| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=магнетронное распыление<.>)
Общее количество найденных документов : 4
Показаны документы с 1 по 4
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/Ф 50
Заглавие : Физико-химические аспекты технологии микро-и оптоэлектроники : Межвуз. сб. науч. тр.
Выходные данные : Воронеж: ВПИ, 1991
Колич.характеристики :133 с. ; 20см
ISBN, Цена 5-230-04430-6: 2.50 р.
ГРНТИ : 47.33.37 + 47.33.33
УДК : 621.382.049.77(06)
Предметные рубрики: Электроника-- Оптоэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--микроэлектроника--оптоэлектроника--пленочные структуры--полупроводники--диэлектрики--эпитаксия--анизотропия--гетероэпитаксия--ионная имплантация--легированные пьезоэлектрики--тензорезисторы--магнетронное распыление
Аннотация: Рассмотрены физико-химические процессы формирования пленочных структур на основе полупроводников и диэлектриков.
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(076)/С 91
Автор(ы) : Сушенцов Н. И., Филимонов В. Е.
Заглавие : Основы технологии микроэлектроники : лаб. практикум . -3-е изд., перераб. и доп.
Выходные данные : Йошкар-Ола: МарГТУ, 2005
Колич.характеристики :184 с.: ил.; 20 см
Коллективы : Мар. гос. техн. ун-т (Йошкар-Ола), Федер. агентство по образованию (Москва), М-во образования и науки РФ (Москва)
Примечания : Библиогр.: с. 184 (9 назв.). - Гриф: допущено УМО по образованию в обл. радиотехники, электроники, биомед. техники и автоматизации в качестве лаб. практикума для студ. вузов, обучающихся по спец. 200800, 220500 и направлениям 551100, 654300.
ISBN, Цена 5-8158-0366-9: 40.00 р.
ГРНТИ : 47.33.31.01.33
УДК : 621.382.049.77(076)
ББК : 32.844.1
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): вакуумные электроустановки--вакуум--резистивно-термическое испарение--магнетронное распыление--тонкие пленки--сверхпроводники--высокотемпературные сверхпроводники--ионное травление--дуговое испарение--фотолитография
Аннотация: Представлены практические рекомендации по работе на вакуумных электроустановках. Изложены теоретические основы тонкопленочной микроэлектроники.
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.7/9(083)/Б 49
Автор(ы) : Берлин Е. В., Сейдман Л. А.
Заглавие : Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии : справочное издание
Выходные данные : М.: Техносфера, 2010
Колич.характеристики :528 с.: ил.; 25 см
Серия: Мир материалов и технологий
ISBN, Цена 978-5-94836-222-9: 605.00 р.
ГРНТИ : 55.21.01.33
УДК : 621.7/9(083)
ББК : 30.61
Предметные рубрики: Обработка материалов-- Плазменная обработка
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): тонкопленочная технология--ионно-плазменные процессы--магнетронное распыление--магнетрон--плазма--вакуумное напыление--плазмохимическое травление--ионное травление
Аннотация: Книга содержит подробное описание магнетронных напылительных установок и плазмохимических установок для травления тонких пленок. Рассмотрены технологические особенности их использования. Описаны способы управления процессами реактивного нанесения тонких пленок и использования среднечастотных импульсных источников питания. Показаны технологические особенности получения тонких пленок тройных химических соединений методом реактивного магнетронного сораспыления. Описана структура получаемых пленок и ее зависимость от параметров процесса нанесения.
Найти похожие

4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.85я73
Автор(ы) : Буянова З. И., Захарченко Ю. Ф., Князев С. А., Синицын Н. И.
Заглавие : Практикум по волновой электронике и микроэлектронике : Технология микроэлектроники. Часть 3
Выходные данные : Саратов: Издательство Саратовского национального государственного университета имени Н. Г. Чернышевского, 2000
Колич.характеристики :62 с
Коллективы : Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
ISBN, Цена 5-292-02569-0: 6.00 р.
ББК : 32.85я73
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): алюминий--вакуум--вакуумные схемы--волновая электроника--интегральные схемы--кремнийсодержащие материалы--магнетронное распыление--микроэлектроника--оксид алюминия--оксиды--плазма--плазменное распыление--пленки--свч--свч-плазма--сложные структуры--травление--физико-химические методы
Аннотация: Представлены работы связанные с изучением особенностей плазмохимической технологии травления кремнийсодержащих материалов
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)