| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>KL=заряженные дислокации<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539/С 16
Автор(ы) : Сальников А. Н., Гестрин С. Г.
Заглавие : Заряженные дислокации и точечные дефекты в кристаллах (аналитические модели взаимодействия) : моногр.
Выходные данные : Саратов: СГТУ, 2002
Колич.характеристики :222 с.: ил.; 21 см
Коллективы : Саратовский гос. техн. ун-т, М-во образования и науки РФ (Москва)
Примечания : Библиогр. : с. 197-208 (247 назв.)
ISBN, Цена 5-7433-1058-0: 40.00 р.
ГРНТИ : 29.19
УДК : 539.2
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика--физика твердого тела--заряженные дислокации--кристаллы--дислокационные эффекты--дислокации--рассеяние электромагнитных волн--локализация колебаний--торможение частиц
Аннотация: Изложена теория взаимодействия заряженных дислокаций в ионных и ковалентных кристаллах с точечными дефектами различной природы. На основе анализа различных дислокационных эффектов и принятых моделей заряженных дислокаций рассмотрено поведение системы "заряженная дислокация-облако точечных дефектов" в электрическом и магнитном поле, а также при наличии деформации и градиента температуры.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)