| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :11
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (4)Публикации учёных СГУ (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА<.>)
Общее количество найденных документов : 11
Показаны документы с 1 по 11
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 170318
539.293:535+539.293:537/К 41
Автор(ы) : Воробьев Л. Е., Данилов С. Н., Ивченко Е. Л.
Заглавие : Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах : учеб. пособие для вузов по направлению "Техническая физика"
Выходные данные : Санкт-Петербург: Наука, 2000
Колич.характеристики :157, [3] с
Серия: Новые разделы физики полупроводников
Примечания : Библиогр. - Федер. целевая прогр."Гос. поддержка интеграции высш. образования и фундам. науки на 1997-2000 годы"
ISBN (в пер.), Цена 5-02-024928-9: 35.00 р.
УДК : 537.311.322(075.8)
Предметные рубрики: физика-- физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--наноструктуры--кинетические явления--оптические явления--сильные электрические поля--носители заряда--физика горячих электронов
Аннотация: Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях: функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери электроном при взаимодействии с решеткой. Для студентов, аспирантов, научных сотрудников.
Найти похожие
2.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 050337
621.315.592/Р 85
Заглавие : Руководство к практическим занятиям по курсу "Методы исследования полупроводниковых материалов, приборов и ИМС": Учеб. пособ. Ч. 2
Выходные данные : Саратов: Б. и., 1981
Колич.характеристики :34 c.: ил.
Примечания : Библиогр.
ISBN, Цена Б. и.: 10.00 р.
УДК : 621.315.592(076.5)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые материалы--носители заряда--эпитаксия--германий--кремний
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 530.182(043.3) рукописный текст
Автор(ы) : Сельский, Антон Олегович
Заглавие : Формирование и эволюция пространственно-временных структур в модельной нелинейной активной распределенной среде, содержащей носители заряда : диссертация на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03, 01.04.04 : защищена 17.10.2014
Выходные данные : Саратов: [б. и.], 2014
Колич.характеристики :116 л.: граф., ил. + 1 автореф.
Коллективы : ФГБОУ ВПО "Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского"
Разночтения заглавия :Загл., сост. каталогизатором: Формирование и эволюция пространственно-временных структур в модельной нелинейной активной распределённой среде, содержащей носители заряда
Примечания : Библиогр.: л. 104-116 (85 назв.)
ISBN (в пер.), Цена [Б. и.]
УДК : 530.182(043.3) + 537.86(043.3)
Предметные рубрики: физика-- теоретическая физика-- электромагнетизм
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пространственно-временная динамика--электронные структуры--напряженность электрического поля--нелинейные среды--носители заряда
Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 530.182(043.3) рукописный текст
Автор(ы) : Сельский, Антон Олегович
Заглавие : Формирование и эволюция пространственно-временных структур в модельной нелинейной активной распределенной среде, содержащей носители заряда : автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук : 01.04.03, 01.04.04
Выходные данные : Саратов: [б. и.], 2014
Колич.характеристики :19, [1] с.: ил.
Коллективы : ФГБОУ ВПО "Саратовский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского"
Разночтения заглавия :Загл., сост. каталогизатором: Формирование и эволюция пространственно-временных структур в модельной нелинейной активной распределённой среде, содержащей носители заряда
Примечания : Библиогр.: с. 17-19 (17 назв.)
ISBN, Цена [Б. и.]
УДК : 530.182(043.3) + 537.86(043.3)
Предметные рубрики: физика-- теоретическая физика-- электромагнетизм
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пространственно-временная динамика--электронные структуры--напряженность электрического поля--нелинейные среды--носители заряда
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/Ч-75
Автор(ы) : Чопра К. , Дас С.
Заглавие : Тонкопленочные солнечные элементы
Выходные данные : М.: Мир, 1986
Колич.характеристики :435 с.: ил.; 21см
Цена : 4.00 р.
ГРНТИ : 47.33.29
УДК : 621.382
ББК : 32.854
Предметные рубрики: Электроника-- Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): графоэпитаксия--концентрация--кремний--полупроводниковые приборы--микроанализатор--носители заряда--распыление--проницаемость диэлектрическая--рекомбинация--сульфид кадмия--спектроскопия--сопротивление--солнечные элементы--диэлектрические пленки
Аннотация: Изложены методы осаждения и физические свойства многослойных пленок различных полупроводников, диэлектриков и металлов. Рассмотрены новые виды солнечных элементов и новые направления в разработке высокоэффективных элементов.
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/Ф 50
Заглавие : Физические основы полупроводниковой электроники
Выходные данные : К.: Наукова думка, 1985
Колич.характеристики :304 с.: ил.; 21см
Цена : 3.80 р.
ГРНТИ : 47.33.29
УДК : 621.382+621.315.592
Предметные рубрики: Электроника-- Полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): носители заряда--полупроводники--электроны--оптическая активность--релаксация--электрические поля--полупроводниковая электроника--гетероэпитаксиальные системы--широкозонные полупроводники--флуктуационные явления--фоторезисторы--криогенная термометрия--полупроводниковые криотермометры--многополюсник--излучатели
Аннотация: Дан обзор результатов работ по основным направлениям фундаментальных и прикладных исследований,проводимых в Институте полупроводников АН УССР.Освещены современное состояние и перспективы развития исследований по материаловедению полупроводников,фотоэлектронике и метрической электронике,определяющие новые пути в современном полупроводниковом приборостроении.
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 32.86
Автор(ы) : Соболев, Вадим Дмитриевич
Заглавие : Физические основы электронной техники : учеб. для высш. учеб. заведений
Выходные данные : Москва: Высшая школа, 1979
Колич.характеристики :448 с.: ил.
Серия:
Примечания : Библиогр.: с. 439. - Предм. указ.: с. 442 - 445
Цена : 1.30 р.
ББК : 32.86
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Квантовая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): атомы--квантовая механика--материальные среды--молекулы--носители заряда--полупроводники--строение атомов--строение молекул--электрический ток--явления переноса
Аннотация: Приводятся основные положения и уравнения квантовой механики; рассматриваются физические явления, определяющие работу электронных, ионных и полупроводниковых приборов; свойства газообразной среды и твердых кристаллических тел, процессы переноса, генерация, рекомбинация носителей заряда, явления на поверхностях и границах раздела, закономерности движения заряженных частиц в вакууме в электрических и магнитных полях, основные виды электрических разрядов в газах.
Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(075)/Е 67
Автор(ы) : Епифанов Г. И.
Заглавие : Физические основы микроэлектроники : учеб. пособие
Выходные данные : М.: Советское радио, 1971
Колич.характеристики :376 с. ; 21 см
Примечания : Гриф: допущено М-вом высш. и сред. спец. образования СССР в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обуч. по спец. "Конструирование и производство радиоаппаратуры"
Цена : 0.85 р.
ГРНТИ : 47.33.31
УДК : 621.382+537.311.3+539.3(075)
Предметные рубрики: ЭЛЕКТРОНИКА-- МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): носители заряда--транзисторы--фотоэлектрические приборы--полупроводниковые излучатели--полупроводники--твердое тело--электропроводимость--электроны--квантовая механика--кристаллическая решетка
Аннотация: Рассмотрены элементы квантовой механики и статистической физики, а также основы физики твердого тела, контактные и поверхностные явления в твердом теле, необходимые при изучении курса микроэлектроники.
Найти похожие
9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/А 90
Автор(ы) : Аскеров Б. М.
Заглавие : Электронные явления переноса в полупроводниках : научное издание
Выходные данные : М.: Наука, 1985
Колич.характеристики :320 с.: ил.; 22 см
Примечания : Библиогр.: с. 310-318
Цена : 3.50 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.322
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): явления переноса--термомагнитная обработка--носители заряда--механизмы рассеяния--размерные эффекты--полупроводниковые пленки
Аннотация: Посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теория гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках.
Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Ф 63
Автор(ы) : Фистуль В. И.
Заглавие : Сильно легированные полупроводники : монография
Выходные данные : М.: Физматгиз, 1967
Колич.характеристики :415 с.: ил., граф., рис., табл.; 19 см
Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Примечания : Библиогр.: с. 397-415
Цена : 1.49 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): энергетический спектр--радиоэлектроника--носители заряда--вырожденные полупроводники--кинетические явления в полупроводниках--механизмы рассеяния--отражение света--туннельные диоды--тензометры
Аннотация: В данной монографии обобщены и систематизированы теоретические и экспериментальные результаты исследований полупроводников при их легировании до концентраций примеси, близких к предельным. Тем самым, большая степень легирования приведет к открытию новых явлений, как, например, появление "хвоста" плотности состояний в запрещенной зоне и существование легирующих примесей в кристалле не только в виде раствора, но и в других формах.
Найти похожие
11.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/Р 48
Автор(ы) : Ржанов А. В.
Заглавие : Электронные процессы на поверхности полупроводников : монография
Выходные данные : М.: Изд-во "Наука", 1971
Колич.характеристики :480 с.: ил.; 21 см
Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов
Примечания : Библиогр.: с. 467-476 (272 назв.)
Цена : 1.81 р.
ГРНТИ : 29.05
УДК : 537.311.33
Предметные рубрики: Физика-- Электронные явления
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): феноменологическое описание--электронные процессы--носители заряда--поверхностное рассеяние--атомарно-чистая поверхность
Аннотация: Монография посвящена полупроводникам. В ней дано систематическое и последовательное изложение представлений об электронном строении поверхности полупроводников, характере и специфике поверхностных электронных процессов в полупроводниках, методах и основных результатах их экспериментальных исследований.
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)