Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

в найденном

В текущей базе данных найдено документов :124

В других БД по вашему запросу найдено:

Электронный каталог (21)

ЭБС "ЛАНЬ" (3)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=полевые транзисторы<.>)

Общее количество найденных документов : 124
Показаны документы с 1 по 20

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Малин, Б. В.
Параметры и свойства полевых транзисторов [Текст] : научное издание / Б. В. Малин, М. С. Сонин. - М. : Энергия, 1967. - 112 с. : ил. ; 20 см. - (Б-ка по радиоэлектронике ; вып. 10). - 0.30 р.

УДК

621.382

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- СВОЙСТВА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ -- КОНСТРУКЦИИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ -- ИЗОЛИРОВАННЫЙ ЗАТВОР -- ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТРАНЗИСТОРОВ -- ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Сонин, М. С.
Найти похожие

Фомин, Н. Н.
Современные полупроводниковые приборы [Текст] : научное издание / Н. Н. Фомин, Ю. Н. Королев. - М. : Знание, 1969. - 80 с. : черт. ; 22 см. - Библиогр.: с. 80. - 0.15 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ТРАНЗИСТОРЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ОДНОПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ДВУХПОЛЮСНИКИ -- ДИОДЫ
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Королев, Ю. Н.
Найти похожие

Ричман, П.
Физические основы полевых транзисторов с изолированным затвором [Текст] = Characteristics and operation of mos fieid-effect devices : монография / П. Ричман ; пер. с англ. : И. Н. Абашкова, Ю. И. Горбунова ; под ред. Г. Г. Смолко. - М. : Изд-во "Советское радио", 1971. - 144 с. : ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 135-140. - 0.49 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382.323

Рубрики: Электроника--Транзисторы

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ИЗОЛИРОВАННЫЕ ЗАТВОРЫ -- ЭЛЕКТРОДЫ -- МПД-ТРАНЗИСТОРЫ -- ЦИФРОВЫЕ СХЕМЫ -- ЛОГИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА -- МУЛЬТИВИБРАТОРЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ
Аннотация: Книга представляет собой одну из первых монографий, посвященных основам теории МПД-транзисторов с изолированным затвором. В ней обобщено большое количество экспериментальных и теоретических данных, полученных рядом исследователей, в том числе и ее автором.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Абашков, И. Н.
Горбунов, Ю. И.
Смолко, Г. Г.
Найти похожие

Полевые транзисторы. Физика, технология и применения [Текст] = Field-effect transistors. Physics, Technology and Applicatications : научное издание / пер. с англ. под ред. С. А. Майорова. - М. : Советское радио, 1971. - 374 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр. в конце глав. - Предм. указ.: с. 369-371. - 1.74 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОВЕРХНОСТЬ ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ПРОВОДИМОСТЬ СЛОЕВ -- СВОЙСТВА ТОНКИХ СЛОЕВ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- КОЭФФИЦИЕНТ ШУМА -- РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ -- ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЛИНЕЙНЫЕ СХЕМЫ -- ЦИФРОВЫЕ СХЕМЫ
Аннотация: В книге рассматриваются важные вопросы теории, конструирования и применения полевых транзисторов, в том числе физика поверхности полупроводников, физика диэлектриков, структура и рост пленок двуокиси кремния, тонкопленочный транзистор и его применение в интегральных схемах, использование полевого транзистора в усилительных и цифровых схемах. Особое внимание уделяется конструированию интегральных схем, в которых применение полевых транзисторов кажется наиболее перспективным.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Майоров, С. А.
Найти похожие

Васильев, В. А.
Радиолюбителю о транзисторах [Текст] / В. А. Васильев. - 2-е изд., перераб. и доп. - М. : Изд-во ДОСААФ, 1973. - 239 с. : ил. ; 19 см. - 0.50 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382.3

Рубрики: Электроника--Транзисторы

Кл.слова (ненормированные):
транзисторы -- полупроводники -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы -- широкополосные усилители -- преобразователи частоты -- усилители мощности
Аннотация: Описывается принцип действия транзисторов, их устройство, классификация и взаимозаменяемость. Приводятся методики упрощенного любительского расчета основных видов транзисторных каскадов. Даются принципиальные схемы и описания устройства различных радиолюбительских конструкций, а также рекомендации по их изготовлению и налаживанию.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Агаханян, Т. М.
Основы транзисторной электроники [Текст] : научное издание / Т. М. Агаханян. - М. : Энергия, 1974. - 256 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 251-254. - 1.08 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382.3

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковая техника -- полупроводники -- электронные процессы -- электронно-дырочные переходы -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы -- эквивалентные схемы
Аннотация: Дается описание электронных процессов в полупроводниковых кристаллах. Исследуются импульсные и статические характеристики электронно-дырочного перехода с учетом влияния токов генерации и рекомбинации в переходном слое, канальных токов и токов утечки.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Нарышкин, А. К.
Противошумовые коррекции в транзисторных усилителях [Текст] : научное издание / А. К. Нарышкин. - М. : Связь, 1974. - 143 с. : ил., рис., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 135-141. - 0.36 р.

ГРНТИ	47.41.33
УДК	621.375:621.391

Рубрики: Радиотехника--Усилители

Кл.слова (ненормированные):
РАДИОТЕХНИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА -- ПРОТИВОШУМОВЫЕ КОРРЕКЦИИ -- ТРАНЗИСТОРНЫЕ УСИЛИТЕЛИ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Аннотация: Излагаются методы инженерного расчета противошумовых коррекций в усилителях на биполярных и полевых транзисторах. Дается краткое описание усилительных и шумовых свойств транзисторов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Устюжанинов, В. Н.
Проектирование полупроводниковых интегральных микросхем [Текст] : учеб. пособие / В. Н. Устюжанинов, В. А. Крячков ; Ивановский энерг. ин-т им. В. И. Ленина. - Иваново : ИЭИ, 1975. - 192 с. : ил. ; 20 см. - 0.70 р.

ГРНТИ	47.33.01.33
УДК	621.382-18(07)

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые интегральные микросхемы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые интегральные микросхемы -- биполярные транзисторы -- диоды -- полевые транзисторы -- цифровые интегральные микросхемы -- технология производства ПИМ -- линейные микросхемы -- аналоговые микросхемы
Аннотация: Содержание пособия включает вопросы системного подхода к проектированию, расчет пассивных и активных элементов. Рассматриваются конструктивно-технологические особенности различных вариантов полупроводниковых микросхем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Крячков, В. А.
Найти похожие

Козинцева, Л. П.
Усилители на полевых транзисторах [Текст] : научное издание / Л. П. Козинцева. - М. : Связь, 1975. - 96 с. : ил., рис. ; 19 см. - Библиогр.: с. 92-94. - 0.22 р.

ГРНТИ	47.41.33
УДК	621.375.4:621.382.323

Рубрики: Радиотехника--Усилители

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- КАСКОДНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ -- ГИБРИДНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ -- КВАЗИЛИНЕЙНЫЙ РЕЗИСТОР -- НЕЛИНЕЙНАЯ НАГРУЗКА
Аннотация: Рассмотрены схемы замещения, характеристики и параметры полевых транзисторов и методы расчета основных классов усилителей на полевых транзисторах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

10.

Транзисторы [Текст] : справочник / под ред. А. А. Чернышева. - М. : Энергия, 1975. - 120 с. : ил. ; 22 см. - (Массовая радиобиблиотека ; вып. 879). - Библиогр.: с. 118 (6 назв.). - 0.35 р.

ГРНТИ	47.33.01.33
УДК	621.382.3(083)

Рубрики: Электроника--Транзисторы

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ АППАРАТУРА -- ДВУХЭМИТТЕРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ОДНОПЕРЕХОДНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ТРАНЗИСТОРНЫЕ МАТРИЦЫ
Аннотация: Книга содержит в табличной форме сведения об основных электрических параметрах транзисторов отечественного производства. Приведены габаритные чертежи и цоколевка приборов. Книга предназначена для широкого круга читателей.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Чернышев, А. А.
Найти похожие

11.

Промышленная электроника на базе полупроводниковой техники [Текст] : учеб. пособие / Ю. А. Исаков [и др.]. - Киев : Вища школа, 1975. - 328 с. : ил. ; 22 см. - Библиогр.: с. 323-324 (30 назв.). - 0.91 р.
Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования УССР в качестве учеб. пособия для студ. электротехн., электромех. и приборостроит. фак. техн. вузов

ГРНТИ	47.01.33
УДК	621.382(075)

Рубрики: Электроника--Промышленная электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ТИРИСТОРА -- ВЕНТИЛЬНЫЕ ФОТОЭЛЕМЕНТЫ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- УСИЛИТЕЛИ -- МОДУЛЯТОРЫ -- ГЕНЕРАТОРЫ -- ЛОГИЧЕСКИЕ ЭЛЕМЕНТЫ
Аннотация: В книге излагаются основы теории полупроводниковых приборов; диодов, транзисторов, тиристоров, фотоэлектронных приборов, приводятся области их применения в устройствах промышленной электроники. Особое внимание уделяется новым приборам: полевым транзисторам, тиристорам, вентильным фотоэлементам, фототиристорам и интегральным схемам.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Исаков, Ю. А.
Руденко, В. С.
Трифонюк, В. В.
Юдин, Е. Е.
Найти похожие

12.

Спиридонов, Н. С.
Основы теории транзисторов [Текст] : научное издание / Н. С. Спиридонов. - 2-е изд., испр. и доп. - Киев : Изд-во "Технiка", 1975. - 360 с. : табл., ил. ; 20 см. - Библиогр.: с. 349-356 (179 назв.). - 1.09 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382.3

Рубрики: Электроника--Электронные приборы

Кл.слова (ненормированные):
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР -- ПОСТОЯННЫЙ ТОК -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ -- ДРЕЙФОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Аннотация: Рассмотрена теория биполярных транзисторов и полевых транзисторов с изолированным затвором. Кратко описаны электрические свойства полупроводников и теория p-n-перехода. Подробно проанализированы дрейфовые и бездрейфовые биполярные транзисторы: процессы переноса носителей в базовой области, статические характеристики, частотные свойства, импульсный режим работы, особенности транзисторов в интегральном исполнении. Кратко рассмотрены физические процессы, вольт-амперные характеристики и эквивалентные схемы МДП-транзисторов. Большое внимание уделено математическим моделям транзисторов. Рассчитана на инженерно-технических работников, занимающихся разработкой, производством и применением транзисторов, а также может быть полезной студентам вузов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

13.

Магден, И. Н.
Новые полупроводниковые приборы [Текст] : брошюра / И. Н. Магден, Ю. Г. Сухарев. - М. : Знание, 1975. - 64 с. : черт. ; 20 см. - (Новое в жизни, науке, технике. Серия "Радиоэлектроника и связь" ; вып. 5/1975). - Библиогр.: с. 64

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ -- ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- ДИОДЫ -- СВЕТОДИОДЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- СИЛОВЫЕ ПРИБОРЫ
Аннотация: Рассматриваются пути развития и перспектива использования полупроводниковых приборов. В доступной форме описан физический принцип действия новых полупроводниковых приборов дискретного характера и интегральных схем.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Сухарев, Ю. Г.
Найти похожие

14.

Милехин, А. Г.
Радиотехнические схемы на полевых транзисторах [Текст] : научное издание / А. Г. Милехин. - М. : Энергия, 1976. - 144 с. : ил. ; 20 см. - (Массовая радиоб-ка ; вып. 924 ). - Библиогр.: с. 135-139. - 0.38 р.

ГРНТИ	47.05
УДК	621.396.6.06:621.382

Рубрики: РАДИОТЕХНИКА--РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ СХЕМЫ

Кл.слова (ненормированные):
РАДИОТЕХНИЧЕСКИЕ СХЕМЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА -- РАДИОПРИЕМНЫЕ УСТРОЙСТВА -- ГЕНЕРАТОРЫ -- ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ
Аннотация: В книге рассмотрены принцип действия, основные параметры и свойства полевых транзисторов. Дан широкий обзор применения полевых транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре, приведены схемы приборов, выполненных на полевых транзисторах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

15.

Молотков, В. И.
Транзисторные усилители [Текст] : учеб. пособие / В. И. Молотков ; Ленинградский политехн. ин-т им. М. И. Калинина. - Л. : ЛПИ, 1976. - 76 с. : ил. ; 21 см. - Библиогр.: с. 75. - 0.25 р.
Прил.: с. 73-74

ГРНТИ	47.41.33.01.33
УДК	621.375.4(075)

Рубрики: Радиотехника--Усилители

Кл.слова (ненормированные):
усилители -- усилители низкой частоты -- усилители высокой частоты -- полевые транзисторы -- шумы в транзисторах -- схемы усилителей -- биполярные транзисторы
Аннотация: В пособии излагаются общие свойства усилительных каскадов низкой и высокой частоты на биполярных транзисторах. Уделяется внимание усилителям на полевых транзисторах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Найти похожие

16.

Бочаров, Л. Н.
Полевые транзисторы [Текст] : научное издание / Л. Н. Бочаров. - М. : Энергия, 1976. - 80 с. : ил. ; 19 см. - (Массовая радиобиблиотека ; вып. 905). - Библиогр.: с. 78. - 0.22 р.

ГРНТИ	47.33
УДК	621.382.323

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
полупроводниковые приборы -- полевые транзисторы -- генераторы -- диоды -- интегральные схемы -- цифровые интегральные схемы -- усилители -- радиоэлектронные схемы
Аннотация: В книге рассмотрены устройство, принцип действия, основные характеристики и параметры транзисторов отечественного производства. Рассмотрены вопросы, связанные с работой этих приборов в различных радиоэлектронных схемах.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

17.

Илюкович, А. М.
Техника электрометрии [Текст] : научное издание / А. М. Илюкович . - М. : Энергия, 1976. - 399 с. : граф., рис., табл. ; 21 см. - Библиогр.: с. 349-391 . - 1.36 р.

ГРНТИ	45.31
УДК	621.317.723

Рубрики: Электротехника--Электрические измерения

Кл.слова (ненормированные):
СРЕДСТВА ИЗМЕРЕНИЙ -- ЭЛЕКТРОМЕТРИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА -- ЭЛЕКТРОМЕТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ -- ЭЛЕКТРОМЕТРИЧЕСКИЕ УСИЛИТЕЛИ -- ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЕ ЭЛЕКТРОМЕТРЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ УСИЛИТЕЛИ -- ИЗМЕРИТЕЛИ ТОКОВ
Аннотация: Рассматриваются методы и средства измерения малых электрических сигналов в высокоомных цепях и сопротивлений таких цепей при малых уровнях постоянных или медленно меняющихся токов. Даны общие сведения об электрических объектах измерения, об электрической аппаратуре и ее элементах. Подробно изложены принципы построения и свойства различных типов электрометрических усилителей напряжения.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

18.

Зуев, В. А.
Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах [Текст] : научное издание / В. А. Зуев, А. В. Саченко, К. Б. Толпыго. - М. : Советское радио, 1977. - 256 с. : рис., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 236. - 1.70 р.

ГРНТИ	47.03.05
УДК	621.382

Рубрики: Электроника--Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛУПРОВОДНИКИ -- ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ -- ВАРИКАПЫ -- ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ПРИБОРЫ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ
Аннотация: Рассматривается влияние поверхности и приповерхностных областей пространственного заряда на неравновесные процессы в полупроводниках и структурах металл - диэлектрик - полупроводник.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Саченко, А. В.
Толпыго, К. Б.
Найти похожие

19.

Петров, Е. Ф.
Основы расчета элементов радиоприемных устройств [Текст] : полевые транзисторы в высокочастотных радиотехнических схемах : учеб. пособие по курсовому и дипломному проектированию / Е. Ф. Петров ; Рязанский радиотехн. ин-т. - Рязань : РРТИ, 1977. - 64 с. : ил., граф., табл. ; 20 см. - Библиогр.: с. 62 (16 назв.). - 0.21 р.
Прил.: с. 60-61

ГРНТИ	47.33.01.33
УДК	621.382.3(075)

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЦЕПИ СМЕЩЕНИЯ -- ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ШУМОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ -- ВЫСОКОЧАСТОТНЫЕ СХЕМЫ -- УСИЛИТЕЛЬНЫЕ СХЕМЫ -- СМЕСИТЕЛИ -- ГЕТЕРОДИНЫ
Аннотация: В работе приведена краткая классификация полевых транзисторов, рассмотрены типы стабилизации режима усилителя ВЧ на полевых транзисторах и методы их расчета с учетом температурной нестабильности и разноса параметров. Рассмотрены электрические и шумовые характеристики высокочастотных полевых транзисторов, вопросы устойчивости, нелинейные искажения, регулировочные характеристики. Даны примеры применения полевых транзисторов в ВЧ радиотехнических схемах и параметры некоторых полевых транзисторов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Найти похожие

20.

Важенина, З. П.
Импульсные генераторы на полупроводниковых приборах [Текст] : научное издание / З. П. Важенина. - М. : Энергия, 1977. - 112 с. : ил. ; 20 см. - (Массовая радиоб-ка ; вып. 939). - Библиогр.: с. 112. - 0.54 р.

ГРНТИ	45.33	47.14.07
УДК	621.373.44:621.382.3

Рубрики: Электротехника--Генераторы

Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
генераторы -- полупроводниковая электроника -- полупроводниковая техника -- полупроводниковые приборы -- биполярные транзисторы -- полевые транзисторы -- импульсные генераторы -- мультивибраторы -- блокинг-генераторы
Аннотация: В книге описаны практические схемы импульсных генераторов на транзисторах, рассмотрен принцип их действия и приведены методика и примеры расчета.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

1-20 21-40 41-60 61-80 81-100 101-120

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)