| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :9
 В других БД по вашему запросу найдено:ЭБС "ЛАНЬ" (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ЭФФЕКТ ГАННА<.>)
Общее количество найденных документов : 9
Показаны документы с 1 по 9
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/Н 76
Заглавие : Новые методы полупроводниковой СВЧ- электроники : эффект Ганна и его применение ; сб. статей
Выходные данные : М.: Мир, 1968
Колич.характеристики :376 с.: ил.; 20 см
Примечания : Библиогр. в конце разд.
Цена : 1.37 р.
УДК : 621.382
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект ганна--генераторы большой мощности--колебания тока--полупроводники
Аннотация: Сборник переводных статей содержит изложение принципов работы генераторов Ганна, важнейшие экспериментальные исследования эффекта Ганна и описание его практических применений.
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/К 65
Автор(ы) : Конуэлл Э.
Заглавие : Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях : научное издание
Параллельн. заглавия :High field transport in semiconductors/ E. M. Conwell
Выходные данные : М.: Изд-во "Мир", 1970
Колич.характеристики :384 с.: ил.; 21 см
Примечания : Библиогр. в конце глав. - Тит. л. парал. на англ. яз.
Цена : 1.93 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): носители тока--эффект ганна--уравнения больцмана--сильные электрические поля--закон сохранения энергии
Аннотация: Книга посвящена электропроводности полупроводников в сильных электрических полях. Рассматриваются также другие кинетические явления в полупроводниках, связанные с действием сильных электрических полей. Особенностью книги является подробное сопоставление теоретических и экспериментальных данных для конкретных полупроводниковых материалов.
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Ш 96
Автор(ы) : Шур М. С.
Заглавие : Эффект Ганна : научное издание
Выходные данные : Л.: Энергия, 1971
Колич.характеристики :78 с.: ил.; 20 см
Серия: Б-ка по радиоэлектронике; Вып. 29
Цена : 0.25 р.
ГРНТИ : 29.19
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Проводимость
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект ганна--генераторы свч--стабилизатор тока--междолинный переход--домен сильного поля
Аннотация: В книге описывается физический механизм эффекта Ганна - эффекта, на основе которого созданы объемные полупроводниковые приборы, в том числе наиболее мощные генераторы СВЧ на твердом теле. В ней рассматриваются также связанные с ганновской генерацией физические эффекты, различные ганновские приборы и возможности их практического применения.
Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315/А 85
Заглавие : Арсенид галлия : труды международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США
Параллельн. заглавия :Gallium arsenide: Proceedings of the International Symposium organized by The Institute of Physics and The Physical Society in co-operation with The Avionics Laboratory of the U. S. Air Force
Выходные данные : М.: Советское радио, 1972
Колич.характеристики :304 с.: ил.; 22 см
Примечания : Библиогр. в конце ст. - Тит. л. парал. на англ. яз.
Цена : 1.83 р.
ГРНТИ : 47.29.37
УДК : 621.315:546
Предметные рубрики: Электротехника-- Электротехнические материалы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эпитаксиальная технология--лазеры--фотолюминесценция--приборы свч--эффект ганна--транзисторы--диоды
Аннотация: Труды посвящены актуальным проблемам: получение чистого GaAs и эпитаксиальных пленок; методы конструирования, свойства и деградация светодиодов и инжекционных лазеров; технология изготовления, конструкции и параметры СВЧ смесительных диодов с барьером Шоттки, параметрических и умножительных диодов и генераторов на эффекте Ганна.
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 22.3
Автор(ы) : Шалимова, Клавдия Васильевна
Заглавие : Физика полупроводников : учеб. для студентов вузов . -2-е изд., перераб. и доп.
Выходные данные : Москва: Энергия, 1976
Колич.характеристики :390, [1] с.: ил.
Примечания : Предм. указ.: с. 412-417
Цена : 1.20 р.
ББК : 22.3
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): уравнения шредингера--зонная теория--зоны бриллюэна--квазимпульсы--кинетические уравнения--колебания атомов--полупроводники--фотопроводимость--функции распределения--электропроводность--эффект ганна--эффект дембера
Содержание : Полупроводники. Элементарная теория электропроводности ; Основы зонной теории полупроводников ; Колебания атомов кристаллической решетки ; Статистика электронов и дырок в полупроводниках ; Рассеяние электронов и дырок в полупроводниках ; Кинетические явления в полупроводниках ; Генерация и рекомбинация электронов и дырок ; Диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда ; Контактные явления в полупроводниках ; Поверхностные явления в полупроводниках ; Поглощение света полупроводниками ; Люминисценция полупроводников ; Фотоэлектрические явления в полупроводниках
Аннотация: В книге изложены основные вопросы физики полупроводников.
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(075)/Е 91
Автор(ы) : Ефимов И. Е., Горбунов Ю. И., Козырь И. Я.
Заглавие : Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность : учеб. пособие для вузов
Выходные данные : М.: Высшая школа, 1977
Колич.характеристики :416 с.: ил.; 22см
Цена : 1.30 р.
ГРНТИ : 47.33.31.01.33 + 47.03.05.01.33
УДК : 621.382-18(075)
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект ганна--фотолитография--локальная диффузия--ионное легирование--металлизация--изготовление имс--контроль качества--надежность--испытание имс--полупроводниковые диоды--полевые транзисторы--тиристоры
Аннотация: В книге изложены физические и технологические основы полупроводниковой и пленочной микроэлектроники, основы работы активных элементов в ИМС; рассмотрены конструктивно-технологические особенности, материалы и элементы конструкции ИМС, их структурные элементы, процессы изготовления ИМС, контроль качества ИМС при изготовлении, испытания микросхем.
Найти похожие
7.

Вид документа : Монографическая серия
Шифр издания : 537/Л 36
Автор(ы) : Левинштейн М. Е.
Заглавие : Знакомство с полупроводниками
Выходные данные : М.: Наука, 1984
Колич.характеристики :240 с. ; 21см
Серия: Б-ка "Квант"; Вып.33
Цена : 0.40 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.322
ББК : 22.37
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физика--электричество--проводимость--полупроводники--полупроводниковые приборы--компенсаторы--терморезисторы--тензорезисторы--фоторезисторы--эффект холла--эффект ганна
Аннотация: В книге в увлекательной форме рассказывается о физике полупроводников, об истории открытия и изучения полупроводников.
Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.844
Автор(ы) : Ефимов И. Е.
Заглавие : Микроэлектроника : Проектирование, виды микросхем, функциональная микроэлектроника: учеб. пособие для вузов . -2-е изд., перераб. и доп.
Выходные данные : Москва: Высшая школа, 1987
Колич.характеристики :416 с.: ил.
Примечания : Библиогр.: с. 411-412; Предм. указ.: с. 413-414
Цена : 1.40 р.
ББК : 32.844
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): бис--имс--мдп-имс--свч-имс--акустоэлектроника--аналогово-цифровые --аналоговые коммутаторы--биополярные интегральные микросхемы--биополярные транзисторы--биоэлектроника--гибридные интегральные микросхемы--диоды--диффузионные резисторы--диэлектрическая электроника--инжекционная логика--инженерное проектирование--криоэлектроника--магнетоэлектроника--микроэвм--микропроцессоры--микросхемы--микроэлектроника--молекулярная электроника--оптоэлектроника--пленочные конденсаторы--пленочные проводники--пленочные резисторы--подложки свч-имс--полупроводниковые конденсаторы--полупроводниковые микросхемы--пособия для вузов--приборы с зарядовой связью--топология имс--функциональная микроэлектроника--хемотроника--цифровые интегральные микросхемы--эффект ганна
Аннотация: В книге рассмотрены особенности разработки, принципы расчета и проектирования различных классов ИМС и БИС для анализа элементной базы современной микроэлектроники и важнейших видов ИМС, приведена методика расчета надежности ИМС.
Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.85я723
Автор(ы) : Гершунский, Борис Семенович
Заглавие : Основы электроники и микроэлектроники . -4-е изд., перераб. и доп.
Выходные данные : Киев: Выща школа, 1989
Колич.характеристики :424 с.: ил.
Примечания : Библиогр.: с. 417-419
Цена : 50.00 р.
ББК : 32.85я723 + 32.844.1я723
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): акустоэлектроника--биополярные транзисторы--буквенно-цифровые индикаторы--вариаторы--варикапы--выпрямительные диоды--выпрямительные устройства--высокочастотные диоды--генераторы синусоидальных колебаний--гетеропереход--гибридные интегральные микросхемы--диэлектрическая электроника--избирательные усилители--импульсные диоды--имс--колебательные цепи--криоэлектроника--линейные интегральные микросхемы--логические интегральные микросхемы--магнетоэлектроника--микроэлектроника--обратная связь--оптические явления--оптоэлектроника--переход шоттки--полевые транзисторы--полупроводники--полупроводниковые диоды--полупроводниковые интегральные микросхемы--полупроводниковые резисторы--преобразователи--р-п-переход--светодиоды--стабилизаторы--схемотехника--терморезисторы--транзисторы--туннельные диоды--туннельный эффект--усилители--устройства отображения информации--фоторезисторы--фотоэлектрические явления--хемотроника--электронно-лучевые трубки--электроны--эффект ганна--эффект холла
Аннотация: В учебнике изложены основные сведения о современных и наиболее перспективных элементах и узлах технической электроники.
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)