| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ионно-лучевое легирование<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.7/К 63
Автор(ы) : Комаров Ф. Ф., Новиков А. П., Буренков А. Ф.
Заглавие : Ионная имплантация : научное издание
Выходные данные : Минск: Унiверсiтэцкае, 1994
Колич.характеристики :303 с. ; 20см
ISBN, Цена 985-09-0036-9: 3000.00 р.
ГРНТИ : 55.22.19
УДК : 621.793.18
Предметные рубрики: Обработка материалов-- Нанесение покрытий
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): легирование--инплантация--ионная имплантация--ионно-лучевое легирование--инплантация атомов--ионное перемешивание--кинетические уравнения
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 620.2/П 27
Автор(ы) : Перинская И. В., Родионов И. В., Перинский В. В.
Заглавие : Мир материалов и технологий: ионно-лучевое конструирование материалов СВЧ микроэлектроники : монография
Выходные данные : Саратов: ИЦ "Наука", 2016
Колич.характеристики :244 с.: ил.; 20 см
Коллективы : Саратовский гос. техн. ун-т им. Гагарина Ю. А., Российская акад. естеств. наук (Москва)
Примечания : Библиогр.: с. 214-217(35 назв.)
ISBN, Цена 978-5-9999-2709-5: 80.00 р.
ГРНТИ : 81.09 + 47.09
УДК : 620.22+621.382.0023
ББК : 30.3 + 32.85
Предметные рубрики: Материаловедение
Электроника-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроэлектроника--ионно-лучевое легирование--ионно-лучевое конструирование--микроприборы--свч устройства--ионная имплантация--кластеризация--ионно-лучевая защита
Аннотация: Предлагается подход к решению проблемы технологии изготовления монолитно-интегральных схем СВЧ на арсениде галлия - отсутствию метода изготовления ИС СВЧ в одном технологическом цикле на основе единого физико-технического эффекта. Ионная инплантация в качестве базового метода позволяет осуществлять легирование, изоляцию, очистку поверхности, литографию, пассивацию в одной технологической установке в вакууме, необходимые операции изготовления активных и пассивных элементов ИС СВЧ. Монография посвящена разработке физических основ ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов водорода, галлия при создании субмикронных изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и эпитаксиальных структурах, имплантации ионов гелия, аргона в металлические слои ИС СВЧ; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии легирования и изоляции. Предложены ионно-модифицированные варианты безрезистной литографии изготовления СВЧ полевых транзисторов, металлических резисторов и межслойных конденсаторов, датчиков; способы ионно-лучевой защиты поверхности микроэлектронных изделий от внешних и химических воздействий, ионно-модифицированные аналоги драгоценных металлов для монолитных СВЧ устройств.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)