние экспериментальных и теоретических исследований по вероятностям оптических переходов двухатомных молекул.
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537.3/Р 18
Автор(ы) : Райт Д.
Заглавие : Полупроводники : научное издание
Параллельн. заглавия :Semi-Conductors/ D. A. Wright
Выходные данные : М.: Изд-во иностр. лит., 1957
Колич.характеристики :158 с.: ил.; 20 см
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Тит. л. парал. на англ. яз.
Цена : 7.40 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.3
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): зонная теория--теория электронов--термисторы--вторичная эмиссия--принцип франка-кондона
Аннотация: В книге излагается простейшая теория электронов в металле, основы зонной теории. Подробно рассмотрен вопрос об образовании примесных уровней в полупроводнике как при внедрении чужеродных атомов различной валентности, так и при образовании вакантных мест в решетке.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)