Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

В текущей базе данных найдено документов :11

В других БД по вашему запросу найдено:

Электронный каталог (4)

Публикации учёных СГУ (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Отсортировать найденные документы по:
автору	заглавию	году издания	типу документа

Поисковый запрос: (<.>KL=арсенид галлия<.>)

Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11

Сергеев, Сергей Алексеевич.
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Рукопись] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177 л. + 1 автореф. - Библиогр.: л. 158-171 (226 назв.). - ISBN [Б. и.] (в пер.)
Приложение:
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр 829874

УДК

621.382(043.3)

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Приложение:Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Михайлов, Александр Иванович
Найти похожие

Сергеев, Сергей Алексеевич.
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - Библиогр.: с. 17-18 (38 назв.). - ISBN [Б. и.]
Издание является приложением к документу:
Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177. - ISBN [Б. и.]. Шифр 778942

УДК

621.382(043.3)

Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Является приложением к Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов\par
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Михайлов, Александр Иванович
Найти похожие

Сатаева, Сапура Саниевна.
Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды [Рукопись] : дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 : защищена 16.02.2012 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта ; Зап.-Казахст. аграр.-техн. ун-т им. Жангир хана. - Саратов : [б. и.], 2012. - 148, [2] л. : рис., табл. + 1 автореф. - Библиогр.: л. 130-148 (140 назв.). - ISBN [Б. и.] (в пер.)
Приложение:
Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта. - Саратов : [Б. и.], 2012. - 22, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр 186039

УДК

544(043.3)

543(043.3)

Рубрики: химия--физическая химия--аналитическая химия

Кл.слова (ненормированные):
химические сенсоры -- модифицированные электроды -- полупроводниковые материалы -- арсенид галлия -- потенциометрический анализ -- загрязнение окружающей среды. - Приложение:Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Бурахта, Вера Алексеевна
Найти похожие

Сатаева, Сапура Саниевна.
Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды [Текст] : автореф. дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта ; Зап.-Казахст. аграр.-техн. ун-т им. Жангир хана. - Саратов : [Б. и.], 2012. - 22, [1] с. : рис., табл. - Библиогр.: с. 22-23 (10 назв.). - ISBN [Б. и.]
Издание является приложением к документу:
Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды : дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 : защищена 16.02.2012 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта. - Саратов : [б. и.], 2012. - 148, [2]. - ISBN [Б. и.]. Шифр 395902

УДК

544(043.3)

543(043.3)

Рубрики: химия--физическая химия--аналитическая химия

Кл.слова (ненормированные):
химические сенсоры -- модифицированные электроды -- полупроводниковые материалы -- арсенид галлия -- потенциометрический анализ -- загрязнение окружающей среды. - Является приложением к Модифицированные электроды на основе полупроводниковых материалов в анализе объектов окружающей среды : дис. ... канд. хим. наук : 02.00.02 : защищена 16.02.2012 / С. С. Сатаева ; науч. рук. В. А. Бурахта\par
Держатели документа:
Зональная научная библиотека имени В. А. Артисевич ФГБОУ ВО СГУ имени Н. Г. Чернышевского

Доп. точки доступа:
Бурахта, Вера Алексеевна
Найти похожие

Полевые транзисторы на арсениде галлия [Текст] : принципы работы и технология изготовления / под ред.: Д. В. Ди Лоренцо, Д. Д. Канделуола. - М. : Радио и связь, 1988. - 496 с. : ил. ; 21см. - ISBN 5-256-00136-1 : 2.70 р.

ГРНТИ	47.13.11
УДК	621.382.323

ББК 32.852.3

Рубрики: Электроника--Полевые транзисторы

Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- полевые транзисторы -- цифровые интегральные микросхемы -- проектирование ИМС -- быстродействующие СБИС
Аннотация: Книга охватывает широкий круг вопросов, отражающих современное состояние проектирования и технологии изготовления полевых транзисторов на арсениде галлия, а также интегральных схем на их основе.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Ди Лоренцо, Д. В.
Канделуола, Д. Д.
Найти похожие

Мильвидский, М. Г.
Полупроводниковые материалы в современной электронике [Текст] : научное издание / М.Г.Мильвидский. - М. : Наука, 1986. - 144 с. : ил. ; 20см. - (Проблемы науки и технического прогресса). - 0.50 р.

ГРНТИ	45.09
УДК	621.315.592+621.382

ББК 22.379

Рубрики: Электротехника--Полупроводниковые материалы

Электроника--Материалы электронной техники

Кл.слова (ненормированные):
электротехника -- полупроводниковые материалы -- совершенные монокристаллы -- дефектообразование -- выращивание монокристаллов -- полупроводники -- кремний -- арсенид галлия -- фосфид индия -- эпитаксиальные структуры -- гомоэпитаксиальные структуры -- поликристаллические полупроводники -- аморфные полупроводники
Аннотация: Анализируются новые тенденции в создании и применении полупроводников.Рассмотрены закономерности дефектообразования, особенности текстуированных полупроводников и т.п.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Курносов, А. И.
Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [Текст] : учеб.пособие для сред.проф.-техн.училищ / А.И.Курносов. - 2-е изд.,перераб.и доп. - М. : Высшая школа, 1980. - 327 с. : ил. ; 20см. - 0.80 р.

ГРНТИ	47.33.01.33
УДК	621.382.002.3(075)

ББК 32.852

Рубрики: Электроника--Полупроводниковая электроника

Кл.слова (ненормированные):
материалы -- полупроводниковые приборы -- интегральные микросхемы -- полупроводниковые материалы -- германий -- кремний -- арсенид галлия -- механическая обработка полупроводников -- химическая обработка полупроводников -- фотолитография -- сборка -- герметизация
Аннотация: Рассмотрены электрофизические свойства материалов,используемых при производстве полуповодниковых приборов и интегральных микросхем.Описаны полупроводниковые материалы:германий,кремний,арсенид галлия и др.Приведены сведения по материалам,применяемым для механической и химической обработки полупроводников ,а также в процессах фотолитографии,сборки и герметизации.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.
Найти похожие

Берг, А.
Светодиоды [Текст] / А. Берг, П. Дин ; ред. А. Э. Юнович ; пер. с англ. = light-emitting diodes / A. Bergh, P. Dean : переводное издание. - М. : Изд-во "Мир", 1973. - 98 с. : ил., граф., табл. ; 26 см. - (Наука для техники. Современная радиоэлектроника). - Библиогр.: с. 87-97 (400 назв.). - 1.37 р.
Тит. л. парал. на англ. яз.

ГРНТИ	41.29.31
УДК	621.383.52

Рубрики: Электроника--Фотоэлектроника

Кл.слова (ненормированные):
ФОТОМЕТРИЯ -- ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ -- ФОСФИДЫ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- СВЕТОДИОДЫ
Аннотация: В книге изложены физические работы приборов, сведения о характеристиках фосфида и арсенида галлия, карбида кремния, тройных сплавов и другие материалы. Даны практические рекомендации по расчету и конструированию приборов.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Дин, П. Dean P.
Юнович, А. Э.
Юнович, А. Э.
Найти похожие

Мильвидский, М. Г.
Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений [Текст] : на примере арсенида галлия / М. Г. Мильвидский, О. В. Пелевин, Б. А. Сахаров. - М. : Металлургия, 1974. - 392 с. : ил. ; 22 см. - (Проблемы науки и технического прогресса). - Библиогр.: с. 382-389 (257 назв.). - 1.67 р.

ГРНТИ	45.09
УДК	621.315.592+621.382

ББК 621.315

Рубрики: Электротехника--Электротехнические материалы

Кл.слова (ненормированные):
СИСТЕМА ГАЛЛИЙ-МЫШЬЯК -- ТРОЙНЫЕ СИСТЕМЫ -- ДИАГРАММЫ СИСТЕМ -- ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ -- АРСЕНИД ГАЛЛИЯ -- РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ -- ВЫДЕЛЕНИЕ ПРИМЕСЕЙ -- СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ -- МОНОКРИСТАЛЛЫ
Аннотация: На примере арсенида галлия рассмотрены природа и свойства различных состояний соединений и связи с особенностями фазовых диаграмм, межфазовые взаимодействия в системе соединение-примесь, получение монокристаллов и пленок разлагающихся соединений различными методами из жидкой и газовой фаз.
Держатели документа:
Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А.

Доп. точки доступа:
Пелевин, О. В.
Сахаров, Б. А.
Найти похожие

10.

Микроэлектроника [Текст] : в 9 кн.: учеб. пособие / ред. Л. А. Коледов. - Москва : Высшая школа, 1987.
Кн. 7 : Микроэлектронные СВЧ-устройства : учеб. пособие для втузов / И. Н. Филатов, О. А Бакрунов, П. В. Понасенко. - 94 с. : ил. - (Микроэлектроника). - Библиогр.: с. 92-93

ББК 32.844.1я73

Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника

Кл.слова (ненормированные):
арсенид галлия -- гибридные тонкопленочные микросхемы -- микросхемы -- микроэлектронные устройства -- полупроводниковые интегральные микросхемы -- полупроводниковые приборы -- пособия для вузов -- свч-устройства -- фазированные антенные решетки
Аннотация: Рассмотрены принципы расчета, конструирования и технологии изготовления микроэлектронных устройств СВЧ, принципы работы фазированных и активных фазированных антенных решеток, вопросы комплексной микроминиатюризации, разработки полупроводниковых микросхем диапазона СВЧ и перспективы их развития.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)

Доп. точки доступа:
Бакрунов, Олег Александрович
Понасенко, Петр Васильевич
Коледов, Л. А. \\ред.\\
Найти похожие

11.

Курносов, Анатолий Иванович.
Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем [Текст] : учеб. пособие для ВУЗов / А. И. Курносов, В. В. Юдин. - 3-е изд., перераб. и доп. - Москва : Высшая школа, 1986. - 367 с. - Библиогр.: с. 363. - Предм. указ.: с. 364-365. - 1.30 р.

ББК 32.852-06

Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника

Кл.слова (ненормированные):
СВЧ-диапазон -- антимонид галлия -- антимонид индия -- арсенид галлия -- арсенид индия -- германий -- диффузионные структуры -- диэлектрические пленки -- защитные пленки -- имс -- интегральные микросхемы -- интерметаллические соединения -- ионная имплантация -- ионно-плазменное распыление -- конструкции корпусов -- кремний -- лазерные технологии -- нитридные пленки кремния -- полупроводниковые материалы -- полупроводниковые пластины -- полупроводниковые подложки -- пособия для вузов -- р-п-переход -- радиация -- рентгенолитография -- сборка полупроводниковых приборов -- термическое испарение -- тонкие пленки -- фосфид галлия -- фотолитография -- фоторезисторы -- фотошаблоны -- эпитаксиальное наращивание
Аннотация: В книге рассмотрены основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.
Держатели документа:
Муниципальное учреждение культуры (Централизованная библиотечная система города Саратова)

Доп. точки доступа:
Юдин, Владимир Васильевич
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)