| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :3
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (3)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=нитрид галлия<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 778942 рукописный текст
Автор(ы) : Сергеев, Сергей Алексеевич
Заглавие : Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010
Выходные данные : Саратов: [б. и.], 2010
Колич.характеристики :177 л. + 1 автореф.
Коллективы : Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского
Примечания : Библиогр.: л. 158-171 (226 назв.)
ISBN (в пер.), Цена [Б. и.]
УДК : 621.382(043.3)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): твердотельная электроника--полупроводниковые структуры--полупроводники--отрицательная дифференциальная проводимость--волны пространственного заряда--параметрическое взаимодействие--диффузия--дисперсия--тонкие пленки--миллиметровый диапазон--арсенид галлия--фосфид индия--нитрид галлия
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 829874
Автор(ы) : Сергеев, Сергей Алексеевич
Заглавие : Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Саратов: [б. и.], 2010
Колич.характеристики :18, [1] с
Коллективы : Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского
Примечания : Библиогр.: с. 17-18 (38 назв.)
ISBN, Цена [Б. и.]
УДК : 621.382(043.3)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): твердотельная электроника--полупроводниковые структуры--полупроводники--отрицательная дифференциальная проводимость--волны пространственного заряда --параметрическое взаимодействие--диффузия--дисперсия--тонкие пленки--миллиметровый диапазон--арсенид галлия--фосфид индия--нитрид галлия
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315/Ш 71
Автор(ы) : Шмарцев Ю. В., Валов Ю. А., Борщевский А. С.
Заглавие : Тугоплавкие алмазоподобные полупроводники : научное издание
Выходные данные : М.: Изд-во "Металлургия", 1964
Колич.характеристики :208 с.: черт.; 21 см
Примечания : Библиогр.: с. 196-205 (322 назв.)
Цена : 0.65 р.
УДК : 621.315.59
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--физика полупроводников--полупроводниковые материалы--технология изготовления--свойства полупроводниковых материалов--кубический нитрид--нитрид алюминия--нитрид галлия
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)