| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ЛАВИННЫЕ ФОТОДИОДЫ<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.383/П 53
Заглавие : Полупроводниковые фотоприемники: Ультрафиолетовый, видимый и ближний инфрокрасный диапазоны спектра : научное издание
Выходные данные : М., 1984
Колич.характеристики :216 с.: ил.; 21см
Цена : 0.80 р.
ГРНТИ : 47.29.31
УДК : 681.383.5:621.382.4
ББК : 32.854
Предметные рубрики: Электроника-- Фотоэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--фотоэлектроника--фотоприемники--оптическое излучение--полупроводники--варизонные структуры--фотодиоды--фоторезисторы--лавинные фотодиоды--фотоварикап--зарядовая связь--зарядовая инжекция--нейроконы
Аннотация: Приведены основные параметры одно- и многоэлементных фотоприемников разных типов на основе различных полупроводниковых материалов.
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.383/Т 38
Автор(ы) : Капассо Ф. , Пирсолл Т. , Поллак М. , Канеда Т. , Форрест С.
Заглавие : Техника оптической связи. Фотоприемники
Выходные данные : М.: Мир, 1988
Колич.характеристики :526 с.: ил.; 22 см
Примечания : Библиогр. в конце гл. - Предм. указ.: с. 520-524
ISBN, Цена 5-03-001233-8: 4.90 р.
ГРНТИ : 47.33.33
УДК : 621.383
ББК : 32.882
Предметные рубрики: Электроника-- Оптоэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): оптоэлектроника--оптическая связь--фотоприемники--фотодиоды--лавинные фотодиоды--фототранзисторы
Аннотация: Коллективная монография известных специалистов из США и Японии посвящена вопросам разработки и использования быстродействующих высокочувствительных фотоприемников.
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.383(075)/Ф 51
Автор(ы) : Филачев А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А.
Заглавие : Твердотельная фотоэлектроника : фотодиоды : учеб. пособие
Выходные данные : М.: Физматкнига, 2011
Колич.характеристики :448 с.: ил.; 24 см
Примечания : Библиогр.: с. 447 (32 назв.). - Гриф: рек. УМО вузов Рос. Федерации по образованию в обл. приборостроения и оптотехники в качестве учеб. пособия для студ. вузов, обучающихся по направлению подгот.: 200400 - Оптотехника; 200500 - Лазерная техника и лазерные технологии; 200700 - Фотоника и оптоинформатика
ISBN, Цена 978-5-89155-203-6: 120.00 р.
ГРНТИ : 47.29.31.01.33
УДК : 621.383(075.8)
ББК : 32.854
Предметные рубрики: Электроника-- Фотоэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотодиоды--твердотельные фотоэлектронные изделия--полупроводниковые фотодиоды--лавинные фотодиоды--кремниевые фотодиоды--германиевые фотодиоды
Аннотация: В предлагаемом вниманию читателей учебном пособии «Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды» детально и с минимальным количеством отсылок к другой литературе рассмотрены физические явления в наиболее распространенных твердотельных фотоэлектронных изделиях — полупроводниковых фотодиодах, в том числе в лавинных и матричных фотодиодах, фотодиодах с внутренней фотоэмиссией, фотодиодах на основе гетеропереходов и квантоворазмерных структур. Описаны структуры и характеристики промышленных и недавно разработанных фотодиодов на основе кремния, германия, соединений InGaAs, InSb, CdHgTe, SiC, AlGaN, квантово-размерных сверхрешеток InAs/GaSb и других материалов, чувствительных в различных спектральных диапазонах оптического излучения — от ультрафиолетового до инфракрасного.
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)