| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :10
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=МДП-структуры<.>)
Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 547751
539.293.011.4/Б 82
Автор(ы) : Бормонтов Е. Н.
Заглавие : Физика и метрология МДП-структур : учеб. пособие
Выходные данные : Воронеж: Изд-во Воронеж. ун-та, 1997
Колич.характеристики :184 с
ISBN, Цена 5-85815-024-1: 23.00 р.
УДК : 537.311.322(75.8)
Предметные рубрики: физика-- физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--металлы--диэлектрики--мдп-структуры--квантовые свойства
Аннотация: Рассмотрена классификация поверхностных электронных состояний, дано введение в феноменологическую теорию поверхности полупроводников и описание основных характеристик приповерхностной области пространственного заряда полупроводника. Излагаются физические основы теории структур металл- диэлектрик- полупроводник, методы анализа равновесных характеристик и неравновесных процессов, свойства и методики исследования реальных МДП- систем.
Найти похожие
2.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 633996
621.315.592/Р 85
Заглавие : Руководство к практическим занятиям по курсу "Методы исследования полупроводниковых материалов, приборов и ИМС": Учеб. пособ. Ч. 1
Выходные данные : Саратов: Б. и., [1980]
Колич.характеристики :39, [1] c.: ил.
Примечания : Библиогр.
ISBN, Цена Б. и.: 10.00 р.
УДК : 621.315.592(076.5)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые материалы--мдп-структуры--ширина запрещенной зоны
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(075)/К 65
Заглавие : Конструирование и технология микросхем : учебник
Выходные данные : М.: Высшая школа, 1984
Колич.характеристики :231 с.: ил.; 22см
Цена : 0.70 р.
ГРНТИ : 43.03.05.01.33 + 47.14.07.01.33
УДК : 621.382.049.77.001.63(075.8)
ББК : 32.844
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектроника-- Интегральные микросхемы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): микропроцессорная техника--имс--мдп-структуры--мдп-транзисторы--гис--эвм
Аннотация: В книге приведены данные об элементах и компонентах, материалах и технологии производства, конструктивно-технологических ограничениях и правилах разработки топологии интегральных микросхем; рассмотрены методы обеспечения их надежности, влагостойкости, тепловых режимов и др.
Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315/В 65
Автор(ы) : Войцеховский А. В.
Заглавие : Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников
Выходные данные : Томск: Радио и связь, 1990
Колич.характеристики :328 с.: ил.; 21см
ISBN, Цена 5-256-00498-0: 3.50 р.
ГРНТИ : 45.09.31
УДК : 621.315.5
ББК : 32.854.2
Предметные рубрики: Электротехника-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электротехника--полупроводники--мдп-структуры--полупроводниковые соединения--электрическое поле--магнитное поле--оптическое излучение--электронное облучение--фотоприемные устройства
Аннотация: Рассмотрены физические основы работы МДП-структур из узкозонных полупроводниковых соединений,используемых в качестве фоточувствительных элементов приемников ИК-диапазона спектра. Значительное внимание уделено электрофизическим,фотоэлектрическим, шумовым и рекомбинационным характеристикам МДП-структур. Проанализировано влияние ионизирующей реакции,оптического излучения,термического и полевого воздействий на основные параметры полупроводниковых структур.
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.383/З-93
Автор(ы) : Зуев В. А.
Заглавие : Фотоэлектрические МДП-приборы : научное издание
Выходные данные : М.: Радио и связь, 1983
Колич.характеристики :160 с.: ил.; 20см
Цена : 0.45 р.
ГРНТИ : 47.29.31
УДК : 621.383
ББК : 32.854
Предметные рубрики: Электроника-- Фотоэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--фотоэлектроника--фотоэлектрические приборы--фотоэлектрические явления--фоторезисторы--фотодиоды--фотоварикап--фотоэлементы--оптоэлектроника--мдп-структуры--фототранзисторы--фотопамять
Аннотация: Изложены физические основы различных МДП-фотопреобразователей: фоторезисторов,фотодиодов и фотоэлементов,фотоварикапов, фототранзисторов и систем записи оптической информации.
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/Р 86
Автор(ы) : Румак Н. В.
Заглавие : Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах
Выходные данные : Минск: Наука и техника, 1986
Колич.характеристики :240 с.: ил.; 21см
Коллективы : Физико-технич. ин-т (Минск), Акад. наук Белорус. ССР (Минск)
Примечания : Библиогр.: с. 219
Цена : 1.80 р.
ГРНТИ : 47.33.31
УДК : 621.382.002
Предметные рубрики: Электроника-- Интегральные микросхемы-- МОП-структуры
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--интегральные микросхемы--мдп-структуры--полупроводниковые приборы--пороговое напряжение--окисные пленки--многослойные структуры--окисление кремния--кремниевые пластины--экзоэлектронная эмиссия--пленки
Аннотация: Систематизированны современные представления по теории и практике применения систем кремний-двуокись кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на МОП- структурах.Обсуждаются физические механизмы роста пленок двуокиси кремния на кремнии,образования в них характерных дефектов и заряда. Установлены закономерности изменения электрофизических свойств системы кремний-двуокись кремния при выращивании окисных слоев и нанесении на поверхность оксила металлических пленок.Показана их связь со структурными превращениями окисла в переходном слое вблизи кремния.
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/С 29
Автор(ы) : Селютин В. А.
Заглавие : Автоматизированное проектирование топологии БИС : научное издание
Выходные данные : М.: Радио и связь, 1983
Колич.характеристики :112 с.: ил.; 20 см
Примечания : Библиогр.: с. 106-112 (109 назв.)
Цена : 0.40 р.
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.382.049.77
ББК : 32.844
Предметные рубрики: Электроника-- Интегральные микросхемы-- БИС
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--интегральные микросхемы--бис--топология--фотошаблоны--трассировка--матричные бис--мдп-структуры
Аннотация: Дается систематизированное изложение задач и методов автоматизированного проектирования топологии и разработки фотошаблонов интегральных микросхем. Особое внимание уделяется решению с помощью ЭВМ задач размещения компонентов и трассировки соединений микросхем повышенной степени интеграции. Приводятся примеры реализации. Освещаются основные тенденции развития систем автоматизированного проектирования топологии интегральных микросхем.
Найти похожие
8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(075)/Г 62
Автор(ы) : Голубев В. В., Сухотин С. А.
Заглавие : МДП-структуры и их применение : учеб. пособие
Выходные данные : СПб.: СПбГТУ, 1993
Колич.характеристики :80 с.: ил.; 20 см
Примечания : Библиогр.: с. 80
Цена : 60.00 р.
ГРНТИ : 47.33.01.33
УДК : 621.382(075.8)
Предметные рубрики: Электроника-- Полупроводниковые приборы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--мдп-структуры--мдп-транзисторы--моп-транзистор--мдп-фотоприемников
Аннотация: Изложены физические основы работы МДП-структур в различных режимах (обогащения, обеднения, инверсии) и принципы действия приборов на их основе (МДП-транзисторов, устройств памяти, ПЗС и ПЗИ-приборов, лавинных МДП-фотоприемников).
Найти похожие
9.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 32.85
Автор(ы) : Зи С. М., Зи С.
Заглавие : Физика полупроводниковых приборов: в двух книгах/ С. М. Зи. Кн. 1 . -2-е изд., перераб. и доп.
Выходные данные : Москва: Мир, 1984
Колич.характеристики :456 с.: ил.
Примечания : Библиогр.: с. 450-453
Цена : 2.20 р.
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Радиоэлектроника-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структуры--моп-структуры--биополярные приборы--гетеропереход--диак--зонные диаграммы--монографии--полевые транзисторы--полупроводники--полупроводниковые приборы--приборы с зарядовой связью--р-п-переход--свойства полупроводников--свч-транзисторы--схемные функции--тиристоры--транзисторы--триак--униполярные приборы--эффект шоттки
Аннотация: Монография написана известным американским специалистом в области полупроводниковой электроники. Кн. 1 посвящена физике биополярных приборов (диодов, транзисторов, тиристоров) и приборов на основных носителях (полевых транзисоров с р-п- переходом и барьером Шоттки).
Найти похожие
10.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 22.379
Заглавие : Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: межвуз. науч. сб. Вып. 12: Физические процессы в полупроводниках, диэлектриках и структурах на их основе
Выходные данные : Саратов: Издательство Саратовского национального государственного университета имени Н. Г. Чернышевского, 1987
Колич.характеристики :124 с
Цена : 1.10 р.
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): мдп-структуры--мтдп-структуры--свч-датчики--свч-импульс--холла эффект--шоттки барьер--барьер шоттки--высокочистый германий--гальваническое осаждение--гармонический метод--гетероконтакты--диэлектрики--диэлектрическая подложка--диэлектрическая проницаемость--ионная имплантация--комплексная проводимость--контраст изображений--коэффициенты диффузии примесей--кремний--локальные измерения--металлические пленки--метод жидкофазной эпитаксии--некрологи--оптические волноводы--оптический метод--поверхностные дефекты--полупроводники--полупроводниковая электроника--полупроводниковые упорядоченные среды--профиль легирования--профиль легирования базы--пьезоэлектрические пленки--термодинамическое равновесие--ударная ионизация--фотоэлектрический свойства--электролиты--электросопротивление--эпитаксиальные структуры--эффект холла
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)