| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :10
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (1)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ИОННОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ<.>)
Общее количество найденных документов : 10
Показаны документы с 1 по 10
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315.61
Автор(ы) : Комаров, Фадей Фадеевич, Леонтьев, Александр Викторович
Заглавие : Ионная имплантация диэлектриков : научное издание
Выходные данные : Минск: БГУ, 2010
Колич.характеристики :190, [2] с.: ил., табл.
Примечания : Библиогр.: с. 187-189 (72 назв.)
ISBN, Цена 978-985-518-363-2: 135.00 р.
УДК : 621.315.61
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): диэлектрические материалы--диэлектрики--заряженные частицы--ионное легирование--трековая электроника--ионная имплантация --диэлектрические микроволноводы
Найти похожие

2.

Вид документа : Продолжающееся издание
Шифр издания : 621.7(075)/Б 42
Автор(ы) : Бекренев Н. В.
Заглавие : Высокоэффективные процессы обработки материалов и нанесения покрытий концентрированными потоками энергии (теоретические основы): учеб. пособие для студ. спец. 120700/ Н. В. Бекренев, А. В. Лясникова, Д. В. Трофимов ; ред. В. Н. Лясников. Ч. 1
Выходные данные : Саратов: СГТУ, 2003 -
Колич.характеристики :84 с. ; 20см
Коллективы : Саратовский гос. техн. ун-т
ISBN, Цена 5-7433-1274-5: 27.85 р.
ГРНТИ : 55.22.01.33
УДК : 621.793(075.8)
ББК : 30.615
Предметные рубрики: Обработка материалов-- Напыление
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): обработка материалов--напыление--нанесение покрытий--бесконтактное формообразование--штамповка--ионное легирование--имплантация
Аннотация: Рассмотрены вопросы общей теории бесконтактного формообразования деталей при воздействии на материалы концентрированных потоков различных видов энергии. Изложены закономерности переноса энергии и вещества в разрядном промежутке и управлении параметрами процесса.
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(075)/Е 91
Автор(ы) : Ефимов И. Е., Горбунов Ю. И., Козырь И. Я.
Заглавие : Микроэлектроника. Физические и технологические основы, надежность : учеб. пособие для вузов
Выходные данные : М.: Высшая школа, 1977
Колич.характеристики :416 с.: ил.; 22см
Цена : 1.30 р.
ГРНТИ : 47.33.31.01.33 + 47.03.05.01.33
УДК : 621.382-18(075)
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эффект ганна--фотолитография--локальная диффузия--ионное легирование--металлизация--изготовление имс--контроль качества--надежность--испытание имс--полупроводниковые диоды--полевые транзисторы--тиристоры
Аннотация: В книге изложены физические и технологические основы полупроводниковой и пленочной микроэлектроники, основы работы активных элементов в ИМС; рассмотрены конструктивно-технологические особенности, материалы и элементы конструкции ИМС, их структурные элементы, процессы изготовления ИМС, контроль качества ИМС при изготовлении, испытания микросхем.
Найти похожие

4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(075)/М 74
Автор(ы) : Мокеев О. К.
Заглавие : Технология полупроводникового производства : учеб. пособие
Выходные данные : М.: Высшая школа, 1984
Колич.характеристики :176 с.: ил.; 20см
Цена : 0.20 р.
ГРНТИ : 47.33.37.01.33
УДК : 621.382.002(075)
ББК : 32.852
Предметные рубрики: Электроника-- Технология производства
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводники--полупроводниковая схемотехника--полупроводниковая электроника--полупроводниковые генераторы--полупроводниковые диоды--полупроводниковые материалы--механическая обработка полупроводников--химическая обработка полупроводников--ионная обработка полупроводников--плазмохимическая обработка полупроводников--эпитаксиальные пленки--эпитаксия--легирование--ионное легирование
Аннотация: В книге описаны основные технологические процессы производства полупроводниковых приборов и микросхем. Рассмотрены процессы изготовления биполярного и МДП-транзисторов, а также интегральных микросхем на их основе. Пособие является программированным и содержит материал обеспечивающий самоконтроль усвоения информации и исправление ошибок, возникающих в процессе работы учащихся.
Найти похожие

5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315(075)/Г 85
Автор(ы) : Грищенко А. Ф.
Заглавие : Ионное легирование в микроэлектронике : учеб. пособие для средн. проф.-техн. училищ
Выходные данные : М.: Высшая школа, 1985
Колич.характеристики :48 с.: ил.; 20см
Цена : 0.05 р.
ГРНТИ : 47.09.29.01.33
УДК : 621.315.592.002(075.32)
ББК : 32.844
Предметные рубрики: Электроника-- Полупроводниковые материалы-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--полупроводники--полупроводниковые материалы--микроэлектроника--ионное легирование--технологический процесс--электрические характеристики
Аннотация: В учебном пособии изложены начальные сведения по физике ионного легирования полупроводниковых материалов. Описаны некоторые технологические процессы ионного легирования, а также основное типовое оборудование, применяемое в этих процессах. Рассмотрены вопросы безопасности при работе на установках ионного легирования. Брошюра предназначена для преподавателей и мастеров производственного обучения средних профессионально-технических училищ.
Найти похожие

6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/М 19
Автор(ы) : Маллер Р. , Кейминс Т.
Заглавие : Элементы интегральных схем
Выходные данные : М.: Мир, 1989
Колич.характеристики :630 с.: ил.; 22см
ISBN, Цена 5-03-001100-5: 3.20, 92.00 р.
ГРНТИ : 47.33
УДК : 621.382.049.77
ББК : 32.85
Предметные рубрики: Электроника-- Интегральные микросхемы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--интегральные микросхемы--полупроводники--полупроводниковые материалы--дырки--доноры--акцепторы--дрейфовая скорость--подвижность--рассеяние--диффузионный ток--магнитный датчик--эффект холла--кремниевые приборы--выращивание монокристаллов--термическое окисление--фотолитография--перенос рисунков--диффузия--ионное легирование
Аннотация: Изложены основы физики и технологии изготовления элементов кремниевых ИС, принципы их действия, вопросы расчета и конструирования, а также математические модели, используемые для проектирования как самих элементов, так и цифровых и аналоговых ИС на их основе. Большое внимание уделяется математическим моделям элементов ИС, предназначенным для ИС элементов: биполярные транзисторы с оксидной изоляцией, КМОП-структуры и т. д.
Найти похожие

7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.8/С 89
Автор(ы) : Сулима А. М., Шулов В. А., Ягодкин Ю. Д.
Заглавие : Поверхностный слой и эксплуатационные свойства деталей машин
Выходные данные : М.: Машиностроение, 1988
Колич.характеристики :240 с.: ил.; 22 см
ISBN, Цена 5-217-00060-0: 2.20 р.
ГРНТИ : 55.03.05
УДК : 621.81.002
Предметные рубрики: Детали машин-- Надежность деталей машин
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): деформации--разрушение металла--детали машин--надежность машин--шероховатость поверхностей--волнистость--трение--износ--лазерная обработка--ионное легирование--коррозионная стойкость--термодинамика химических реакций--деформационное упрочнение--эксплуатационные свойства
Аннотация: Рассмотрены параметры, определяющие физико-химическое состояние поверхностного слоя деталей машин, методы и средства их измерения, приведены зависимости параметров поверхностного слоя от методов и режимов обработки.
Найти похожие

8.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.315/З-86
Автор(ы) : Зорин Е. И., Павлов П. В., Тетельбаум Д. И.
Заглавие : Ионное легирование полупроводников : научное издание
Выходные данные : М.: Энергия, 1975
Колич.характеристики :128 с.: рис., табл.; 20 см
Серия: Б-ка радиотехнолога; вып. 6
Примечания : Библиогр.: с. 120-128
Цена : 0.39 р.
ГРНТИ : 45.09
УДК : 621.315
Предметные рубрики: Электротехника-- Электрические материалы
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): пробеги ионов--примесные атомы--аморфизация--ионно-легированные полупроводники--свойства полупроводников--ионное легирование
Аннотация: Посвящена физическим основам и применению ионного легирования полупроводников. Кратко излагаются теоретические и экспериментальные данные о пробегах и распределении ускоренных ионов в твердых телах. Освещен вопрос о влиянии радиационных дефектов на диффузию внедренной примеси.
Найти похожие

9.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/Т 38
Заглавие : Технология ионного легирования : научное издание
Выходные данные : М.: Советское радио, 1974
Колич.характеристики :158 с.: ил.; 16 см
Примечания : Библиогр.: с. 140-156 (244 назв.)
Цена : 0.51 р.
ГРНТИ : 47.09
УДК : 621.382
Предметные рубрики: Электроника-- Полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионное легирование--легирование--кремниевые приборы--полупроводниковые приборы--полупроводниковые материалы
Аннотация: Рассматриваются методы получения кремниевых полупроводниковых приборов с помощью ионного легирования, а также ионное легирование сложных полупроводниковых материалов. Подробно излагаются методы измерения электрических характеристик полупроводниковых приборов, полученных ионным легированием. Книга написана в простой и доступной форме.
Найти похожие

10.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 621.38/Э 45
Автор(ы) : Иноземцев С. А., Яблонский Ф. М., Курочкин В. А., Гулидов Д. Н.
Заглавие : Электроника и ее применение: сборник. Т. 7
Выходные данные : М.: ВИНИТИ, 1976
Колич.характеристики :163 с.: ил.; 22 см
Серия: Итоги науки и техники
Примечания : Библиогр.: с. 157-163 (122 назв.)
Цена : 1.06 р.
ГРНТИ : 47.03
УДК : 621.38
Предметные рубрики: Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): полупроводниковые приборы--ионное легирование--полупроводниковая электроника--дефекты--биполярные транзисторы
Аннотация: Том посвящен ионному легированию как методу изготовления полупроводниковых приборов, жидкокристаллическим индикаторам, новым применениям барьера Шоттки в полупроводниковой электронике и механизмам дефектообразования в кремнии и воздействию дефектов на параметры биполярных транзисторов.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)