| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=неравновесные носители заряда<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315(075)/П 12
Автор(ы) : Павлов Л. П.
Заглавие : Методы измерения параметров полупроводниковых материалов : Учеб.для вузов по спец."Полупроводниковые и микроэлектронные приборы" . -2-е изд.,перераб.и доп.
Выходные данные : М.: Высшая школа, 1987
Колич.характеристики :239 с.: ил.; 22см
Цена : 0.85,20.00 р.
ГРНТИ : 45.09.35.01.33
УДК : 621.315.592.08(075.8)
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Электротехника-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--удельное сопротивление--эдс холла--магнитосопротивление--неравновесные носители заряда--методы измерения
Аннотация: В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей.
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(075)/Н 73
Автор(ы) : Новиков В. В.
Заглавие : Теоретические основы микроэлектроники : учеб. пособие
Выходные данные : М.: Изд-во "Высшая школа", 1972
Колич.характеристики :352 с.: ил.; 22 см
Примечания : Библиогр.: с. 345-346 (59 назв.). - Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обучающихся по спец. "Конструирование и производство радиоаппаратуры"
Цена : 0.91 р.
ГРНТИ : 47.33.01.33
УДК : 621.382:621.396(075)
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): кристаллы--теория твердого тела--уравнение шредингера--оптоэлектроника--неравновесные носители заряда
Аннотация: В книге рассмотрены основные закономерности строения и роста кристаллов и тонких пленок. Изложены основы электронной теории твердого тела, а также описаны наиболее важные физические явления и эффекты в твердом теле, которые лежат в основе принципа действия микроэлектронных элементов и схем.
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)