| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
в найденном
В текущей базе данных найдено документов :23
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (4)Публикации учёных СГУ (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ионная имплантация<.>)
Общее количество найденных документов : 23
Показаны документы с 1 по 20
 1-20    21-23 
1.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 621.396/Т 34
Автор(ы) :
Заглавие : Тепло- и массообмен в технологии и эксплуатации электронных и микроэлектронных систем: материалы междунар. школы-семинара/ Ин-т тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова (Минск); ред. С. К. Погребня. Ч. 2
Выходные данные : Минск: ИТИМО, 1990
Колич.характеристики :140 с.: ил.; 20см
Коллективы : Ин-т тепло- и массообмена им. А. В. Лыкова, Междунар. центр Акад. наук соц. стран
Цена : 1.40 р.
ГРНТИ : 47.59
УДК : 621.396.6:536.24
Предметные рубрики: Связь-- Электронные системы-- Микроэлектронные системы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): связь--электронные системы--микроэлектронные системы--теплообмен--массообмен--молекулярно-лучевая эпитаксия--ионная имплантация--газофазное осаждение--термообработка--терморегуляция--измерительная информация--тепломассоперенов
Аннотация: Рассматриваются процессы молекулярно-лучевой эпитаксии, ионной имплантации, газофазного осаждения, термообработки и терморегуляции, алгоритмы обработки измерительной информации.
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.8/Б 43
Автор(ы) : Белый А. В., Карпенко Г. Д., Мышкин Н. К.
Заглавие : Структура и методы формирования износостойких поверхностных слоев
Выходные данные : М.: Машиностроение, 1991
Колич.характеристики :208 с.: ил.; 21 см
ISBN, Цена 5-217-01411-3: 3.00 р.
ГРНТИ : 55.03.11
УДК : 621.891+621.789
ББК : 34.41
Предметные рубрики: Детали машин-- Трибология
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): машиностроение--трибология--износостойкость--машиностроительные материалы--трение--фрикционная передача--ионное легирование--ионная имплантация--высокопрочные материалы--нанесение покрытий--изнашивание--диагностика изнашивания--сопрягаемые поверхности
Аннотация: Рассмотрена проблема износостойкости с позиций теорий трения, материаловедения и технологии обработки материалов.
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/М 74
Заглавие : Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов : Последние достижения
Выходные данные : М.: Радио и связь, 1989
Колич.характеристики :280 с.: ил.; 21см
ISBN, Цена 5-256-00228-7: 3.50 р.
ГРНТИ : 47.33.29
УДК : 621.382.001.57
Предметные рубрики: Электроника-- Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--полупроводниковые приборы--моделирование приборов--дискретизация--трехмерное моделирование--численное моделирование--двухмерное моделирование--тетраэдральные элементы--метод гуммеля и шарфеттера--субмикронные приборы--гетеропереходы--ионная имплантация--моп-транзистор--горячие носители
Аннотация: Рассматриваются вопросы моделирования электрофизических характеристик приборов и технологических процессов.Большое внимание уделено используемым численным методам и описанию пакетов прикладных программ.
Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/Ф 50
Заглавие : Физико-химические аспекты технологии микро-и оптоэлектроники : Межвуз. сб. науч. тр.
Выходные данные : Воронеж: ВПИ, 1991
Колич.характеристики :133 с. ; 20см
ISBN, Цена 5-230-04430-6: 2.50 р.
ГРНТИ : 47.33.37 + 47.33.33
УДК : 621.382.049.77(06)
Предметные рубрики: Электроника-- Оптоэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--микроэлектроника--оптоэлектроника--пленочные структуры--полупроводники--диэлектрики--эпитаксия--анизотропия--гетероэпитаксия--ионная имплантация--легированные пьезоэлектрики--тензорезисторы--магнетронное распыление
Аннотация: Рассмотрены физико-химические процессы формирования пленочных структур на основе полупроводников и диэлектриков.
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 666/А 62
Автор(ы) : Манохин А. И., Васильев Б. С., Ревякин А. В., Митин Б. С.
Заглавие : Аморфные сплавы
Выходные данные : М.: Металлургия, 1984
Колич.характеристики :160 с. ; 21 см
Цена : 1.80 р.
ГРНТИ : 61.35.31
УДК : 666.018:539.213
Предметные рубрики: Химическая промышленность-- Стекольная промышленность
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химическая промышленность--сплавы--стеклование--диффузия--кристаллизация--аморфное состояние--вязкость--вакуумное напыление--ионная имплантация--лазерное глазурование--метод молота--метод наковальни--выстреливание
Аннотация: Рассмотрены теоретические основы возникновения аморфной структуры, склонность металлов к образованию аморфной структуры и ее связь со структурой жидких металлов.
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 22.379
Автор(ы) : Вавилов В. С., Кекелидзе Н. П., Смирнов Л. С.
Заглавие : Действие излучений на полупроводники
Выходные данные : Москва: Наука. Главная редакция физико-математической литературы, 1988
Колич.характеристики :192 с.: ил., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 180 - Предм. указ.: с. 188
Цена : 01.20 р.
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): анализ--диэлектрики--заряженные частицы--ионизация--ионная имплантация--кристаллическая структура--полупроводники--свойства полупроводников--устойчивость--учебники для вузов--физика--физика полупроводников--физика твердого тела--физические явления--фотоионизация
Аннотация: Изложены основные представления о физических явлениях, приводящих к изменениям электрических, оптических и других свойств полупроводников под действием электромагнитного излучения, быстрых заряженных частиц и нейтронов.
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 22.379
Заглавие : Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: межвуз. науч. сб. Вып. 12: Физические процессы в полупроводниках, диэлектриках и структурах на их основе
Выходные данные : Саратов: Издательство Саратовского национального государственного университета имени Н. Г. Чернышевского, 1987
Колич.характеристики :124 с
Цена : 1.10 р.
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структуры--мтдп-структуры--свч-датчики--свч-импульс--холла эффект--шоттки барьер--барьер шоттки--высокочистый германий--гальваническое осаждение--гармонический метод--гетероконтакты--диэлектрики--диэлектрическая подложка--диэлектрическая проницаемость--ионная имплантация--комплексная проводимость--контраст изображений--коэффициенты диффузии примесей--кремний--локальные измерения--металлические пленки--метод жидкофазной эпитаксии--некрологи--оптические волноводы--оптический метод--поверхностные дефекты--полупроводники--полупроводниковая электроника--полупроводниковые упорядоченные среды--профиль легирования--профиль легирования базы--пьезоэлектрические пленки--термодинамическое равновесие--ударная ионизация--фотоэлектрический свойства--электролиты--электросопротивление--эпитаксиальные структуры--эффект холла
Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.9/Б 89
Автор(ы) : Брюхов В. В.
Заглавие : Повышение стойкости инструмента методом ионной имплантации : моногр.
Выходные данные : Томск: Изд-во НТЛ, 2003
Колич.характеристики :120 с.: ил.; 21 см
Коллективы : Томский политехн. ун-т
Примечания : Библиогр.: с. 111-118 (141 назв.)
ISBN, Цена 5-89503-181-1: 50.00 р.
ГРНТИ : 55.31
УДК : 621.9.02
ББК : 30.604.6
Предметные рубрики: Станки и инструменты-- Металлорежущий инструмент
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): станки--инструменты--металлорежущие инструменты--режущий инструмент--износостойкость--ионная имплантация--имплантированные инструменты
Аннотация: Рассмотрены современные способы повышения износостойкости металлорежущих инструментов, подробно описаны методы ионной имплантации, применяемое для него оборудование, результаты исследования свойств имплантированной поверхности и эксплуатационных показателей инструментов, подвергнутых имплантации. Даны рекомендации по выбору параметров режима ионной имплантации и повышению эффективности этого метода.
Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.852-06
Автор(ы) : Курносов, Анатолий Иванович, Юдин, Владимир Васильевич
Заглавие : Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем : учеб. пособие для ВУЗов . -3-е изд., перераб. и доп.
Выходные данные : Москва: Высшая школа, 1986
Колич.характеристики :367 с
Примечания : Библиогр.: с. 363. - Предм. указ.: с. 364-365
Цена : 1.30 р.
ББК : 32.852-06
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): свч-диапазон--антимонид галлия--антимонид индия--арсенид галлия--арсенид индия--германий--диффузионные структуры--диэлектрические пленки--защитные пленки--имс--интегральные микросхемы--интерметаллические соединения--ионная имплантация--ионно-плазменное распыление--конструкции корпусов--кремний--лазерные технологии--нитридные пленки кремния--полупроводниковые материалы--полупроводниковые пластины--полупроводниковые подложки--пособия для вузов--р-п-переход--радиация--рентгенолитография--сборка полупроводниковых приборов--термическое испарение--тонкие пленки--фосфид галлия--фотолитография--фоторезисторы--фотошаблоны--эпитаксиальное наращивание
Аннотация: В книге рассмотрены основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/Т 38
Заглавие : Технология СБИС : В 2-х кн.
Выходные данные : М.: Мир, 1986
Колич.характеристики :453 с.: ил.; 23см
Цена : 2.30 р.
ГРНТИ : 47.33.31
УДК : 621.382.049.771
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Электроника-- Интегральные микросхемы-- СБИС
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--интегральные микросхемы--сбис--технология сбис--кремниевые ис--сухое травление--металлизация--металлизация ис--эпитаксия--ионная имплантация--диффузия--окисление--литография--осаждение--травление--моделирование приборов--топографирование--герметизация--герметизация
Аннотация: Освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС.В книге 2 рассмотрены вопросы ионно-плазменной технологии применительно к процессам удаления вещества,металлизации ИС,моделирования основных технологических процессов формирования ИС.Описаны основные технологические системы изготовления элементов СБИС,методы исследования и контроля технологических процессов,герметизация готовых ИС,тестирование и надежность готовых ИС.
Найти похожие
11.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(083)/Г 74
Автор(ы) : Готра З. Ю.
Заглавие : Технология микроэлектронных устройств : справочник
Выходные данные : М.: Радио и связь, 1991
Колич.характеристики :528 с.: ил.; 23см
Цена : 4.00,60.00 р.
ГРНТИ : 47.03.05
УДК : 621.382.049.77.002(083)
ББК : 32.844
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектронная аппаратура
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): монокристаллические материалы--полупроводниковые материалы--диффузия--ионная имплантация--тонкие пленки--фотошаблоны--микроэлектронные устройства
Аннотация: Рассмотрены механические, химические, ионные, плазменные, электронно-лучевые и другие методы обработки в технологии микроэлектронных устройств. Обобщены данные по выращиванию монокристаллов, диффузии, эпитаксии, ионной имплантации, технологии тонких плёнок, литографии, сборке и герметизации. Значительное внимание уделено контролю, обеспечению качества и надёжности при изготовлении микроэлектронных устройств. Для инженерно-технических работников, мастеров и квалифицированных рабочих, занимающихся производством МЭУ.
Найти похожие
12.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 669
Автор(ы) : Севостьянов М. А., Насакина Е. О., Колмаков А. Г.
Заглавие : Способы улучшения эксплуатационных характеристик сплава TiNi медицинского назначения : научное издание
Выходные данные : Москва: Интерконтакт Наука, 2018
Колич.характеристики :198 с.: ил., рис.
Примечания : Библиогр.: с. 175-196 (281 назв.)
ISBN (в пер.), Цена 978-5-902063-56-8: 390.00 р.
УДК : 669
Предметные рубрики: химическая технология-- металлургия
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): сплавы--титановые сплавы--никелид титана--механические свойства--коррозионная стойкость--наноструктурирование--биологическая совместимость--ионная имплантация --биосовместимые материалы
Найти похожие
13.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 620.22
Автор(ы) : Глезер, Александр Маркович, Шурыгина, Надежда Александровна
Заглавие : Аморфно-нанокристаллические сплавы : научное издание
Выходные данные : Москва: ФИЗМАТЛИТ, 2013
Колич.характеристики :450, [2] с.: граф., ил.
Примечания : Библиогр. в конце глав
ISBN (в пер.), Цена 978-5-9221-1547-6: 553.00 р.
УДК : 620.22
Предметные рубрики: техника-- материаловедение
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): наноматериалы--нанокристаллы--сплавы--нанокристаллические сплавы--аморфно-нанокристаллические сплавы--закалка из расплава--кристаллизация--лазерная обработка--напыление пленок--деформация--ионная имплантация
Найти похожие
14.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/О-22
Автор(ы) : Корнилов Л. А., Шашелев А. В., Шокин Е. В., Симонов В. В.
Заглавие : Оборудование ионной имплантации
Выходные данные : М.: Радио и связь, 1988
Колич.характеристики :184 с.: ил.; 22 см
ISBN, Цена 5-256-00007-1: 0.70 р.
ГРНТИ : 47.13.11
УДК : 621.382.049.77.002:621.7/9.048+621.793.18
ББК : 32.84
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионные двигатели--ионная имплантация--системы сканирования--вакуумная откачка--послеимплантационные методы измерения
Аннотация: Систематизированы сведения о свойствах, параметрах и устройствах современного оборудования ионной имплантации. Изложены принципы автоматизации оборудования.
Найти похожие
15.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.318/Ф 50
Заглавие : Физика магнитных материалов : Сб. науч. трудов
Выходные данные : Калинин: КГУ, 1985
Колич.характеристики :141 с.: ил.; 21см
Цена : 1.30 р.
ГРНТИ : 47.09.35
УДК : 621.318.1:53
Предметные рубрики: Электротехника-- Магнитные материалы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): металлические пленки--магнитные величины--магнитные материалы--ионная имплантация--термическая обработка--феррит-гранатовые пленки--спинволновая модель--намагничивание(физ.) --сплавы никеля
Аннотация: Статьи посвящены теоретическим и экспериментальным исследованиям кристаллической структуры,а также физических свойств современных магнитных материалов с учетом перспектив их практического использования в различных отраслях народного хозяйства.
Найти похожие
16.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315.61
Автор(ы) : Комаров, Фадей Фадеевич, Леонтьев, Александр Викторович
Заглавие : Ионная имплантация диэлектриков : научное издание
Выходные данные : Минск: БГУ, 2010
Колич.характеристики :190, [2] с.: ил., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 187-189 (72 назв.)
ISBN, Цена 978-985-518-363-2: 135.00 р.
УДК : 621.315.61
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрические материалы--диэлектрики--заряженные частицы--ионное легирование--трековая электроника--ионная имплантация --диэлектрические микроволноводы
Найти похожие
17.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 620.2/П 27
Автор(ы) : Перинская И. В., Родионов И. В., Перинский В. В.
Заглавие : Мир материалов и технологий: ионно-лучевое конструирование материалов СВЧ микроэлектроники : монография
Выходные данные : Саратов: ИЦ "Наука", 2016
Колич.характеристики :244 с.: ил.; 20 см
Коллективы : Саратовский гос. техн. ун-т им. Гагарина Ю. А., Российская акад. естеств. наук (Москва)
Примечания : Библиогр.: с. 214-217(35 назв.)
ISBN, Цена 978-5-9999-2709-5: 80.00 р.
ГРНТИ : 81.09 + 47.09
УДК : 620.22+621.382.0023
ББК : 30.3 + 32.85
Предметные рубрики: Материаловедение
Электроника-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микроэлектроника--ионно-лучевое легирование--ионно-лучевое конструирование--микроприборы--свч устройства--ионная имплантация--кластеризация--ионно-лучевая защита
Аннотация: Предлагается подход к решению проблемы технологии изготовления монолитно-интегральных схем СВЧ на арсениде галлия - отсутствию метода изготовления ИС СВЧ в одном технологическом цикле на основе единого физико-технического эффекта. Ионная инплантация в качестве базового метода позволяет осуществлять легирование, изоляцию, очистку поверхности, литографию, пассивацию в одной технологической установке в вакууме, необходимые операции изготовления активных и пассивных элементов ИС СВЧ. Монография посвящена разработке физических основ ионно-лучевой технологии микроприборов сверхвысоких частот на арсениде галлия, особенностям применения ускоренных ионов водорода, галлия при создании субмикронных изолирующих областей в монокристаллическом арсениде галлия и эпитаксиальных структурах, имплантации ионов гелия, аргона в металлические слои ИС СВЧ; проблеме качества полупроводниковых структур арсенида галлия; роли процессов кластеризации в технологии легирования и изоляции. Предложены ионно-модифицированные варианты безрезистной литографии изготовления СВЧ полевых транзисторов, металлических резисторов и межслойных конденсаторов, датчиков; способы ионно-лучевой защиты поверхности микроэлектронных изделий от внешних и химических воздействий, ионно-модифицированные аналоги драгоценных металлов для монолитных СВЧ устройств.
Найти похожие
18.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.7/К 63
Автор(ы) : Комаров Ф. Ф., Новиков А. П., Буренков А. Ф.
Заглавие : Ионная имплантация : научное издание
Выходные данные : Минск: Унiверсiтэцкае, 1994
Колич.характеристики :303 с. ; 20см
ISBN, Цена 985-09-0036-9: 3000.00 р.
ГРНТИ : 55.22.19
УДК : 621.793.18
Предметные рубрики: Обработка материалов-- Нанесение покрытий
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): легирование--инплантация--ионная имплантация--ионно-лучевое легирование--инплантация атомов--ионное перемешивание--кинетические уравнения
Найти похожие
19.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/К 78
Автор(ы) : Красников Г. Я.
Заглавие : Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов : научное издание . -2-е изд., испр.
Выходные данные : М.: Техносфера, 2011
Колич.характеристики :800 с.: ил.; 25 см
Примечания : Библиогр. в конце глав
ISBN, Цена 978-5-94836-289-2: 90.00 р.
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.382
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Электроника-- Полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): моп-транзисторы--субмикронные мопт--подзатворные диэлектрики--плазменные процессы--ионная имплантация--электронно-лучевая литография--рентгенолитография--полиметаллические затворы--полицидные затворы--сток-истовые области--короткоканальный эффект
Аннотация: В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов. Описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истовых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Найти похожие
20.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/М 78
Заглавие : МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов : научное издание
Выходные данные : М.: Радио и связь, 1988
Колич.характеристики :496 с.: ил.; 21см
ISBN, Цена 5-256-00130-2: 4.10 р.
ГРНТИ : 47.14.07
УДК : 621.382.049.771
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): технология бис и сбис--диффузия в кремнии--ионная имплантация--оптическая литография--моделирование топографии
Аннотация: Книга представляет собой сборник лекций, прочитанных известными специалистами из многих стран на симпозиуме по математическому моделированию технологических процессов изготовления кремниевых интегральных схем и электрических характеристик их основных элементов-МОП-транзисторов.
Найти похожие
 1-20    21-23 
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)